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公开(公告)号：KR1020170115142A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：KR1020160041162
申请日：2016-04-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/08 , G09G3/2003 , G09G3/32 , H01L25/0756 , H01L33/382 , H01L33/46 , H01L33/504 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2224/16145
Abstract: 본발명의일 실시예는, 베이스절연층과, 상기베이스절연층상에순차적으로적층되며각각제1 및제2 도전형반도체층과그 사이에위치한활성층을가지며서로다른파장의광을방출하도록구성된제1 내지제3 반도체발광부와, 상기제1 및제2 반도체발광부사이에배치된제1 층간절연층과, 상기제2 및제3 반도체발광부사이에배치된제2 층간절연층;을구비한발광적층체를포함하며,상기발광적층체는, 상기제1 내지제3 반도체발광부와제1 및제2 층간절연층을관통하는격벽구조에의해정의되는복수의픽셀영역으로구분되며, 상기복수의픽셀영역은각각, 상기베이스절연층과제1 및제2 반도체발광부와제1 및제2 층간절연층을관통하며상기제1 내지제3 반도체발광부의제1 도전형반도체층들에각각접속된공통전극과, 상기베이스절연층을관통하며상기제1 반도체발광부의제2 도전형반도체층에접속된제1 개별전극과, 상기베이스절연층과상기제1 반도체발광부와상기제1 층간절연층을관통하며상기제2 반도체발광부의제2 도전형반도체층에접속된제2 개별전극과, 상기베이스절연층과상기제1 및제2 반도체발광부와상기제1 및제2 층간절연층을관통하며상기제3 반도체발광부의제2 도전형반도체층에접속된제3 개별전극을포함하는디스플레이패널을제공한다.
Abstract translation: 本发明的一个实施例中，第一配置和顺序地堆叠在基底上的绝缘层和具有位于第一mitje第二导电类型半导体层之间的有源层的基底绝缘层，并且每个发射光的波长不同 至第三半导体发光部和第一mitje第二半导体发光副这种布置中，第一层间绝缘层和所述第二mitje第三半导体发光副在第二层间绝缘层设置;具有主体的发光叠层 其中发光分层体被分成由穿过第一至第三半导体发光部分以及第一和第二层间绝缘层的阻挡肋结构限定的多个像素区域， 通过半导体光发射部分和第一mitje第二层间绝缘层，并且所述第一基底绝缘层任务1 mitje 2至第三，分别连接到半导体发光的第一导电类型半导体层共用电极的部分，基底绝缘 以及第一半导体发光部分的第二自由度 连接到所述半导体层的第一独立电极，通过基底绝缘层和所述第一半导体发光部和所述第一层间绝缘层和连接到所述第二导电型半导体层2，在半导体的第二发射光延伸 包括连接到所述单独电极的第三单独电极，基底绝缘层和第一mitje第二半导体发光部，并通过所述绝缘层的第一mitje第二中间层和第二导电型半导体层3的半导体发光部 和一个显示面板。
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公开(公告)号：KR1020170100704A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：KR1020160022495
申请日：2016-02-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/505 , H01L27/153 , H01L33/504 , H01L33/60 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041
Abstract: 본발명의실시예에따른발광소자패키지의제조방법은, 적어도하나의광차단영역및 적어도하나의파장변환영역을포함하는필름스트랩(strap)을마련하는단계, 적어도하나의발광영역을갖는발광소자들을마련하는단계, 상기적어도하나의발광영역상에상기적어도하나의파장변환영역이배치되도록상기발광소자상에상기필름스트랩을부착하는단계, 및상기필름스트랩및 상기발광소자들을개별소자단위로절단하는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的制造发光器件封装的方法包括以下步骤：提供包括至少一个遮光区域和至少一个波长转换区域的膜带， 将薄膜条带附接到发光元件，使得至少一个波长转换区域设置在至少一个发光区域上，并且将薄膜条带和发光元件切割成独立的元件单元 。“
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公开(公告)号：KR1020120069309A
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：KR1020100130807
申请日：2010-12-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L29/1033 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L27/10823 , H01L21/76283 , H01L27/10876 , H01L27/10891
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to prevent deterioration due to thermal electron organic punch-through phenomenon by including asymmetric active regions around a central line of a gate electrode. CONSTITUTION: A device isolation layer(112) is formed on a substrate(110) and defines the device isolation layer. A gate electrode(116) crosses the active region. The active region comprises a first active region and a second active region. The first active region and the second active region are asymmetrical around a central line of the gate electrode.
Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法，以通过在栅电极的中心线周围包括不对称有源区域来防止由于热电子有机穿透现象而导致的劣化。 构成：在衬底（110）上形成器件隔离层（112）并限定器件隔离层。 栅电极（116）穿过有源区。 有源区包括第一有源区和第二有源区。 第一有源区和第二有源区围绕栅电极的中心线是不对称的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101881066B1
公开(公告)日：2018-07-25
申请号：KR1020160015233
申请日：2016-02-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L2224/16245 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명의기술적사상의일 실시예는, 서로반대에위치한제1 및제2 면을가지며, 각각상기제1 및제2 면을제공하는제1 및제2 도전형반도체층과그 사이에배치된활성층을포함하며, 상기제2 면을향해상기제1 도전형반도체층의일 영역이개방되며상기제1 면상에형성된요철을갖는반도체적층체와, 상기제1 도전형반도체층의상기일 영역과상기제2 도전형반도체층의일 영역에각각배치된제1 및제2 전극과, 상기반도체적층체의제1 면에배치된투광성지지기판과, 상기반도체적층체의제1 면과상기투광성지지기판사이에배치되며, 상기제1 도전형반도체층의굴절률과상기투광성지지기판의굴절률사이의굴절률을갖는투광성접합층을포함하는반도체발광소자를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020170100999A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：KR1020160023628
申请日：2016-02-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/50 , H01L33/504 , H01L33/60
Abstract: 본발명의발광소자는서로떨어져형성된복수개의발광구조물들; 상기발광구조물들각각의일면상에형성된복수개의전극층들; 상기발광구조물들사이및 전극층들사이를전기적으로절연하도록형성된분리층; 상기발광구조물들의타면상에상기발광구조물들별로서로다른컬러로형성된형광층; 및상기형광층별로서로구분되도록상기형광층사이에기판구조물, 절연구조물, 또는광 반사구조물로형성된격벽층을포함한다.
Abstract translation: 本发明的发光器件包括彼此分开形成的多个发光结构; 多个电极层，形成在每个发光结构的一个表面上; 分离层，被形成为在发光结构之间和电极层之间电隔离; 在发光结构中的每一个上以不同颜色形成在发光结构的另一表面上的荧光层; 并且在荧光层之间由衬底结构，绝缘结构或光反射结构形成的阻挡层由荧光层彼此区分开。
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公开(公告)号：KR1020170024923A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020150120547
申请日：2015-08-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/60 , H01L25/0753 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01L33/502 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 본발명의발광소자패키지는발광구조물, 상기발광구조물상의광파장변환층, 및상기광파장변환층상의광 필터층을포함한다. 상기발광구조물은제1 도전형반도체층, 상기제1 도전형반도체층상의활성층및 상기활성층상의제2 도전형반도체층을포함하고제1 피크파장을갖는제1 광을방출한다. 상기광파장변환층은상기발광구조물로부터방출되는상기제1 광을흡수하고상기제1 피크파장과상이한제2 피크파장을갖는제2 광을방출한다. 상기광 필터층은상기광파장변환층상에배치되고, 상기발광구조물로부터방출되는상기제1 광을반사하고상기광파장변환층으로부터방출되는상기제2 광을투과한다.
Abstract translation: 发光二极管（LED）封装包括发光结构，发光结构上的光波长转换层和光波长转换层上的滤光层。 发光结构包括第一导电型半导体层，第一导电型半导体层上的有源层和有源层上的第二导电型半导体层，并且发射具有第一导电型半导体层的第一光 波长。 光波长转换层吸收从发光结构发射的第一光，并发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光。 光学滤波器层反射从发光结构发射的第一光，并透射从光波长转换层发射的第二光。
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公开(公告)号：KR1020160141362A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：KR1020160015233
申请日：2016-02-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L2224/16245 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명의기술적사상의일 실시예는, 서로반대에위치한제1 및제2 면을가지며, 각각상기제1 및제2 면을제공하는제1 및제2 도전형반도체층과그 사이에배치된활성층을포함하며, 상기제2 면을향해상기제1 도전형반도체층의일 영역이개방되며상기제1 면상에형성된요철을갖는발광구조물과, 상기제1 도전형반도체층의상기일 영역과상기제2 도전형반도체층의일 영역에각각배치된제1 및제2 전극과, 상기발광구조물의제1 면에배치된투광성지지기판과, 상기발광구조물의제1 면과상기투광성지지기판사이에배치되며, 상기제1 도전형반도체층의굴절률과상기투광성지지기판의굴절률사이의굴절률을갖는투광성접합층을포함하는반도체발광소자를제공한다.
Abstract translation: 本发明的技术构思的一个实施例包括第一和第二导电类型半导体层，其具有彼此相对的第一和第二表面并分别提供第一和第二表面以及设置在它们之间的活性层 一种发光结构，具有朝向第二侧开口的第一导电类型半导体层的一侧，并且具有形成在第一侧上的凹陷和突起，第一导电类型半导体层的第一区域， 型半导体层以及设置在所述发光结构的第一表面上的透光支撑基板，其中所述第一电极和所述第二电极设置在所述发光结构的第一表面与所述发光结构之间， 以及半透明粘合层，其折射率在第一导电类型半导体层的折射率与半透明支撑衬底的折射率之间。
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