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公开(公告)号：KR1020170088108A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：KR1020160008022
申请日：2016-01-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L21/02164 , H01L21/02238 , H01L21/28282 , H01L28/00 , H01L29/0649 , H01L29/1037
Abstract: 본발명의실시예에의한반도체메모리장치는, 기판; 상기기판상에교대로반복적층된절연패턴들및 게이트전극들을포함하는적층구조체; 상기적층구조체를관통하며, 정보저장패턴을포함하는수직채널구조체; 및상기수직채널구조체내에위치하는전압고정층을포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的半导体存储器件包括：衬底; 一种堆叠结构，包括交替重复层叠的绝缘图案和栅电极在衬底上; 垂直通道结构，其穿过层压结构并且包括信息存储图案; 并且位于垂直沟道结构中的电压钳位层。
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公开(公告)号：KR1020160037011A
公开(公告)日：2016-04-05
申请号：KR1020140129524
申请日：2014-09-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박민철
IPC: A61B6/00
Abstract: 예비촬영(pre- shot)을위한제1 조사조건에따라대상체및 대상체와겹쳐지지않도록배치되는캘리브레이션팬텀으로엑스선을조사하는엑스선조사부, 대상체및 캘리브레이션팬텀을투과한엑스선을검출하는검출부및 검출된엑스선으로부터획득한예비촬영영상을이용하여캘리브레이션정보를획득하고, 캘리브레이션정보를이용하여본 촬영(main-shot)을위한제2 조사조건을결정하는제어부를포함하는의료영상장치가개시된다.
Abstract translation: 公开了一种医疗成像装置，其包括：X射线照射单元，其被配置为根据用于预注射的第一照射条件，用X射线照射物体和不与物体重叠的校准体模; 检测单元，被配置为检测通过所述物体的X射线和所述校准体模; 以及控制单元，被配置为通过使用从检测到的X射线获得的预拍摄图像获得校准信息，并且通过使用校准信息确定用于主要拍摄的第二照射条件。
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公开(公告)号：KR100876788B1
公开(公告)日：2009-01-09
申请号：KR1020070026825
申请日：2007-03-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04B1/126 , H04L25/0206 , H04L25/0228 , H04L25/03006 , H04L27/2647 , H04L2025/03426
Abstract: 본 발명은 광대역 무선통신 시스템에서 인접 셀의 간섭을 제거하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 무선 통신 시스템에서 서빙 기지국과 인접 기지국들로부터 타겟 신호와 인접 신호를 수신하는 적어도 두 개의 수신 안테나로부터 수신되는 신호들 중 간섭 신호를 제거하는 단말 장치에 있어서, 상기 각각의 수신 안테나들로부터 수신되는 타겟 신호 및 인접 신호를 푸리에 변환하는 연산기와, 상기 연산기로부터 푸리에 변환된 신호를 제공받아 상기 서빙 기지국과 인접 기지국으로부터 수신된 각 채널의 주파수 응답을 추정하는 채널 추정기와, 상기 수신신호들로부터 상기 추정된 채널 주파수 응답을 이용하여 타겟 신호를 검출하는 검출부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
MIMO, 서빙 셀, 인접 셀, 간섭 신호 제거, 광대역 무선통신 시스템, 다중 수신 안테나-
4.发明公开플로팅된 드레인측 보조 게이트를 갖는 고전압 모스트랜지스터를 구비하는 비휘발성 메모리 소자들 및 그제조방법들 失效플로팅된드레인측보조게이트를갖는고전압모스트랜스터터를구비하는비휘발성메모리소자들및그제조방법들
公开(公告)号：KR1020070033800A
公开(公告)日：2007-03-27
申请号：KR1020050088335
申请日：2005-09-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7887 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11529 , H01L29/42344
Abstract: High-voltage MOS transistors with a floated drain-side auxiliary gate are provided. The high-voltage MOS transistors include a source region and a drain region provided in a semiconductor substrate. A main gate electrode is disposed over the semiconductor substrate between the drain region and the source region. A lower drain-side auxiliary gate and an upper drain-side auxiliary gate are sequentially stacked over the semiconductor substrate between the main gate electrode and the drain region. The lower drain-side auxiliary gate is electrically insulated from the semiconductor substrate, the main gate electrode and the upper drain-side auxiliary gate. Methods of fabricating the high-voltage MOS transistors are also provided.
Abstract translation: 提供具有浮动的漏极侧辅助栅极的高压MOS晶体管。 高压MOS晶体管包括设置在半导体衬底中的源极区域和漏极区域。 主栅极布置在漏极区和源极区之间的半导体衬底上。 在主栅电极和漏区之间的半导体衬底上顺序地堆叠下漏极侧辅助栅极和上漏极侧辅助栅极。 下漏极侧辅助栅极与半导体衬底，主栅极电极和上漏极侧辅助栅极电绝缘。 还提供了制造高压MOS晶体管的方法。
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公开(公告)号：KR1020070008134A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：KR1020050063124
申请日：2005-07-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B7/26
CPC classification number: H04L25/0202
Abstract: An apparatus and a method for channel estimation in a broadband wireless communication system are provided to normalize the gain and power of a boosted signal during a channel estimation process. An apparatus for channel estimation in a broadband wireless communication system comprises the followings: a boosting confirming unit(311) for deciding a boosting factor by determining whether each area of a receiving signal is boosted or not; a boosting factor selecting unit(313) which selects the boosting factor for compensating a boosting value of a channel estimation value according to whether each area is boosted or not through control of the boosting confirming unit(311); and a multiplier which compensates the boosting value of the channel estimation value by multiplying the channel estimation value by the boosting factor.
Abstract translation: 在宽带无线通信系统中提供用于信道估计的装置和方法，用于在信道估计过程期间对增强信号的增益和功率进行归一化。 一种用于在宽带无线通信系统中进行信道估计的装置，包括以下步骤：用于通过确定接收信号的每个区域是否升压来决定升压因子的升压确认单元（311） 升压因子选择单元（313），其通过控制升压确认单元（311），根据每个区域是否升压来选择用于补偿信道估计值的升压值的升压因子; 以及乘法器，通过将信道估计值乘以升压因子来补偿信道估计值的升压值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100594084B1
公开(公告)日：2006-06-30
申请号：KR1020040030567
申请日：2004-04-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04J11/00
CPC classification number: H04L25/0232
Abstract: 본 발명에 따르면, 현재 슬롯의 데이터 심볼들 중에 현재 슬롯의 파일럿 심볼 이전에 위치하는 데이터 심볼에 관한 채널 특성값은 이전 슬롯의 파일럿 심볼의 채널 특성값과 현재 슬롯의 파일럿 심볼의 채널 특성값을 사용한 시간축 상의 보간에 의해 추정하고, 현재 슬롯의 데이터 심볼들 중에 현재 슬롯의 파일럿 심볼 이후에 위치하는 데이터 심볼에 관한 채널 특성값은 이전 슬롯의 파일럿 심볼의 채널 특성값과 현재 슬롯의 파일럿 심볼의 채널 특성값을 사용한 시간축 상의 외삽에 의해 추정한다. 이처럼 2개의 파일럿 심볼만을 사용하여 채널 추정을 함에 따라 채널 추정에 따른 성능의 저하를 최소화하면서도 채널 추정에 소요되는 버퍼 크기와 레이턴시를 줄일 수 있게 된다.
직교 주파수 분할 다중, OFDM/OFDMA, 채널 추정, 파일럿.-
公开(公告)号：KR1020060027620A
公开(公告)日：2006-03-28
申请号：KR1020040076496
申请日：2004-09-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L27/115 , H01L29/42336 , H01L29/7883 , H01L21/28273 , H01L21/823462
Abstract: 측벽 트랜지스터를 가지는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 이 소자는, 기판에 활성영역을 한정하는 트렌치 내에 형성된 소자분리막과, 상기 활성영역 상에 터널절연막을 개재하여 형성된 부유게이트와, 상기 부유게이트에 인접하여 상기 트랜치 내에 형성된 매몰 부유게이트(buried floating gate)를 포함한다. 상기 매몰 부유게이트 및 상기 트렌치 측벽 사이에 매몰 게이트 절연막이 개재되어 있고, 제어게이트 전극이 상기 부유게이트 및 상기 매몰 부유게이트의 상부를 가로지른다. 상기 제어게이트 전극과 상기 부유게이트 및 상기 매몰 부유게이트 사이에 게이트 층간유전막(inter-gate dielectric)이 개재되어 있다. 이 소자는 기입동작에서 선택 메모리 셀의 채널 가장자리의 전계를 강화시켜 FN터널링의 효율을 높일 수 있고, 비선택 메모리 셀의 채널 전압을 높여주어 비선택 메모리 셀의 오기입을 억제할 수 있다. 또한, 읽기 동작에서 측벽 트랜지스터가 턴-온되어 셀 전류를 증가시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970055381A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950065854
申请日：1995-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박민철
IPC: H03K3/30
Abstract: 본 발명은 D 타입 플립플롭 회로에 관한 것으로, 종래와 다른 회로 구성으로 플립플롭의 기능을 수행하도록 하는 D 타입 플립플롭 회로에 관한 것이다.
종래의 D 타입 플립플롭 회로는 각 게이트간을 접속하기 위한 라인의 결선이 복잡하여 회로 집적도가 저하되는 문제점이 있다.
본 발명은 앤드게이트와 배타적 논리합 게이트로 회로를 구성하여 D 타입 플립플롭의 기능을 수행함으로써 각 게이트간의 라인 결선을 단순화 시킬 수 있어 회로 집적도를 향상시키게 된다.-
公开(公告)号：KR102258117B1
公开(公告)日：2021-05-31
申请号：KR1020140155560
申请日：2014-11-10
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 기판에수직한방향으로적층된복수의메모리셀들과상기메모리셀들각각에연결된접지선택트랜지스터를포함하는메모리셀 어레이를포함하는불휘발성메모리장치의소거방법은상기기판에소거전압을인가하는단계; 상기메모리셀 어레이의온도를측정하는단계; 상기측정된메모리셀 어레이의온도에따라상기기판에상기소거전압이인가된시점부터지연시간을설정하는단계; 상기접지선택트랜지스터에연결된접지선택라인에상기지연시간동안접지전압을인가하는단계; 및상기접지선택라인의전압을상기지연시간이후에상승시키는단계를포함한다.
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