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公开(公告)号：KR101835004B1
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：KR1020110049016
申请日：2011-05-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L33/36
Abstract: 개시된발광소자는제1반도체층, 활성층, 제2반도체층과제2반도체층상에마련된그래핀패턴층을을포함할수 있다. 개시된발광소자는그래핀패턴층상에마련된폴리머패턴층을더 포함할수 있다. 그리고, 개시된발광소자의제조방법은제1반도체층, 활성층, 제2반도체층을형성하는단계와제2반도체층상에그래핀패턴층을형성하는단계를포함할수 있다. 개시된발광소자의제조방법은그래핀패턴층상에폴리머패턴층을형성하는단계를더 포함할수 있다.
Abstract translation: 所公开的发光器件可以包括第一半导体层，有源层，第二半导体层以及设置在第二半导体层上的石墨烯图案层。 所公开的发光器件可以进一步包括设置在石墨烯图案层上的聚合物图案层。 所公开的制造发光器件的方法可以包括形成第一半导体层，有源层和第二半导体层，以及在第二半导体层上形成石墨烯图案层。 所公开的制造发光器件的方法可以进一步包括在石墨烯图案层上形成聚合物图案层。
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公开(公告)号：KR101675111B1
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：KR1020100001908
申请日：2010-01-08
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: G02F1/03
Abstract: 투명한비정질기판위에형성된투명한전광결정을갖는광 이미지셔터및 그제조방법이개시된다. 개시된광 이미지셔터는유리와같은투명한비정질기판위에, 전광결정과결정상수가유사한재료로버퍼층을먼저형성하고, 버퍼층위에전광결정과같은전광결정을형성한다. 개시된구조의광 이미지셔터에따르면, 유리기판등과같은저가의투명한기판을사용하여저온에서전광결정을형성할수 있다. 따라서, 광이미지셔터를제조하는데 있어서원가절감및 수율향상효과를얻을수 있다. 또한, 개시된광 이미지셔터는대면적화가가능하여카메라용셔터및 평판디스플레이용셔터로도활용이가능하다.
Abstract translation: 具有形成在透明非晶基板上的透明电光晶体的光学图像遮光器及其制造方法。 通过在诸如玻璃的透明非晶基板上使用具有与电光晶体相似的晶体结构的材料形成缓冲层来形成光图像快门，并且形成诸如电光学的电光薄膜层 晶体在缓冲层上。
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公开(公告)号：KR101281684B1
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020080008030
申请日：2008-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02513 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02658
Abstract: 질화물반도체 기판의 제조방법에 관해 기술된다. 기판 제조방법은 Si 기판을 이용하며 질화물반도체은 AlN의 면, 즉 결정면(crystallographic plane)에 대해 이루어진다. AlN은 Si 기판의 (100) 면에 형성되며, 열처리에 의해 면을 을 가진다. 본 발명의 제조방법은 저렴한 (100) Si 기판을 이용하므로 제품 단가를 낮출 수 있고, 대구경의 질화물반도체 기판을 용이하게 얻을 수 있다.
질화물, 반도체, 성장-
公开(公告)号：KR1020110081649A
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：KR1020100001908
申请日：2010-01-08
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: G02F1/03 , G02F1/05 , G02F1/21 , G02F2001/213 , G02F2201/501
Abstract: PURPOSE: An optical image shutter and a manufacturing method thereof are provided to form electro-optic crystals at a low temperature using a low-priced transparent substrate, thereby reducing manufacturing costs and enhancing manufacturing yield. CONSTITUTION: An optical image shutter comprises a transparent amorphous substrate, a first reflecting layer(11), a transparent buffer layer(13), an electro-optic thin film layer(14), a transparent electrode, and a second reflecting layer(16). The first reflecting layer, the transparent buffer layer, the electro-optic thin film layer, the transparent electrode, and the second reflecting layer are successively laminated on the transparent amorphous substrate. The electro-optic thin film layer has a crystal structure whose refractive index changes according to electric field.
Abstract translation: 目的：提供一种光学图像快门及其制造方法，以使用低价透明基板在低温下形成电光晶体，从而降低制造成本并提高制造成品率。 构成：光学图像快门包括透明非晶衬底，第一反射层（11），透明缓冲层（13），电光薄膜层（14），透明电极和第二反射层（16 ）。 第一反射层，透明缓冲层，电光薄膜层，透明电极和第二反射层依次层叠在透明非晶基板上。 电光薄膜层具有折射率根据电场而变化的晶体结构。
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公开(公告)号：KR101913316B1
公开(公告)日：2018-10-31
申请号：KR1020120060049
申请日：2012-06-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L29/94
Abstract: 중앙에위치한로직영역, 및외곽에위치한주변영역을포함하고, 상기로직영역은, 라인형상의로직트랜지스터, 및박스형상의디커플링커패시터를포함하고, 및상기주변영역은, 라인형상의주변트랜지스터, 및상기주변트랜지스터의주위에배치된라인형상의주변더미트랜지스터를포함하는반도체소자가설명된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110094976A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：KR1020100014738
申请日：2010-02-18
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L33/46
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2933/0025
Abstract: PURPOSE: A light emitting device and a method of manufacturing thereof are provided to increase external quantum efficiency by forming a self assembly polymer pattern in the laminated structure of a light emitting device using the mixed solution of a polymer solute and a solvent. CONSTITUTION: In a light emitting device and a method of manufacturing thereof, a first semiconductor material layer(30) is formed on a substrate(10). An active layer(40) is formed on the first semiconductor material layer. A second semiconductor material layer(50) is formed on the active layer. A transparent electrode layer(60) is formed on the second semiconductor material layer. A self-assembly polymer pattern(70) is formed on the transparent electrode layer.
Abstract translation: 目的：提供一种发光器件及其制造方法，以通过使用聚合物溶质和溶剂的混合溶液在发光器件的层叠结构中形成自组装聚合物图案来提高外部量子效率。 构成：在发光器件及其制造方法中，在衬底（10）上形成第一半导体材料层（30）。 在第一半导体材料层上形成有源层（40）。 在有源层上形成第二半导体材料层（50）。 在第二半导体材料层上形成透明电极层（60）。 在透明电极层上形成自组装聚合物图案（70）。
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公开(公告)号：KR1020130136329A
公开(公告)日：2013-12-12
申请号：KR1020120060049
申请日：2012-06-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L29/94
Abstract: Described is a semiconductor device, which includes a logic region located in the center and a peripheral region located in the outside. The logic region includes a logic transistor of a line shape and a decoupling capacitor of a box shape. The peripheral region includes a peripheral transistor of a line shape and a peripheral dummy transistor of a line shape arranged around the peripheral transistor.
Abstract translation: 描述了一种半导体器件，其包括位于中心的逻辑区域和位于外部的周边区域。 逻辑区域包括线形状的逻辑晶体管和盒形的去耦电容器。 外围区域包括线状的外围晶体管和围绕周边晶体管布置的线状的外围的虚设晶体管。
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公开(公告)号：KR1020090081879A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：KR1020080008030
申请日：2008-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02513 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02658
Abstract: A method for manufacturing a nitride semiconductor substrate is provided to obtain the nitride semiconductor substrate with a large diameter with a low cost. A hexagonal buffer layer(20) is formed on a surface(100) of a Si substrate(10). An epitaxial growth of a nitride semiconductor layer(30) is performed on the buffer layer. The buffer layer includes at least one of AlN, TiN, HfN, GaN, InN or ZrN. The formation step of the buffer layer includes a crystallization step by a thermal process of an amorphous layer formation step.
Abstract translation: 提供一种用于制造氮化物半导体衬底的方法以便以低成本获得具有大直径的氮化物半导体衬底。 在Si衬底（10）的表面（100）上形成六边形缓冲层（20）。 在缓冲层上进行氮化物半导体层（30）的外延生长。 缓冲层包括AlN，TiN，HfN，GaN，InN或ZrN中的至少一种。 缓冲层的形成步骤包括通过非晶层形成步骤的热处理的结晶步骤。
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公开(公告)号：KR101890751B1
公开(公告)日：2018-08-22
申请号：KR1020120098485
申请日：2012-09-05
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L29/0684 , B82Y10/00 , H01L21/02458 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02488 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02658 , H01L29/0665 , H01L29/122 , H01L29/127 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 질화물반도체디바이스및 그제조방법이개시된다. 개시된질화물반도체디바이스는, 기판과, 기판상의서로다른재질의제1나노입자와제2나노입자의나노복합체를포함하는전위제어층, 전위제어층상에형성되는질화물반도체층을포함한다.
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