公开(公告)号：KR1019990027873A

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019970050403

申请日：1997-09-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤재임 ,  황종성 ,  박흥우 ,  손영상

IPC: H01L21/31

Abstract: 본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 리펠러의 열전자 반사효율을 증가시킬 수 있는 아크 챔버에 관한 것이다. 본 발명에 의한 아크 챔버는 필라멘트 포우스트와 리펠러 사이에 이들을 연결하는 스트랩 리플렉터 더 구비한다. 이때, 리펠러와 필라멘트 포우스트는 동전위를 유지한다.

公开(公告)号：KR1019980067124A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970002997

申请日：1997-01-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이용승 ,  윤재임

IPC: H01L21/66

Abstract: 복수 개의 수위감지 센서를 순수 수조에 설치함으로써, 현재 수조의 수위상태를 표시하여, 수위상태에 따른 최적의 설비관리가 수행될 수 있는 순수용 수조의 수위조절장치에 관한 것이다.
본 발명은 반도체 공정에 이용되는 순수를 수용하는 수조의 순수 수용량을 모니터링하는 순수용 수조의 수위조절장치에 있어서, 상기 수조의 내벽에 설치되어 상기 순수의 수위를 감지하는 센싱수단, 상기 센싱수단의 센싱신호를 인터페이스시키는 인터페이스부, 상기 인터페이스된 신호를 인가받아서 상기 순수의 수위를 판별하는 제어부, 상기 제어부의 정보를 분석하여 모니터링 신호를 출력하는 중앙처리부 및 상기 모니터링 신호를 인가받아서 현재 순수 수위를 모니터링하는 모니터로 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하면 순수의 관리가 모니터링 체계를 통하여 효율적으로 관리되어 생산성이 향상되고, 설비의 수명이 극대화되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019970030309A

公开(公告)日：1997-06-26

申请号：KR1019950040542

申请日：1995-11-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤수한 ,  신동진 ,  윤재임 ,  정광필

IPC: H01L21/265

Abstract: 고에너지를 얻기 위하여 이온빔의 전하형태를 전환시킬 수 있는 전하교환 셀을 구비하는 반도체소자 제조용 이온주입장치가 개시되어 있다. 본 발명은, 내부에 전하교환물질을 일정 높이까지 수용할 수 있는 챔버의 측벽에 형성된 입사구를 통하여 입사된 이온빔이 상기 전하교환물질이 충돌한 후 다른 도전형의 이온빔으로 교환되어 상기 챔버의 반대 측벽에 형성된 배출구를 통하여 배출되는 전하교환 셀을 구비하는 반도체소자 제조용 이온주입장치에 있어서, 상기 전하교환 셀의 어셈블리가 상기 챔버의 측벽에서 분해 및 조립이 가능하도록 상기 참버의 측벽에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 따라서, 챔버의 측면에서 어셈블리의 분해 및 조립이 가능하므로 작업성 및 안정성이 향상되며, 히터로 효율화 PM 주기가 연장되어 가동율 향상의 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100444201B1

公开(公告)日：2004-08-16

申请号：KR1020020021319

申请日：2002-04-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 금경수 ,  홍형식 ,  윤재임 ,  박충훈 ,  황완구

IPC: H01L21/26

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/3045 ,  H01J2237/30472

Abstract: A method and an apparatus for measuring an inclination angle of an ion beam when ions are implanted into a semiconductor wafer include an ion current measuring section having a Faraday cup assembly which is rotatably installed, an angle varying section for adjusting an alignment angle of the Faraday cup assembly, and an inclination angle measuring section for measuring the inclination angle of the ion beam based on a variation of the ion current caused by a variation of the alignment angle of the Faraday cup assembly. By measuring the inclination angle of the ion beam, the incident angle of the ion beam, which is incident into the wafer during the ion implantation process, can be precisely adjusted to a predetermined critical angle. Accordingly, the channeling effect and shadow effect can be effectively prevented. The amount of the ions included in the ion beam can be precisely measured, so the amount of ions implanted into the wafer can be precisely adjusted.

Abstract translation: 用于测量离子注入半导体晶片时离子束的倾斜角的方法和设备包括：离子电流测量部分，其具有可旋转地安装的法拉第杯组件;角度变化部分，用于调节法拉第的对准角度 以及倾斜角度测量部分，用于基于由法拉第杯组件的对准角度的变化引起的离子电流的变化来测量离子束的倾斜角度。 通过测量离子束的倾斜角度，可以精确地将在离子注入过程中入射到晶片中的离子束的入射角度调节到预定的临界角。 因此，可以有效防止沟道效应和阴影效应。 包含在离子束中的离子的量可以被精确地测量，因此可以精确地调整注入到晶片中的离子的量。

公开(公告)号：KR1020030025679A

公开(公告)日：2003-03-29

申请号：KR1020010058843

申请日：2001-09-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 채승원 ,  윤재임

IPC: H01L21/265

Abstract: PURPOSE: Plumbing fittings are provided to prevent a damage of a tube used as a line by using a clamp for fixing the first and the second connection members. CONSTITUTION: The first connection member(200) is connected with one side of an exhaust line. The second connection member(202) is connected with an exhaust duct. The first connection member(200) has the first screw portion(200a) as a hexagonal bolt and the first flange(200b) formed at one side of the first screw portion(200a). The second connection member(202) has the second screw portion(202a) as the hexagonal bolt and the second flange(202b) formed at one side of the second screw portion(202a). The first and the second flow paths(204a,204b) penetrate the first and the second screw portions(200a,202a) and the first and the second flanges(200b,202b), respectively. A clamp(206) is used for fixing a contact portion between the first and the second flanges(200b,202b).

Abstract translation: 目的：通过使用夹具固定第一和第二连接构件，提供管道配件以防止用作管线的管道损坏。 构成：第一连接构件（200）与排气管的一侧连接。 第二连接构件（202）与排气管连接。 第一连接构件（200）具有作为六边形螺栓的第一螺纹部（200a）和形成在第一螺纹部（200a）一侧的第一凸缘（200b）。 第二连接构件（202）具有作为六边形螺栓的第二螺纹部（202a）和形成在第二螺纹部（202a）的一侧的第二凸缘（202b）。 第一和第二流动路径（204a，204b）分别穿过第一和第二螺纹部分（200a，202a）和第一和第二凸缘（200b，202b）。 夹具（206）用于固定第一和第二凸缘（200b，202b）之间的接触部分。

公开(公告)号：KR100274599B1

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019970013648

申请日：1997-04-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조연하 ,  고석호 ,  이준호 ,  윤재임

IPC: H01L21/265

Abstract: PURPOSE: An apparatus for checking a Faraday bias voltage in a semiconductor ion injection system is provided to sense a voltage supplied to a bias ring by using a loop back method. CONSTITUTION: A voltage supply interface portion(20) supplies a voltage to a Faraday bias portion(22) and receives a control signal from a loop back assembly(28). The Faraday bias portion(22) is connected with a low power bias ring(24B) of a low power Faraday portion(24). The low power bias ring(24B) is connected with a disc bias ring(26B). A disc Faraday(26) is formed by the disc bias ring(26B) and a Faraday cup(24A). The disc bias ring(26B) is connected with a loop back assembly(28) for outputting a control signal to the voltage supply interface portion(20) and a resistance(R1). A relay(30) is connected with an alarm portion(32).

Abstract translation: 目的：提供一种用于检查半导体离子注入系统中的法拉第偏置电压的装置，以通过使用回环方法来感测提供给偏置环的电压。 构成：电压供应接口部分（20）将电压提供给法拉第偏置部分（22）并从环路回路组件（28）接收控制信号。 法拉第偏压部分（22）与低功率法拉第部分（24）的低功率偏置环（24B）连接。 低功率偏置环（24B）与盘偏置环（26B）连接。 盘法拉第（26）由盘偏置环（26B）和法拉第杯（24A）形成。 盘偏置环（26B）与回路组件（28）连接，用于向电压供应接口部分（20）输出控制信号和电阻（R1）。 继电器（30）与报警部（32）连接。

公开(公告)号：KR100156323B1

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：KR1019950040542

申请日：1995-11-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤수한 ,  신동진 ,  윤재임 ,  정광필

IPC: H01L21/265

Abstract: 고에너지를 얻기 위하여 이온빔의 전하형태를 전환시킬 수 있는 전하교환셀을 구비하는 반도체소자 제조용 이온주입장치가 개시되어 있다.
본 발명은, 내부에 전하교환물질을 일정 높이까지 수용할 수 있는 챔버의 측벽에 형성된 입사구를 통하여 이온빔이 상기 전하교환물질과 충돌한 후 다른 도전형의 이온빔으로 교환되어 상기 챔버의 반대 측벽에 형성된 배출구를 통하여 배출되는 전하교환 셀을 구비하는 반도체소자 제조용 이온주입장치에 있어서, 상기 전하교환 셀의 어셈블리가 상기 챔버의 측벽에서 분해 및 조립이 가능하도록 상기 챔버의 측벽에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
따라서, 챔버의 측면에서 어셈블리의 분해 및 조립이 가능하므로 작업성 및 안전성이 향상되며, 히터의 효율화로 PM 주기가 연장되어 가동율 향상의 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020040039009A

公开(公告)日：2004-05-10

申请号：KR1020020066624

申请日：2002-10-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임태섭 ,  채승원 ,  윤재임

IPC: H01L21/265

Abstract: PURPOSE: An ion implanting apparatus and an ion implanting method using the same are provided to check the spin state of a motor. CONSTITUTION: An ion implanting apparatus is provided with a motor(106) for rotating a semiconductor substrate(102), an encoder(108) for detecting whether the motor rotates, or not, per a predetermined interval and generating a resultant signal, a decoder(112) for reading the resultant signal generated from the encoder and the first control part(114) for generating an operation failure signal when the motor doesn't work. Preferably, the ion implanting apparatus further includes the second control part(116) for controlling the signal generation of the first control part.

Abstract translation: 目的：提供离子注入装置和使用其的离子注入方法来检查电动机的自旋状态。 构成：离子注入装置设置有用于旋转半导体衬底（102）的电机（106），用于检测电机是否旋转的编码器（108），并且产生结果信号，解码器 （112），用于读取从编码器产生的合成信号和第一控制部分（114），用于当电动机不工作时产生操作失败信号。 优选地，离子注入装置还包括用于控制第一控制部分的信号产生的第二控制部分（116）。

公开(公告)号：KR1020040011994A

公开(公告)日：2004-02-11

申请号：KR1020020045331

申请日：2002-07-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤재임 ,  임태섭 ,  박장주 ,  이정호

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: A wafer centering method of a semiconductor fabricating apparatus using a jig wafer is provided to reduce variation of an interval of wafer centering time of each semiconductor fabricating apparatus and absolutely decrease the interval of the wafer centering time by aligning the jig wafer with a pedestal by one wafer alignment process. CONSTITUTION: The jig wafer is loaded into a position over the pedestal by using a handler of a cassette(S1). The variation distance between the centers of the jig wafer and the pedestal is measured(S2). The centers of the jig wafer and the pedestal are aligned according to the variation distance(S3).

Abstract translation: 目的：提供使用夹具晶片的半导体制造装置的晶片定心方法，以减少每个半导体制造装置的晶片定心时间的变化，并通过将夹具晶片与基座对准来绝对地减小晶片定心时间的间隔 通过一个晶片对准过程。 构成：通过使用盒式磁带的处理器将夹具晶片装载到基座上方的位置（S1）。 测量夹具晶片和基座的中心之间的变化距离（S2）。 夹具晶片和基座的中心根据变化距离对准（S3）。

公开(公告)号：KR1020030082823A

公开(公告)日：2003-10-23

申请号：KR1020020021319

申请日：2002-04-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 금경수 ,  홍형식 ,  윤재임 ,  박충훈 ,  황완구

IPC: H01L21/26

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/3045 ,  H01J2237/30472

Abstract: PURPOSE: A method for measuring an angle of inclination of an ion beam is provided to precisely control the quantity of ions implanted into a wafer by efficiently preventing a channeling effect and a shadow effect in an ion implantation process and by accurately measuring the quantity of ions included in the ion beam. CONSTITUTION: The ion beam(12) supplied from an ion supply source(10) is received. The variation of ion current of the ion beam is measured while varying the angle of the received ion beam. The slope angle of the ion beam is calculated from the variation of the ion current.

Abstract translation: 目的：提供一种用于测量离子束倾斜角的方法，通过有效地防止离子注入工艺中的沟道效应和阴影效应，并通过精确测量离子量来精确控制植入晶片的离子量 包括在离子束中。 构成：接收从离子供给源（10）供给的离子束（12）。 在改变接收离子束的角度的同时测量离子束的离子电流的变化。 根据离子电流的变化计算离子束的倾斜角。