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1.发明专利
公开(公告)号：KR20210028794A
公开(公告)日：2021-03-15
申请号：KR1020190109588A
申请日：2019-09-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G05B13/042 , G05B13/048 , G05B13/00 , G05B17/02 , G06F1/3206 , G06F1/324 , G06F1/3296 , G06Q10/06 , H04L1/203
Abstract: 반도체 장치 및 반도체 장치의 자원 사용 예측 방법이 제공된다. 반도체 장치는, 자원 사용 정보를 제공하는 프로세싱 장치, 및 자원 사용 정보를 바탕으로 자원 사용 예측 정보를 생성하고, 프로세싱 장치의 동작에 자원 사용 예측 정보가 이용되도록 자원 사용 예측 정보를 프로세싱 장치에 제공하는 예측 정보 생성 장치를 포함하되, 예측 정보 생성 장치는, 자원 사용 정보에 포함된 사용값과 자원 사용 예측 정보에 포함된 예측값을 수신하여, 사용값과 예측값 사이의 오차값을 계산하는 오차 계산기와, 오차 계산기로부터 오차값을 수신하여, 마진값을 계산하는 마진값 계산기와, 사용값을 통해 앵커값(anchor value)을 계산하는 앵커값 계산기와, 앵커값과 마진값을 이용하여 예측 상수를 계산하여 예측값을 출력하는 예측기를 포함한다.
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2.发明专利
公开(公告)号：KR20210032213A
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：KR1020190113697A
申请日：2019-09-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F1/3296 , G06F1/3206 , G06F1/324 , G06F9/4893
Abstract: 동적 전압 주파수 스케일링(Dynamic Voltage Frequency Scaling; DVFS) 수행 방법은, 프로세서의 동작을 위한 동작 클록 신호의 복수의 가용 주파수들에 상응하는 복수의 전력 레벨들을 설정하는 단계, 상기 복수의 가용 주파수들에 각각 상응하는 복수의 전력 스텝들을 설정하는 단계 및 상기 프로세서의 사용률(utilization) 및 상기 복수의 전력 스텝들에 기초하여 상기 복수의 전력 레벨들 사이의 전환을 제어하는 단계를 포함한다. 전력 스텝에 기초하여 효율적으로 전력 레벨을 전환함으로써 프로세서의 성능 및 소모 전력을 효율적으로 제어할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020040093534A
公开(公告)日：2004-11-06
申请号：KR1020030027436
申请日：2003-04-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A process gas supply apparatus of CVD(Chemical Vapor Deposition) equipment using high density plasma is provided to distribute uniformly process gas on the upper surface of a wafer by improving the structure of a supply nozzle. CONSTITUTION: A process gas supply apparatus includes a plurality of supply nozzles. The supply nozzle for spraying process gas to the center of a wafer includes a body part and a curve part. The body part(24a) is formed into a pipe shape. The curve part(24b) is prolonged from an end of the body part. The angle between the curve part and a length direction of the body part is in the range of 30 to 80 degrees.
Abstract translation: 目的：提供使用高密度等离子体的CVD（化学气相沉积）设备的工艺气体供应装置，通过改进供应喷嘴的结构来均匀地分布在晶片的上表面上的工艺气体。 构成：工艺气体供给装置包括多个供给喷嘴。 用于将处理气体喷射到晶片中心的供应喷嘴包括主体部分和曲线部分。 主体部（24a）形成为管状。 弯曲部分（24b）从主体部分的端部延伸。 曲线部分与身体部位的长度方向之间的角度在30至80度的范围内。
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公开(公告)号：KR1020040043026A
公开(公告)日：2004-05-22
申请号：KR1020020071018
申请日：2002-11-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
Abstract: PURPOSE: A lifting apparatus is provided to be capable of restraining the generation of a popping phenomenon and stably loading and unloading a semiconductor substrate. CONSTITUTION: A lifting apparatus includes a socket(110) connected to the lower portion of the first hole. At this time, the socket has the second hole having the same pivot as the first hole. The lifting apparatus further includes a bellows(120) connected with the lower portion of the socket and a lift pin(130). The lift pin includes a load integrated along the pivot of the second hole and bellows for loading and unloading a process object part by the motion of the bellows, and a head formed at the upper portion of the load for supporting the process object part. A path is formed between the second hole and the lift pin for exhausting the gas of the bellows while the bellows is shrunk. Preferably, a groove and the third hole are used as the path.
Abstract translation: 目的：提供一种能够抑制产生爆裂现象并稳定地加载和卸载半导体衬底的提升装置。 构成：提升装置包括连接到第一孔的下部的插座（110）。 此时，插座具有与第一孔相同的枢轴的第二孔。 提升装置还包括与插座的下部连接的波纹管（120）和升降销（130）。 提升销包括沿着第二孔和波纹管的枢轴一体化的负载，用于通过波纹管的运动装载和卸载处理对象部分，以及形成在用于支撑处理对象部分的负载的上部的头部。 在波纹管收缩时，在第二孔和提升销之间形成有用于排出波纹管的气体的路径。 优选地，使用槽和第三孔作为路径。
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公开(公告)号：KR1020050109305A
公开(公告)日：2005-11-21
申请号：KR1020040033906
申请日：2004-05-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G05B19/418
CPC classification number: G05B19/4184 , G05B2219/31357 , G05B2219/45031 , Y02P90/14
Abstract: 본 발명은 공정장비의 상태를 모니터링하기 위한 시스템 및 방법에 관한 것으로, 본 발명의 목적은 공정장비의 오류를 정확하게 감지할 수 있는 공정장비의 상태를 모니터링하기 위한 시스템 및 방법을 제공함에 있다.
이를 위해 본 발명은 장비에 관한 데이터를 기초로 생성된 적어도 하나의 우량모델을 저장하는 제1모델저장부, 상기 데이터를 기초로 생성된 적어도 하나의 불량모델을 저장하는 제2모델저장부, 상기 장비로부터 설비데이터를 전송받고, 상기 설비데이터에 연계하여 상기 우량모델 및 불량모델 중에서 각각 하나의 우량모델과 불량모델을 선택하는 모델선택부, 상기 장비로부터 공정데이터를 전송받고, 상기 모델선택부에서 선택된 우량모델 및 불량모델과 상기 공정데이터를 비교하여 상기 장비의 상태를 평가하는 오류감지부를 포함한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040031386A
公开(公告)日：2004-04-13
申请号：KR1020020060810
申请日：2002-10-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: An apparatus for forming a film on a semiconductor substrate is provided to be capable of preventing air from flowing into a chamber through an exposed groove of a susceptor. CONSTITUTION: An apparatus is provided with a chamber(200), a plurality of heaters(204a,204b) installed in the chamber for heating a substrate, and a susceptor(202) installed on the heater for supporting the substrate. At this time, the susceptor has a groove at its lateral portion. The apparatus further includes a protecting line(238) prolonged from the groove to the outside, a thermocouple(230), and an encapsulating part(240) for preventing the inflow of air. Preferably, the encapsulating part is formed between a sheath and the protecting line. Preferably, the encapsulating part is made of Ag or Pb.
Abstract translation: 目的：提供一种用于在半导体基板上形成膜的装置，以能够防止空气通过基座的暴露槽流入室。 构成：装置设置有室（200），安装在用于加热基板的室中的多个加热器（204a，204b）和安装在加热器上用于支撑基板的基座（202）。 此时，基座在其侧部具有凹槽。 该装置还包括从槽延伸到外部的保护线（238），热电偶（230）和用于防止空气流入的封装部分（240）。 优选地，封装部分形成在护套和保护线之间。 优选地，封装部分由Ag或Pb制成。
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公开(公告)号：KR1020030082823A
公开(公告)日：2003-10-23
申请号：KR1020020021319
申请日：2002-04-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/26
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/3045 , H01J2237/30472
Abstract: PURPOSE: A method for measuring an angle of inclination of an ion beam is provided to precisely control the quantity of ions implanted into a wafer by efficiently preventing a channeling effect and a shadow effect in an ion implantation process and by accurately measuring the quantity of ions included in the ion beam. CONSTITUTION: The ion beam(12) supplied from an ion supply source(10) is received. The variation of ion current of the ion beam is measured while varying the angle of the received ion beam. The slope angle of the ion beam is calculated from the variation of the ion current.
Abstract translation: 目的：提供一种用于测量离子束倾斜角的方法，通过有效地防止离子注入工艺中的沟道效应和阴影效应，并通过精确测量离子量来精确控制植入晶片的离子量 包括在离子束中。 构成：接收从离子供给源（10）供给的离子束（12）。 在改变接收离子束的角度的同时测量离子束的离子电流的变化。 根据离子电流的变化计算离子束的倾斜角。
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公开(公告)号：KR1020030044199A
公开(公告)日：2003-06-09
申请号：KR1020010074866
申请日：2001-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: Radio frequency(RF) applying equipment for fabricating a semiconductor device is provided to reduce process defects caused by particles by eliminating the particles in a shower head of a process chamber and the particles generated in a portion adjacent to a process plasma formation space. CONSTITUTION: The process chamber(1) is isolated from the outer space by using a wall(11). A gas supply apparatus supplies gas to the inside of the process chamber. A wafer is placed on a susceptor(13) installed in the wall. An electrode is installed in a position over the susceptor so that gas plasma is formed between the susceptor and the electrode, connected to an outer RF power source. A remote plasma supplying apparatus is installed to supply cleaning gas plasma to a portion over the plasma formation space in the process chamber.
Abstract translation: 目的：提供用于制造半导体器件的射频（RF）施加设备，以通过消除处理室的淋浴头中的颗粒和在与处理等离子体形成空间相邻的部分中产生的颗粒来减少由颗粒引起的工艺缺陷。 构成：处理室（1）通过使用墙壁（11）与外部空间隔离。 气体供给装置向处理室的内部供给气体。 将晶片放置在安装在墙壁上的基座（13）上。 将电极安装在基座上方的位置，使得在基座和电极之间形成气体等离子体，连接到外部RF电源。 安装远程等离子体供给装置，以将处理室中的等离子体形成空间上的部分提供清洁气体等离子体。
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公开(公告)号：KR1020090001148A
公开(公告)日：2009-01-08
申请号：KR1020070065309
申请日：2007-06-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A virtual measuring system and a virtual measurement method are provided to reduce the manufacturing cost by predicting the measuring information about all wafers for the manufacturing process in a real time basis. A virtual measuring system comprises a model generating part(A), and a virtual measurement and reliability estimating unit(B). The model generating part produces the virtual measurement model by using the sensor data of the process equipment and the metrology of the instrumentation in order to produce the reliability model corresponding to the virtual measurement model. The virtual measurement and reliability estimating unit predicts the metrology by substituting the sensor data for the virtual measurement model and estimates the reliability of the metrology. The model generating part includes an input data editor(10), a data pre-processor(20), a statistic value data base(30), a measuring information database(40), an algorithm library(60), and an automatic model generating(80).
Abstract translation: 提供了一种虚拟测量系统和虚拟测量方法，通过预测制造过程中的所有晶片的测量信息来实时降低制造成本。 虚拟测量系统包括模型生成部分（A）和虚拟测量和可靠性估计单元（B）。 模型生成部分通过使用过程设备的传感器数据和仪器的度量来生成虚拟测量模型，以便产生与虚拟测量模型相对应的可靠性模型。 虚拟测量和可靠性估计单元通过将传感器数据替换为虚拟测量模型来预测测量，并估计测量的可靠性。 模型生成部分包括输入数据编辑器（10），数据预处理器（20），统计值数据库（30），测量信息数据库（40），算法库（60）和自动模型 生成（80）。
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公开(公告)号：KR1020060035316A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：KR1020040084757
申请日：2004-10-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G05F1/08
CPC classification number: G01L27/005 , G01L27/007
Abstract: 본 발명은 센서 데이터의 보정방법 및 인터락 시스템의 인터락 평가방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 센서 데이터의 보정방법은 소정의 드리프트 상한치 및 드리프트 하한치를 설정하는 단계와; 기준 모델에 대한 기준 패턴 정보를 생성하는 단계와; 상기 센서 데이터에 대한 센서 패턴 정보를 생성하는 단계와; 상기 센서 패턴 정보가 상기 드리프트 상한치 및 상기 드리프트 하한치를 만족하는지 여부를 판정하는 단계와; 상기 센서 패턴 정보가 상기 드리프트 상한치 및 상기 드리프트 하한치를 만족하는 경우, 상기 기준 패턴 정보 및 상기 센서 패턴 정보에 기초하여 드리프트 오프셋을 산출하는 단계와; 산출된 상기 드리프트 오프셋에 기초하여 상기 센서 데이터를 보정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 통계적인 드리프트 보정 알고리즘을 통해 동종 설비에 대한 인터락 설정 및 관리를 단순화하고, 웨이퍼 간의 허용 변동량의 크기를 최소화시킴으로서 불량 웨이퍼에 대한 검정력을 증가시킬 수 있고, 이를 통하여 설비의 이상 유무를 보다 정확하게 판정할 수 있다.
Abstract translation: 校正传感器数据的方法和互锁系统的互锁评估方法。 根据本发明的校正传感器数据的方法包括：设定预定漂移上限和下限漂移极限; 为参考模型生成参考模式信息; 为传感器数据生成传感器模式信息; 确定传感器模式信息是否满足漂移上限值和下限漂移下限值; 当传感器图案信息满足漂移上限值和所述漂移的下限值，并且计算的参考图案信息和图案信息传感器的基础上，偏移漂移的步骤; 并根据计算出的漂移偏移校正传感器数据。 其结果是，统计通过所述漂移补偿算法，可以简化联锁设定和同类型设备的管理，并提高了测试的功率为sikimeuroseo缺陷晶片，以尽量减少晶片之间的允许变化量，错误的设施中的存在的规模，通过该 它可以更准确地确定。
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