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公开(公告)号：KR20210029538A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：KR1020190110905A
申请日：2019-09-06
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 무선 통신 보드는 통신 기판; 상기 통신 기판에 설치되는 무선 통신부; 상기 통신 기판에 설치되며, 상기 무선 통신부에 전원을 공급하는 전원부; 상기 무선 통신부 및 상기 전원부와 연결되며, 메인 보드에 표면실장기술로 설치될 수 있는 표면실장용 패드부; 및 상기 무선 통신부 및 상기 전원부와 연결되며, 상기 메인 보드와 와이어로 연결되는 와이어 연결부;를 포함하며, 상기 메인 보드는 상기 전자기기의 작동을 제어하는 메인 프로세서를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2021045506A1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：PCT/KR2020/011789
申请日：2020-09-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 무선 통신 보드는, 통신 기판; 상기 통신 기판에 설치되는 무선 통신부; 상기 통신 기판에 설치되며, 상기 무선 통신부에 전원을 공급하는 전원부; 상기 무선 통신부 및 상기 전원부와 연결되며, 메인 보드에 표면실장기술로 설치될 수 있는 표면실장용 패드부; 및 상기 무선 통신부 및 상기 전원부와 연결되며, 상기 메인 보드와 와이어로 연결되는 와이어 연결부;를 포함하며, 상기 메인 보드는 상기 전자기기의 작동을 제어하는 메인 프로세서를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020040010887A
公开(公告)日：2004-02-05
申请号：KR1020020043919
申请日：2002-07-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이재찬
IPC: B01D53/02
CPC classification number: B01D53/75 , B01D46/0035 , B01D47/063 , B01D53/005 , B01D53/78 , B01D2258/0216
Abstract: PURPOSE: A gas purification apparatus is provided, which effectively purifies unreacted flue gas exhausted in the manufacturing process of semiconductor equipment and minimizes particles accumulated on an inner part of discharge line of the gas purification apparatus. CONSTITUTION: The gas purification apparatus comprises a burning chamber(50) for burning and pyrolyzing unreacted flue gas; a wet type chamber(60) which is connected to the burning chamber, and in which a cleaning solution is contained to adsorb and contain the particles by receiving particles produced in the burning chamber; a gas exhaust line(80) which is tilted to a certain angle with being branched off from particle discharge line(70) for connecting the burning chamber and wet type chamber and exhausts combustion gas produced in the burning chamber; and a particle removal part(90) which is connected to the gas exhaust line, removes the particles contained in the combustion gas produced in the burning chamber and flows particles of the combustion gas in the wet type chamber, wherein the gas exhaust line is tilted to an angle of 5 to 85 degrees, wherein cleaning solution injection parts are installed inside the gas exhaust line to prevent particle accumulation, and wherein the particle removal part comprises a plurality of cleaning solution injection parts for removing the particles by adsorbing particles contained in the combustion gas.
Abstract translation: 目的：提供一种气体净化装置，其有效地净化在半导体设备的制造过程中排出的未反应的烟道气并使在气体净化装置的排出管线的内部积聚的颗粒最小化。 构成：气体净化装置包括用于燃烧和热解未反应的烟道气的燃烧室（50） 连接到燃烧室的湿式室（60），其中容纳清洁溶液以通过接收在燃烧室中产生的颗粒来吸附和容纳颗粒; 排气管线（80），其从用于连接燃烧室和湿式室的颗粒排放管线（70）分支而倾斜一定角度并排出在燃烧室中产生的燃烧气体; 和与排气管连接的颗粒除去部（90），去除在燃烧室内产生的燃烧气体中所含的粒子，并使湿式室内的燃烧气体的粒子流动，其中排气管线倾斜 至5度至85度的角度，其中清洗溶液注入部分安装在排气管内，以防止颗粒堆积，并且其中颗粒去除部分包括多个清洁溶液注入部分，用于通过吸附颗粒中所含的颗粒来除去颗粒 燃烧气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100007010A
公开(公告)日：2010-01-22
申请号：KR1020080067409
申请日：2008-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L23/4093 , H01L23/3672 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A heat sink, a manufacturing method thereof, and a memory module with the same are provided to prevent damage to the memory module by performing a buffer function on elastic plates. CONSTITUTION: A heat sink(140) includes a base plate(142) and a plurality of elastic plates(144). The base plate is fixed on a heating element. One ends of the elastic plates are connected to the base plate. The elastic plates are bent in zigzags. The elastic plates have elasticity and discharge the heat to the outside. The heat is transmitted from the heating element to the base plate.
Abstract translation: 目的：提供散热器及其制造方法和具有该散热器的存储模块，以通过在弹性板上执行缓冲功能来防止对存储器模块的损坏。 构成：散热器（140）包括基板（142）和多个弹性板（144）。 基板固定在加热元件上。 弹性板的一端连接到基板。 弹性板以锯齿形弯曲。 弹性板具有弹性并将热量排出到外部。 热量从加热元件传递到底板。
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公开(公告)号：KR1020040092042A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：KR1020030025857
申请日：2003-04-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이재찬
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: Semiconductor manufacturing equipment is provided to adjust easily and exactly the level of a heater block by using a heater block leveling unit. CONSTITUTION: Semiconductor manufacturing equipment includes a process chamber(130), a shower head(165), a bottom plate(136), a heater block, a spindle fork, a support member and a heater block leveling unit. The heater block(132) is installed on the bottom plate to heat a wafer at a predetermined temperature. The spindle fork(134) is installed on the heater block to load stably the wafer. The support member(140) is installed between the bottom plate and the heater block. The heater block leveling unit(141) is installed beneath the support member to adjust the level of the heater block. The support member includes the first to third members(137,138,139). The heater block leveling unit is installed beneath one selected from the first to third members.
Abstract translation: 目的：提供半导体制造设备，通过使用加热器块调平单元来容易地和准确地调节加热器块的水平。 构成：半导体制造设备包括处理室（130），淋浴头（165），底板（136），加热器块，主轴叉，支撑构件和加热器块调平单元。 加热器块（132）安装在底板上以在预定温度下加热晶片。 主轴叉（134）安装在加热器块上以稳定地加载晶片。 支撑构件（140）安装在底板和加热块之间。 加热器块调平单元（141）安装在支撑构件下方以调节加热器块的水平。 支撑构件包括第一至第三构件（137,138,139）。 加热器调平单元安装在从第一至第三构件中选择的一个之下。
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公开(公告)号：KR1020170033603A
公开(公告)日：2017-03-27
申请号：KR1020150131536
申请日：2015-09-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/053 , H01L23/31
CPC classification number: H01L24/17 , H01L21/563 , H01L23/13 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83102 , H01L2224/83385 , H01L2224/92125 , H01L2924/014 , H01L2924/0665
Abstract: 본발명의기술적사상에의한반도체패키지는, 상면에홈이형성된기판; 및상기기판상에실장된반도체장치;를포함하고, 상기홈은상기반도체장치에의해상면이가려진제1 영역과상면이노출되는제2 영역이연통되는형상일수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的一个方面，提供了一种半导体封装，包括：衬底，具有形成在其上表面上的沟槽; 和安装在基板上的半导体器件，并且包括，凹槽的形状是一个第二区域，其中暴露的顶表面是通过在通信的半导体器件的所述第一区域覆盖所述上表面的天数。
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公开(公告)号：KR1020060039295A
公开(公告)日：2006-05-08
申请号：KR1020040088432
申请日：2004-11-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이재찬
IPC: H01L21/205 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6831 , C23C16/513
Abstract: 본 발명은 반도체 제조 장치의 웨이퍼 척킹 어셈블리를 개시한다. 개시된 본 발명은, 척과 칼라를 구비한 웨이퍼 척킹 어셈블리에 있어서, 상기 칼라는 적어도 2개의 부재로 분리될 수 있는 분리형 칼라인 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 칼라를 종전의 일체형에서 분리형으로 변경함으로써 칼라의 파손을 완화시키거나 또는 웨이퍼 파손을 완화시킬 수 있게 된다. 게다가, 칼라의 분리가 용이해지므로 칼라의 파손에 따른 웨이퍼 이동의 흐름을 방해하여 웨이퍼가 미끄러지는 현상을 개선시킬 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100500446B1
公开(公告)日：2005-07-12
申请号：KR1020030025857
申请日：2003-04-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이재찬
IPC: H01L21/205
Abstract: 반도체 제조설비를 제공한다. 이 반도체 제조설비는 소정 프로세스가 진행되도록 밀폐된 공간이 구비되는 프로세스 챔버와, 프로세스 챔버 내부로 반응가스를 공급해주는 샤워헤드와, 프로세스 챔버의 바닥면에 설치되는 바텀플레이트와, 바텀플레이트의 상측에 설치되며 웨이퍼를 소정온도로 가열해주는 히터블럭과, 웨이퍼가 안착되도록 히터블럭의 상면에 설치되며 웨이퍼를 공정단계에 따라 소정각도씩 회전시켜주는 스핀들 포크와, 바텀플레이트와 히터블럭 사이에 개재되며 히터블럭과 바텀플레이트를 절연시켜주고 히터블럭을 지지해주는 적어도 3개이상의 지지부재 및, 지지부재의 하측에 설치되며 히터블럭의 레벨을 조정해주는 히터블럭 레벨링유닛을 포함한다.
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