公开(公告)号：KR1020080058860A

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：KR1020060133028

申请日：2006-12-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤일영 ,  추재욱 ,  정남진 ,  김동훈 ,  이한우 ,  김규남

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B37/26 ,  B24B37/044 ,  B24B37/245 ,  C09G1/00 ,  C09G1/04 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76224

Abstract: A chemical mechanical polishing method and a method of fabricating a semiconductor device using the same are provided to reduce surface energy of an activation solution by adding a surface active agent. A CMP(Chemical Mechanical Polishing) device including a polishing pad and a polishing head is provided(S1). A polishing target loading process is performed to load a polishing target into a polishing head(S2). A polishing activation solution supply process is performed to supply a polishing activation solution including a surface active agent on a polishing pad(S3). A compressing process is performed to compress the polishing target by using a polishing pad(S4). The polishing target and the polishing pad are rotated relatively to each other.

Abstract translation: 提供化学机械抛光方法和制造使用其的半导体器件的方法，以通过添加表面活性剂来降低活化溶液的表面能。 提供了包括抛光垫和抛光头的CMP（化学机械抛光）装置（S1）。 执行抛光对象加载处理以将抛光对象加载到抛光头（S2）中。 进行抛光活化溶液供给处理，以在抛光垫上提供包含表面活性剂的抛光活化溶液（S3）。 执行压缩处理以通过使用抛光垫来压缩抛光对象（S4）。 抛光对象和抛光垫相对旋转。

公开(公告)号：KR1019990027989A

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019970050528

申请日：1997-09-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이한우 ,  이상진

IPC: B24B55/00

Abstract: 본 발명은 화학적 기계적 연마 장치의 세정액 공급 장치에 관한 것으로, 세정 장치로 세정액을 공급하는 세정액 공급 장치에 있어서, 릴리프 밸브가 개폐되는 과정에서 발생되는 세정액의 헌팅 현상에 따른 밸브와, 연결관 및 배수관의 손상을 억제하기 위하여, 입수관과 연결관을 연결하며, 중간 밸브가 설치되는 제 1 연결 구멍에 근접한 부분에 연결관과 연결된 제 3 연결 구멍을 설치한 것을 특징으로 하는 세정액 공급 장치를 제공한다. 특히, 본 발명의 세정액 공급 장치의 중간 밸브는 배압 밸브(Back Pressure Valve)인 것을 특징으로 한다. 즉, 제 1 연결 구멍에 설치된 중간 밸브를 개방하는 과정에서 세정액이 제 1 연결 구멍 및 제 3 연결 구멍을 통하여 유입되며, 제 3 연결 구멍으로 유입된 세정액은 피스톤 상부에 유압을 작용하게 되고, 제 1 연결 구멍으로 유입된 세정액은 피스톤 하부에 유압을 작용하게 된다. 여기서, 피스톤 상하부에 작용하는 유압은 세정액의 유속에 비례하기 때문에 세정액의 유속을 증가시키면 피스톤은 상승하여 제 1 연결 구멍이 개방되고, 유속을 감소시키면 피스톤은 원래의 위치로 복원되어 제 1 연결 구멍을 막게된다. 따라서, 피스톤은 상하부의 유압에 의해서 천천히 제 1 연결 구멍을 개폐하게 된다.

公开(公告)号：KR1020080063941A

公开(公告)日：2008-07-08

申请号：KR1020070000573

申请日：2007-01-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김규남 ,  이한우

IPC: B24B37/04 ,  B24B49/02 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/042 ,  B24B37/005 ,  B24B49/02

Abstract: A CMP equipment and a method of polishing an interlayer dielectric layer of a wafer using the same are provided to drive a plurality of polishing units in the same driving time by compensating for the driving time according to the thickness of the interlayer dielectric layer. A CMP equipment comprises a wafer carrier(100), a wafer transfer device, a plurality of polishing units(200) and a controller(400). A wafer(W) having an interlayer dielectric layer is loaded on the wafer carrier. The water transfer device sequentially transfers wafers to a predetermined location. The polishing units sequentially polish the interlayer dielectric layer formed on the wafer. The controller controls the driving time for the polishing units. Each polishing unit includes a platen(210) and a motor(211) connected to a lower portion of the platen.

Abstract translation: 提供CMP设备和使用其制造晶片的层间电介质层的方法，以通过根据层间电介质层的厚度补偿驱动时间来驱动多个抛光单元在相同的驱动时间内。 CMP设备包括晶片载体（100），晶片传送装置，多个抛光单元（200）和控制器（400）。 具有层间电介质层的晶片（W）被装载在晶片载体上。 水输送装置顺序地将晶片转移到预定位置。 抛光单元顺序抛光形成在晶片上的层间电介质层。 控制器控制抛光单元的驱动时间。 每个抛光单元包括压板（210）和连接到压板的下部的电动机（211）。

公开(公告)号：KR1020080096929A

公开(公告)日：2008-11-04

申请号：KR1020070041849

申请日：2007-04-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김규남 ,  이한우 ,  김진용

IPC: H01L21/304 ,  B24B55/00

Abstract: A chemical mechanical polishing apparatus and a method for conditioning a polishing pad can increase conditioning efficiency by decreasing the diamond abrasion and improving the rough of the grinding pad. The chemical mechanical polishing apparatus(100) and a grinding pad(120) conditioning method includes the step of rotating the grinding pad with the axis of rotation(130) of the table(110) and contacting the substrate to the grinding pad while rotating the polishing head(140) which absorbs and fixes the wafer(W), and polishing the wafer; the step of supplying the slurry on the grinding pad in the slurry arm; the step of performing the conditioning to 1 cycle unit while the polishing pad conditioner(170) sweeps to from side to side, and repetitively performing to stop for a moment set up in advance for hour conditioning; the step of determining whether it performed the conditioning as the cycle number set up in advance or not, and in case of the conditioning set up in advance is not performed, performing the conditioning as scheduled, and terminating the conditioning it performed the conditioning as the cycle number set up in advance.

Abstract translation: 化学机械抛光装置和抛光垫的调理方法可以通过减少金刚石磨损和改善磨垫的粗糙度来提高调节效率。 化学机械抛光装置（100）和研磨垫（120）调理方法包括以下步骤：使研磨垫与工作台（110）的旋转轴线（130）旋转，并将基板与研磨垫接触，同时旋转 抛光头（140），其吸收并固定晶片（W），并抛光晶片; 将浆料供给到浆料臂中的研磨垫上的步骤; 在抛光垫调节器（170）从一侧到另一侧扫掠并且重复执行停止一段时间以进行小时调节的步骤; 确定是否执行调节作为预先设定的循环次数的步骤，以及在不进行预先设定的情况下进行调节的步骤，按计划执行调节，并且终止其调理作为 循环次数提前设定。