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    자기 소자의 제조 방법
    2.
    发明公开
    자기 소자의 제조 방법 审中-实审
    制造磁性装置的方法

    公开(公告)号：KR1020160011069A

    公开(公告)日：2016-01-29

    申请号：KR1020140092080

    申请日：2014-07-21

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김기웅 ,  이준명 ,  임우창 ,  김상용

    IPC: H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/31

    CPC classification number: H01L43/12 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/5806 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

    Abstract: 자기소자의제조방법은자성층을형성하는단계와, Ar 보다원자량이큰 비활성가스인제1 가스를사용하여자성층상에하부절연층을형성하는단계와, Ar 가스를사용하여하부절연층상에상부절연층을형성하는단계를포함한다.

    Abstract translation: 磁体装置的制造方法技术领域本发明涉及磁性装置的制造方法。 该方法包括以下步骤：形成磁性层; 通过使用具有比氩（Ar）更高的原子量的惰性气体的第一气体，在磁性层上形成下部绝缘层; 并通过使用Ar在下绝缘层上形成上绝缘层。 因此，磁性器件的制造方法可以防止在磁性器件中形成绝缘层的过程中引起的磁性劣化，并且保持可靠性。

    외인성 수직 자화 구조를 구비하는 자기 메모리 장치 및 그 제조 방법
    3.
    发明公开
    외인성 수직 자화 구조를 구비하는 자기 메모리 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
    具有极高性能磁化结构的磁记忆体装置及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020120106522A

    公开(公告)日：2012-09-26

    申请号：KR1020110074500

    申请日：2011-07-27

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 박정헌 ,  오세충 ,  이장은 ,  김우진 ,  박상환 ,  임우창

    IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L43/00

    CPC classification number: G11C11/15 ,  H01L27/222 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  Y10S977/935

    Abstract: PURPOSE: A magnetic memory device and a manufacturing method thereof are provided to increase thermal stability by comprises a perpendicular magnetization preserving layer with material in which oxygen affinity is low. CONSTITUTION: A magnetic tunnel junction comprises a tunnel barrier and an extrinsic perpendicular magnetization structure. The extrinsic perpendicular magnetization structure comprises a perpendicular magnetization preserving layer(PMP) and a perpendicular magnetization inducing layer(PMI). The perpendicular magnetization inducing layer is formed between the perpendicular magnetization preserving layer and the tunnel barrier. The perpendicular magnetization preserving layer is comprised of material having oxygen affinity smaller than metal comprising the perpendicular magnetization inducing layer.

    Abstract translation: 目的：提供磁存储器件及其制造方法以通过包括垂直磁化保存层与氧亲和力低的材料来增加热稳定性。 构成：磁隧道结包括隧道势垒和外在垂直磁化结构。 外在垂直磁化结构包括垂直磁化维持层（PMP）和垂直磁化诱导层（PMI）。 在垂直磁化保持层和隧道势垒之间形成垂直磁化诱导层。 垂直磁化保护层由具有小于包含垂直磁化诱导层的金属的氧亲和性的材料构成。

    자기 메모리 소자
    4.
    发明公开
    자기 메모리 소자 有权
    磁记忆装置

    公开(公告)号：KR1020110136560A

    公开(公告)日：2011-12-21

    申请号：KR1020100056651

    申请日：2010-06-15

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김우진 ,  오세충 ,  이장은 ,  이제형 ,  정준호 ,  임우창

    IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01F10/12 ,  H01F10/32 ,  H01F41/30 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00

    CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/307 ,  H01L43/10

    Abstract: PURPOSE: A magnetic memory device is provided to reduce threshold current density while maintaining thermal stability of the magnetic memory device. CONSTITUTION: A standard magnetic layer(120) is arranged on a substrate(100). A tunnel barrier layer(130) is arranged on the standard magnetic layer. A horizontal freedom layer(140) is arranged on the tunnel barrier layer. An upper electrode is arranged on the horizontal freedom layer. A magnetization inversion auxiliary layer(160) is arranged between the tunnel barrier layer and upper electrode.

    Abstract translation: 目的：提供磁存储器件以降低阈值电流密度，同时保持磁存储器件的热稳定性。 构成：在基板（100）上布置标准磁性层（120）。 隧道势垒层（130）布置在标准磁性层上。 在隧道势垒层上布置水平自由层（140）。 上电极布置在水平自由层上。 磁化反转辅助层（160）布置在隧道势垒层和上电极之间。

    반도체소자의 제조방법
    5.
    发明公开
    반도체소자의 제조방법 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：KR1020110088984A

    公开(公告)日：2011-08-04

    申请号：KR1020100008756

    申请日：2010-01-29

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 정준호 ,  이장은 ,  오세충 ,  최석헌 ,  이제형 ,  김우진 ,  임우창

    IPC: H01L27/115 ,  H01L21/308 ,  H01L21/8247

    CPC classification number: H01L21/28 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28141 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31051 ,  H01L45/04 ,  Y10S977/935

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a semiconductor device is provided to offer oxide mask having no deformity including seam etc by oxidizing a metal layer of the lower part. CONSTITUTION: An under-layer(25) is formed on the top of a substrate. A sacrificing layer is formed on the under-layer. An opening(30a) which exposes a fixed region of the under-layer is formed by patterning the sacrificing layer. A mask layer(35) is formed in the opening. An oxide mask(40) is formed by oxidizing the entire or partial mask layer. An under-layer pattern is formed by eliminating the sacrificing layer and etching the under-layer using the oxide mask as an etching mask.

    Abstract translation: 目的：通过氧化下部的金属层，提供半导体器件的制造方法来提供不具有包括接缝等的变形的氧化物掩模。 构成：在衬底的顶部上形成底层（25）。 在底层上形成牺牲层。 通过对牺牲层进行图案化形成露出下层固定区域的开口（30a）。 在开口中形成掩模层（35）。 通过氧化整个或部分掩模层形成氧化物掩模（40）。 通过消除牺牲层并使用氧化物掩模来蚀刻底层来形成底层图案作为蚀刻掩模。

    자기 메모리 소자
    6.
    发明公开
    자기 메모리 소자 有权
    磁记忆装置

    公开(公告)号：KR1020110028134A

    公开(公告)日：2011-03-17

    申请号：KR1020090086084

    申请日：2009-09-11

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 오세충 ,  김우진 ,  정준호 ,  임우창 ,  최석헌

    IPC: G11C11/15 ,  H01L27/115

    CPC classification number: G11C11/161 ,  H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12

    Abstract: PURPOSE: A magnetic memory device is provided to increase the magneto-resistance ratio of a magnetic tunnel junction by easily aligning the spin direction of electrons passing a magnetic layer to be vertical to a substrate. CONSTITUTION: In a magnetic memory device, a magnetic memory element comprises a substrate(110), a lower magnetic material, a tunnel barrier, and an upper magnetic material The lower magnetic material, the tunnel barrier, and the upper magnetic layer are successively laminated in the substrate. The lower magnetic material comprises a lower perpendicular magnetic material(142) which is adjacent to the substrate The lower perpendicular magnetic material has a dense hexagonal lattice structure.

    Abstract translation: 目的：提供一种磁存储器件，通过容易地使通过磁性层的电子的自旋方向与衬底垂直地对准，增加磁性隧道结的磁阻比。 构成：在磁存储器件中，磁存储元件包括衬底（110），下磁性材料，隧道势垒和上磁性材料。下磁性材料，隧道势垒和上磁层依次层压 在基材中。 下磁性材料包括与基底相邻的下垂直磁性材料（142）。下垂直磁性材料具有致密的六边形晶格结构。

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