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    자기 메모리 소자
    5.
    发明授权
    자기 메모리 소자 有权
    磁记忆元件

    公开(公告)号：KR101635141B1

    公开(公告)日：2016-07-08

    申请号：KR1020090086084

    申请日：2009-09-11

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 오세충 ,  김우진 ,  정준호 ,  임우창 ,  최석헌

    IPC: G11C11/15 ,  H01L27/115

    CPC classification number: G11C11/161

    Abstract: 자기메모리소자가제공된다. 이자기메모리소자는기판및 기판상에차례로적층된하부자성체, 터널베리어, 및상부자성체를포함할수 있다. 하부자성체는기판에인접하게배치되고조밀육방격자(Hexagonal Close-Packing, HCP)구조를갖는하부수직자성층을포함할수 있다.

    Abstract translation: 提供了一种磁存储元件。 磁存储器件可以包括衬底和依次堆叠在衬底上的下磁体，隧道势垒和上磁体。 下磁性体可以包括与衬底相邻设置并具有六方密堆积（HCP）结构的下垂直磁层。

    액정표시장치 및 그 제어방법
    6.
    发明授权
    액정표시장치 및 그 제어방법 有权
    液晶显示及其控制方法

    公开(公告)号：KR101335988B1

    公开(公告)日：2013-12-04

    申请号：KR1020070121715

    申请日：2007-11-27

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 정준호 ,  박영준 ,  성준호 ,  하태현 ,  박정진

    IPC: G02F1/133 ,  H04N13/04 ,  G09G3/36

    Abstract: 본 발명은 액정표시장치 및 그 제어방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 액정표시장치는 액정셔터안경과; 소정의 스캔방향을 따라 형성되는 좌영상 및 우영상을 소정의 스캔주기마다 교호적으로 표시하는 액정패널과; 상기 스캔주기에 동기하여 상기 액정셔터안경의 좌우를 개폐시키기 위한 제어신호를 출력하는 안경제어부와; 상기 액정패널에 광을 제공하는 광원부와; 상기 광원부로부터의 광이 상기 스캔방향을 따라 상기 좌영상 및 상기 우영상보다 후행적으로 상기 액정패널에 출사되도록 상기 광원부에 구동전원을 공급하는 광원구동부를 포함한다. 이에 의해 상겹침 및 잔상이 개선되는 액정표시장치 및 그 제어방법이 제공된다.
    액정셔터안경, 스캔구동

    반도체 소자의 제조 방법 및 그 제조 장치
    7.
    发明公开
    반도체 소자의 제조 방법 및 그 제조 장치 有权
    制造半导体器件的方法及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020120058221A

    公开(公告)日：2012-06-07

    申请号：KR1020100119903

    申请日：2010-11-29

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김우진 ,  이장은 ,  오세충 ,  정준호 ,  신희주

    IPC: H01L43/12 ,  H01L43/10 ,  H01L27/22 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46

    CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/46 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

    Abstract: PURPOSE: A method and apparatus for manufacturing a semiconductor device are provided to reduce manufacturing time by simultaneously performing a magnetic and thermal process and a protection layer forming process in one reactor. CONSTITUTION: Magnetic memory patterns(150) are separately formed on a substrate. Each magnetic memory pattern includes a free pattern(130), a tunnel barrier pattern(120), and a reference pattern which are laminated on the substrate. Magnetic memory patterns are magnetically and thermally processed and a protection layer is formed on the magnetic memory patterns in one reactor at the same time. A magnetization direction of free patterns is arranged.

    Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法和装置，以通过在一个反应​​器中同时执行磁性和热处理以及保护层形成工艺来减少制造时间。 构成：在衬底上分别形成磁记忆图案（150）。 每个磁存储器图案包括层叠在基板上的自由图案（130），隧道势垒图案（120）和参考图案。 磁存储器图形被磁性和热处理，同时在一个反应​​器中的磁存储器图案上形成保护层。 布置自由图案的磁化方向。

    자기 메모리 소자
    9.
    发明公开
    자기 메모리 소자 有权
    磁记忆装置

    公开(公告)号：KR1020100085742A

    公开(公告)日：2010-07-29

    申请号：KR1020090005190

    申请日：2009-01-21

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 남경태 ,  최석헌 ,  이장은 ,  오세충 ,  정준호

    IPC: G11C11/15

    CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01L43/08 ,  G11C11/155

    Abstract: PURPOSE: A magnetic memory device is provided to reduce the magnetic coercivity of a free layer by heating the free layer of a magnetic tunnel junction structure including an electrode formed with silicon-germanium. CONSTITUTION: A magnetic tunnel junction structure comprises a free layer(150) on a semiconductor substrate(100). An electrode(172) is formed on the semiconductor substrate with silicon - germanium. The electrode heats the free layer to reduce the magnetic coercivity of the free layer. The content of the silicon - germanium is 10-57%. The silicon - germanium has a polycrystalline structure. The electrode is arranged on the magnetic tunnel junction structure. A top electrode is directly touched with the free layer.

    Abstract translation: 目的：提供一种磁存储器件，通过加热包括由硅 - 锗形成的电极的磁性隧道结结构的自由层来降低自由层的磁矫顽力。 构成：磁性隧道结结构包括在半导体衬底（100）上的自由层（150）。 在半导体衬底上用硅 - 锗形成电极（172）。 电极加热自由层以降低自由层的磁矫顽力。 硅 - 锗的含量为10-57％。 硅 - 锗具有多晶结构。 电极布置在磁隧道结结构上。 顶部电极与自由层直接接触。

    자기 기억 소자 및 그 형성방법
    10.
    发明公开
    자기 기억 소자 및 그 형성방법 有权
    磁记忆体装置及其方法

    公开(公告)号：KR1020100021867A

    公开(公告)日：2010-02-26

    申请号：KR1020080080508

    申请日：2008-08-18

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 남경태 ,  이장은 ,  오세충 ,  김우진 ,  김대겸 ,  정준호

    IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

    CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/15 ,  H01L27/228

    Abstract: PURPOSE: A magnetic storage device and a forming method thereof are provided to increase a switching current density for changing a magnetization direction of a free layer by including a conductive bridge. CONSTITUTION: A magnetic storage device includes a free layer(55), a guide layer(30), an insulation layer(43), and a diffusion prevention layer(37). The guide layer is electrically connected to the free layer. The insulation layer is interposed between the free layer and the guide layer. A conductive bridge(45) electrically connects the free layer and the guide layer. The diffusion prevention layer is interposed between the free layer and the guide layer.

    Abstract translation: 目的：提供磁存储装置及其形成方法，以通过包括导电桥来增加用于改变自由层的磁化方向的开关电流密度。 构成：磁存储装置包括自由层（55），引导层（30），绝缘层（43）和扩散防止层（37）。 引导层电连接到自由层。 绝缘层介于自由层和引导层之间。 导电桥（45）电连接自由层和引导层。 扩散防止层插入在自由层和引导层之间。

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