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公开(公告)号：KR100697651B1
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020050115326
申请日：2005-11-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G03F7/70633
Abstract: An alignment error correcting method is provided to reduce the time necessary for inspecting alignment errors and to correct easily the alignment errors in a following process. A conductive pattern structure composed of a first and a second conductive pattern is formed on a first semiconductor substrate. A first conductive contact structure(100a) is formed on the first semiconductor substrate. The first conductive contact structure has a second position against the first semiconductor substrate. The existence of electrical short between the first conductive contact structure and the conductive pattern structure is determined. A second conductive contact structure with the same shape as that of the first conductive contact structure is formed on a second semiconductor substrate. The second conductive contact structure has a third position against the second semiconductor substrate when the electrical short does not exist. The second conductive contact structure has a fourth position against the second semiconductor substrate when the electrical short exists.
Abstract translation: 提供了一种对准误差校正方法，以减少检查对准误差所需的时间，并在以后的处理中容易地校正校准误差。 在第一半导体衬底上形成由第一和第二导电图案组成的导电图案结构。 第一导电接触结构（100a）形成在第一半导体衬底上。 第一导电接触结构具有抵抗第一半导体衬底的第二位置。 确定第一导电接触结构和导电图案结构之间的电短路的存在。 在第二半导体衬底上形成具有与第一导电接触结构相同形状的第二导电接触结构。 当电短路不存在时，第二导电接触结构具有抵靠第二半导体衬底的第三位置。 当存在电气短路时，第二导电接触结构具有抵靠第二半导体衬底的第四位置。
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公开(公告)号：KR100296553B1
公开(公告)日：2001-11-30
申请号：KR1019980039635
申请日：1998-09-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302
Abstract: 하나의 식각 액으로 다수의 기판 위에 형성된 레이어를 식각하여 각각 소정의 패턴을 형성하는 경우, 기판의 누적 처리 매수에 따라 식각 시간을 달리한다.
이 경우, 식각 시간을 달리하는 방법으로는 기판의 누적 처리 매수가 1에서 N까지인 경우에는 T1의 식각 시간으로 식각 공정을 수행하고, 기판의 누적 처리 매수가 N+1 이상인 경우에는 T1보다 큰 T2의 식각 시간으로 식각 공정을 수행하는 경우와, 기판의 누적 처리 매수의 변화에 일대일로 대응하는 식각 시간으로 식각 공정을 수행하는 경우가 있다.
이와 같이 누적 처리 매수에 따라 식각 공정 시간을 달리하여 식각 공정을 수행함으로써 식각 용액의 교체 횟수를 줄일 수 있다.-
Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020070056327A
公开(公告)日：2007-06-04
申请号：KR1020050114836
申请日：2005-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N23/203
Abstract: A substrate scanning method, a crystal characteristic inspecting method and apparatus are provided to inspect exactly characteristics of a micro sized crystal without noises by using the repetition of charge and discharge due to an electron beam. A first region(220) of a substrate(200) is scanned by using a first electron beam. The first region is scanned by using a second electron beam in order to perform a first discharging process on the first region. A second region(222) of the substrate is scanned by using the first electron beam. The second region is scanned by using the second electron beam in order to perform a second discharging process on the second region. The scanning processes of the first and second electron beams are repeatedly performed on the other region of the substrate.
Abstract translation: 提供基板扫描方法，晶体特性检查方法和装置，通过使用电子束的充电和放电的重复来精确地检测微小晶体的特性而无噪声。 通过使用第一电子束来扫描衬底（200）的第一区域（220）。 通过使用第二电子束扫描第一区域，以便对第一区域执行第一次放电处理。 通过使用第一电子束来扫描衬底的第二区域（222）。 通过使用第二电子束扫描第二区域，以便在第二区域上进行第二次放电处理。 第一和第二电子束的扫描过程在衬底的另一个区域上重复进行。
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公开(公告)号：KR100580403B1
公开(公告)日：2006-05-15
申请号：KR1019990051366
申请日：1999-11-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B65G49/07
Abstract: 이 발명은 이중 설비 시스템 및 그 제어 방법을 개시한다. 제1 설비 및 제2 설비가 인라인으로 구성된 이중 설비 시스템에서, 다수의 기판이 랏단위로 처리되도록 수납되어 있는 카세트가 제1 대기부 또는 제2 대기부로 이송되면 설비 제어기는 호스트로부터 각 랏의 작업 모드를 전송받아서 해당 작업 모드에 따라 각 랏에 대한 작업을 수행한다. 하나의 랏에 대하여 제1 설비의 제1 공정만을 수행하거나, 제2 설비의 제2 공정만을 수행할 수 있으며, 또한 하나의 랏에 대하여 제1 공정 및 제2 공정을 순차적으로 수행하거나, 제2 공정 및 제1 공정을 순차적으로 수행할 수 있다. 그리고 하나의 설비에서 기판이 처리되고 있는 도중에 다른 설비의 구동이 중지되면, 처리되던 기판의 공정을 완료한 다음에 처리된 기판을 제1 또는 제2 대기부의 빈 카세트에 언로딩시켜 대기시킨 후에, 구동이 중지된 설비가 복구되면 대기시킨 기판을 복구된 설비로 로딩시켜 해당 공정을 수행한다. 이에 따라 하나의 설비가 고장난 경우에도 작업이 계속하여 수행됨으로써 작업 지연을 방지할 수 있다. 따라서, 설비 이용 효율 및 작업 진행 효율 등이 향상되어 생산성이 향상된다.
TFT, LCD, 자동화시스템, 이중설비-
公开(公告)号：KR100362701B1
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：KR1020000009477
申请日：2000-02-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/00
Abstract: 개시되는 자동화된 원격 공정 제어 시스템의 호스트는 변경 가능한 단계 제어 정보를 구비한다. 각 단계별 공정 진행에 앞서, 온라인 서버는 호스트로부터 단계 제어 정보를 제공받아 공정 장비의 공정 조건을 설정한다. 설정된 공정 조건에 따라 공정 장비가 공정 진행을 완료하면, 온라인 서버는 현재의 공정 진행 결과를 반영하여 필요에 따라 앞 단계 또는 뒤 단계의 공정 조건 정보를 변경한다. 운영자는 사용자 인터페이스를 사용해서 호스트의 단계 제어 정보를 변경하여 단계별 공정 진행을 원격으로 제어할 수 있다.
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