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公开(公告)号：KR100725453B1
公开(公告)日：2007-06-07
申请号：KR1020050114836
申请日：2005-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N23/203
Abstract: 기판의 스캐닝 방법, 결정 특성 검사 방법 및 장치는 기판 상에 형성된 다수의 스캐닝 영역들에 대해 제1 전자빔을 이용한 스캐닝과 제1 전자빔에 의해 전하가 충전된 영역을 방전시키기 위해 제2 전자빔을 이용한 스캐닝을 반복한다. 스캐닝 영역들은 제1 전자빔이 조사되는 영역과 실질적으로 동일한 경우에는 인접한 스캐닝 영역들은 부분적으로 중첩되고, 제1 전자빔의 조사되는 영역보다 큰 경우에는 인접한 스캐닝 영역들은 중첩되지 않는다. 제1 전자빔 주사에 의해 각 스캐닝 영역들로부터 방출되는 후방산란 전자를 이용하여 스캐닝 영역들의 이미지를 형성하고, 이미지를 이용하여 기판의 결정을 분석한다.
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公开(公告)号：KR1020070056327A
公开(公告)日：2007-06-04
申请号：KR1020050114836
申请日：2005-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N23/203
Abstract: A substrate scanning method, a crystal characteristic inspecting method and apparatus are provided to inspect exactly characteristics of a micro sized crystal without noises by using the repetition of charge and discharge due to an electron beam. A first region(220) of a substrate(200) is scanned by using a first electron beam. The first region is scanned by using a second electron beam in order to perform a first discharging process on the first region. A second region(222) of the substrate is scanned by using the first electron beam. The second region is scanned by using the second electron beam in order to perform a second discharging process on the second region. The scanning processes of the first and second electron beams are repeatedly performed on the other region of the substrate.
Abstract translation: 提供基板扫描方法，晶体特性检查方法和装置，通过使用电子束的充电和放电的重复来精确地检测微小晶体的特性而无噪声。 通过使用第一电子束来扫描衬底（200）的第一区域（220）。 通过使用第二电子束扫描第一区域，以便对第一区域执行第一次放电处理。 通过使用第一电子束来扫描衬底的第二区域（222）。 通过使用第二电子束扫描第二区域，以便在第二区域上进行第二次放电处理。 第一和第二电子束的扫描过程在衬底的另一个区域上重复进行。
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公开(公告)号：KR100562701B1
公开(公告)日：2006-03-23
申请号：KR1020040000854
申请日：2004-01-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82Y10/00 , G01R31/307 , H01J1/3042 , H01J37/073 , H01J2201/30469 , H01J2237/0635 , H01J2237/2594
Abstract: 구멍의 오픈 불량 검사 장치는 다수의 구멍들이 형성된 검사 대상체가 안치되는 애노우드 전극을 포함한다. 전자를 방출하는 캐소우드 전극이 애노우드 전극 상부에 배치된다. 캐소우드 전극으로부터 방출된 전자를 미세한 간격으로 배열된 직진성의 전자빔으로 전환시키는 다발형 나노튜브가 캐소우드 전극의 하부에 검사 대상체의 정면을 향해서 배치된다. 전류계가 각 구멍들로부터 검사 대상체의 배면을 통해 누설되는 전류를 측정한다. 미세한 직경을 가지면서 미세 간격으로 배열된 구멍들에 전자빔이 균일하게 조사될 수가 있게 되므로, 검사 대상체의 전면에 대해서 구멍의 오픈 불량 검사를 실시할 수가 있게 된다.
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公开(公告)号：KR1020050087417A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：KR1020040013197
申请日：2004-02-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/14 , H01L21/76802 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 기판 측정 장치에 관한 것으로, 상기 장치는 참조값 저장부와 전류측정부, 그리고 특성치 산출부를 가진다. 참조값 저장부는 기판 상의 유전막에 형성된 콘택홀의 특성치와 기판에 전자가 조사될 때 기판에 흐르는 전류간의 상관관계에 대한 데이터를 저장하고, 전류 측정부는 검사기판에 전자가 조사될 때 검사기판에 흐르는 전류값을 측정한다. 특성치 산출부는 검사기판에서 측정된 전류값과 참조값 저장부에 저장된 데이터를 이용하여 검사기판에서 콘택홀의 특성치를 산출한다. 콘택홀의 특성치는 콘택홀로 인해 노출되는 기판의 면적이거나 콘택홀 내에 잔류하는 막질의 두께일 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160076097A
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：KR1020140185834
申请日：2014-12-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L22/26 , C30B25/165 , C30B29/40 , C30B29/52 , H01L22/12 , H01L21/20 , H01L21/02 , H01L21/2003
Abstract: 박막형성장치및 방법이개시된다. 소스물질및 불순물(dopants)의공급유량을포함하는공정조건을설정하고기판상에이종접합박막을형성한다. 박막을분석하여소스물질의조성비및 불순물의농도를검출하고, 기준조성비및 기준농도와각각비교하여조성비편차및 농도편차를수득한다. 조성비편차및 농도편차가조성비및 농도에관한허용범위를넘는경우소스물질및 불순물중의적어도하나의공급유량을보정한다. 소스물질과불순물의공급유량을모두조절함으로써팹 공정에서막질특성에대한인라인제어의정밀도를높일수 있다.
Abstract translation: 公开了一种成膜装置和成膜方法。 设定包括掺杂剂和源物质的供给流量的处理条件，在基板上形成异质结构膜。 通过分析膜来检测源物质的组成比和掺杂剂的浓度，并分别与基准组成比和基准浓度进行比较，以获得组成比偏差和浓度偏差。 如果组成比偏差和浓度偏差超过关于组成比和浓度的允许范围，则源物质和掺杂剂中的至少一种的供给流量被校正。 由于能够控制源物质和掺杂剂的供给流量，本发明能够提高乳剂处理时的膜特性的在线控制的精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100648203B1
公开(公告)日：2006-11-23
申请号：KR1020050071984
申请日：2005-08-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: A substrate defect inspecting method is provided to restrain a substrate defect inspecting process from being stopped due to the overflow of data by storing only the level or number of defects per each inspection region of a substrate. A substrate is divided into a plurality of inspection regions(S110). A plurality of levels are set according to the number of defects of the inspection region(S115). One out of the inspection regions is performed with a defect inspecting process(S120). The selected inspection region is endowed with a corresponding level according to the number of detected defects(S125). The defect inspecting process and the level endowing process are sequentially repeatedly performed on the other inspection regions(S130).
Abstract translation: 提供一种基板缺陷检查方法，以通过仅存储基板的每个检查区域的缺陷的等级或数量来限制基板缺陷检查过程由于数据的溢出而停止。 基板被分成多个检查区域（S110）。 根据检查区域的缺陷数目设定多个等级（S115）。 利用缺陷检查过程执行检查区域中的一个（S120）。 根据检测到的缺陷的数量将选择的检查区域赋予相应的等级（S125）。 在其他检查区域上依次重复进行缺陷检查处理和等级赋予处理（S130）。
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公开(公告)号：KR100648201B1
公开(公告)日：2006-11-23
申请号：KR1020050072162
申请日：2005-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: A substrate inspecting method and a substrate inspecting apparatus therefor are provided to detect quickly exactly defects from an object region by using improved average image characteristics. A substrate is divided into a plurality of inspection regions(S120). A main inspection region is selected from the plurality of inspection regions(S130). First images are obtained from the main inspection region and sub-inspection regions adjacent to the main inspection region(S140). A first average image is obtained from the first images. A plurality of pre-inspection regions are selected from the inspection regions. Second images are obtained from the pre-inspection regions. A second average image is obtained from the second images. The difference between the first and second average images is calculated. When the difference between the first and second average images is within an allowance, the first average image is set as a reference image. When the difference between the first and second average images is out of the allowance, the second average image is set as the reference image. Defects are detected from the main inspection region by comparing the reference image with the main inspection region(S198).
Abstract translation: 本发明提供一种基板检查方法及其基板检查装置，以通过改善的平均图像特性快速检测来自被摄体区域的缺陷。 衬底被分成多个检测区域（S120）。 从多个检查区域中选择主检查区域（S130）。 从主检测区域和与主检测区域相邻的子检测区域获得第一图像（S140）。 从第一图像获得第一平均图像。 从检查区域中选择多个预检区域。 第二张图片从预检区域获得。 从第二图像获得第二平均图像。 计算第一和第二平均图像之间的差异。 当第一平均图像和第二平均图像之间的差异在允许范围内时，将第一平均图像设置为参考图像。 当第一平均图像和第二平均图像之间的差值超出允许值时，将第二平均图像设置为参考图像。 通过比较参考图像与主检测区域从主检测区域检测缺陷（S198）。
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公开(公告)号：KR100614238B1
公开(公告)日：2006-08-18
申请号：KR1020040013197
申请日：2004-02-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/14 , H01L21/76802 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 기판 측정 장치에 관한 것으로, 상기 장치는 참조값 저장부와 전류측정부, 그리고 특성치 산출부를 가진다. 참조값 저장부는 기판 상의 유전막에 형성된 콘택홀의 특성치와 기판에 전자가 조사될 때 기판에 흐르는 전류간의 상관관계에 대한 데이터를 저장하고, 전류 측정부는 검사기판에 전자가 조사될 때 검사기판에 흐르는 전류값을 측정한다. 특성치 산출부는 검사기판에서 측정된 전류값과 참조값 저장부에 저장된 데이터를 이용하여 검사기판에서 콘택홀의 특성치를 산출한다. 콘택홀의 특성치는 콘택홀로 인해 노출되는 기판의 면적이거나 콘택홀 내에 잔류하는 막질의 두께일 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020090092895A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：KR1020080018119
申请日：2008-02-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66 , H01L27/148
CPC classification number: G01N21/9501 , G01N2021/8858 , G01N2021/8861
Abstract: An apparatus for inspecting surface of wafer and method using the same are provided to prevent the accident of the process of manufacturing semiconductor by detecting the large amount of impurity generated in the local region. The stage(20) moves the wafer(10) in horizontal. The optical system(30) enlarges the wafer surface supported by the stage and projects it. The image obtaining unit(40) obtains image data of the wafer surface. The image processing unit(50) processes the image corresponding to the wafer surface. The defect detecting unit](60) detects the fault generated in the wafer surface. The density comparison unit(80) compares the preceding fault density by the fault measurement with the fault density corresponding to the image.
Abstract translation: 提供了用于检查晶片表面的装置及其使用方法，以通过检测在局部区域中产生的大量杂质来防止半导体制造工艺的事故发生。 台架（20）使晶片（10）水平移动。 光学系统（30）放大由舞台支撑的晶片表面并投射它。 图像获取单元（40）获得晶片表面的图像数据。 图像处理单元（50）处理与晶片表面相对应的图像。 缺陷检测单元（60）检测晶片表面产生的故障。 密度比较单元（80）将先前的故障密度与故障测量值与对应于图像的故障密度进行比较。
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公开(公告)号：KR1020090038966A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：KR1020070104301
申请日：2007-10-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/7085 , G01N21/956 , G03F7/70616 , H01L22/12
Abstract: An apparatus for checking uniformity of a critical dimension of a pattern is provided to shorten a check measurement time by performing a check in an atmosphere state. A Zeeman laser(20) irradiates a beam having a different frequency. A beam controller(60) controls a spot size of a laser beam irradiated form the Zeeman laser. A beam splitter(70) multiply separates a beam having a controlled spot size. An optical system(80) irradiates a multiply separated light to a sample(10) by changing an optical route, and guides an optical route of a beam reflected from the sample. A polarizer(30) transmits a reflected beam having changed polarization information. A detector(40) detects a light amount of the reflected beam. A lock-in amplifier(50) amplifies a beat frequency of the reflected beam detected in the detector and a reference signal frequency irradiated in the Zeeman laser, and measures an amplitude and a phase signal of a laser reflected from the sample at the same time. A check part(90) checks a critical dimension uniformity of a sample pattern.
Abstract translation: 提供了用于检查图案的临界尺寸的均匀性的装置，以通过在大气状态下执行检查来缩短检查测量时间。 塞曼激光器（20）照射具有不同频率的光束。 光束控制器（60）控制从塞曼激光器照射的激光束的光斑尺寸。 分束器（70）将具有受控光斑尺寸的光束分开。 光学系统（80）通过改变光学路线将多重分离的光照射到样品（10），并且引导从样品反射的光束的光路。 偏振器（30）透射具有改变的偏振信息的反射光束。 检测器（40）检测反射光束的光量。 锁定放大器（50）放大检测器中检测到的反射光束的拍频和在塞曼激光器中照射的参考信号频率，同时测量从样品反射的激光的振幅和相位信号 。 检查部件（90）检查样品图案的临界尺寸均匀性。
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