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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102224386B1
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020140182970A
申请日：2014-12-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/32 , H01L29/66553 , H01L21/28238 , H01L21/31 , H01L21/76816 , H01L21/76897 , H01L21/823431 , H01L21/823475 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/401 , H01L29/41791 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/7848 , H01L21/823437 , Y10S148/117
Abstract: 집적 회로 장치의 제조 방법이 제공된다. 상기 집적 회로 장치의 제조 방법은, 기판 상에 게이트 구조물을 형성하고, 상기 게이트 구조물의 마주보는 측벽 상에 각각, 제1 희생막 패턴과 제2 희생막 패턴을 형성하고, 상기 제1 희생막 패턴의 일부를 제1 절연막 패턴으로 교환(replacing)하되, 상기 제1 희생막 패턴의 일부가 상기 제1 절연막 패턴 내에 남겨지고, 상기 제2 희생막 패턴을 제2 절연막 패턴으로 교환하고, 상기 제1 절연막 패턴 내에 남겨진 상기 제1 희생막 패턴의 적어도 일부를 도전성 패턴으로 교환하는 것을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020160122908A
公开(公告)日：2016-10-25
申请号：KR1020150052551
申请日：2015-04-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/423 , H01L29/66
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/823475 , H01L23/485 , H01L27/0207 , H01L27/092
Abstract: 본발명은전계효과트랜지스터를포함하는반도체소자에관한것으로, 보다구체적으로그의상부에활성패턴들을포함하는기판; 상기활성패턴들을가로지르며상기기판의상면에평행한제1 방향으로연장되는게이트전극들; 상기게이트전극들사이의상기활성패턴들의상부들에각각형성된소스/드레인영역들; 상기게이트전극들사이에서상기소스/드레인영역들과각각전기적으로연결되는제1 콘택들및 제2 콘택들을포함할수 있다. 이때, 각각의상기제1 콘택들의콘택중심선은, 상기각각의제1 콘택들과대응하는게이트중심선과제1 거리만큼이격되고, 각각의상기제2 콘택들의콘택중심선은, 상기각각의제2 콘택들과대응하는게이트중심선과제2 거리만큼이격되며, 상기제1 거리와상기제2 거리는서로다를수 있다.
Abstract translation: 包括场效应晶体管的半导体器件技术领域本发明涉及一种包括场效应晶体管的半导体器件，并且更具体地，涉及一种包括衬底的半导体器件， 栅电极，在第一方向上延伸穿过有源图案并平行于衬底的上表面; 各自形成在栅电极之间的有源图案的顶部上的源极/漏极区; 并且第一和第二触点分别电连接到栅电极之间的源/漏区。 此时，每一个所述第一接触的接触中心线间隔开的由与相应的第一接触，每个所述每个第二触头的第二接触的接触中心线对应栅极中心线任务1的距离 第一距离和第二距离可以彼此不同。
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公开(公告)号：KR1020160074122A
公开(公告)日：2016-06-28
申请号：KR1020140182970
申请日：2014-12-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L21/31
CPC classification number: H01L29/66553 , H01L21/28238 , H01L21/76816 , H01L21/76897 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823475 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/401 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/7848 , H01L21/32 , H01L21/31 , Y10S148/117
Abstract: 집적회로장치의제조방법이제공된다. 상기집적회로장치의제조방법은, 기판상에게이트구조물을형성하고, 상기게이트구조물의마주보는측벽상에각각, 제1 희생막패턴과제2 희생막패턴을형성하고, 상기제1 희생막패턴의일부를제1 절연막패턴으로교환(replacing)하되, 상기제1 희생막패턴의일부가상기제1 절연막패턴내에남겨지고, 상기제2 희생막패턴을제2 절연막패턴으로교환하고, 상기제1 절연막패턴내에남겨진상기제1 희생막패턴의적어도일부를도전성패턴으로교환하는것을포함한다.
Abstract translation: 提供一种制造集成电路器件的方法，包括：在衬底上形成栅极结构的步骤; 分别在所述栅极结构的彼此面对的侧壁上形成第一牺牲膜图案和第二牺牲膜图案的步骤; 将第一牺牲膜图案的一部分留在第一绝缘膜图案中，用第一绝缘膜图案代替第一牺牲膜图案的一部分，并用第二绝缘膜图案代替第二牺牲膜图案的步骤; 以及用导电图案替换留在第一绝缘膜图案中的第一牺牲膜图案的至少一部分的步骤。 制造集成电路器件的方法可以通过最小化栅极间隔物的损耗来防止栅电极和触点之间的短路。
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公开(公告)号：KR102224386B1
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020140182970
申请日：2014-12-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L21/31
Abstract: 집적회로장치의제조방법이제공된다. 상기집적회로장치의제조방법은, 기판상에게이트구조물을형성하고, 상기게이트구조물의마주보는측벽상에각각, 제1 희생막패턴과제2 희생막패턴을형성하고, 상기제1 희생막패턴의일부를제1 절연막패턴으로교환(replacing)하되, 상기제1 희생막패턴의일부가상기제1 절연막패턴내에남겨지고, 상기제2 희생막패턴을제2 절연막패턴으로교환하고, 상기제1 절연막패턴내에남겨진상기제1 희생막패턴의적어도일부를도전성패턴으로교환하는것을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020160148122A
公开(公告)日：2016-12-26
申请号：KR1020150084318
申请日：2015-06-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/66 , H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76825 , H01L21/31155 , H01L21/76805 , H01L21/76889 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L21/823425 , H01L21/823468 , H01L21/823475 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823871 , H01L21/823878 , H01L27/1104 , H01L27/1116 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , H01L29/7848
Abstract: 본발명은전계효과트랜지스터를포함하는반도체소자의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로기판상에게이트패턴을형성하는것; 상기게이트패턴의양 측벽들을덮는스페이서들을형성하는것; 상기게이트패턴및 상기스페이서들을덮는층간절연막을형성하는것; 및상기층간절연막을관통하면서, 상기스페이서들의측벽들을노출하는콘택홀들을형성하는것을포함할수 있다. 이때, 상기스페이서들을형성하는것은: 상기게이트패턴을덮는스페이서막을형성하는것; 및상기스페이서막에실리콘이온주입을수행하는것을포함하며, 상기스페이서막은실리콘산화막보다유전상수가낮은질화막계열의 low-k 절연막일수 있다.
Abstract translation: 制造半导体器件的方法包括在衬底上形成栅极图案，形成间隔物以覆盖栅极图案的两个侧壁，形成层间绝缘层以覆盖栅极图案和间隔物，并形成穿透层间绝缘层的接触孔 并暴露间隔物的侧壁。 间隔件的形成包括形成间隔层以覆盖栅极图案并将硅离子注入间隔层。 间隔层是介电常数低于氧化硅的介电常数的氮化物基低k绝缘层。
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