公开(公告)号：KR100997968B1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：KR1020030071092

申请日：2003-10-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전상익 ,  전재홍 ,  최권영 ,  이정영

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L29/41733

Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법에서는, 기판 위에 게이트 전극을 가지는 게이트선을 형성하고, 게이트선을 덮는 게이트 절연막을 적층한다. 이어, 게이트 절연막 상부에 반도체층을 형성하고, 반도체층과 접하는 소스 전극을 가지는 데이터선 및 게이트 전극과 중첩하는 드레인 전극을 형성하고, 반도체층을 덮는 보호막을 형성하고, 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성한다. 이때, 반도체층, 데이터선 및 드레인 전극 또는 화소 전극은 사진 식각 공정의 노광 공정에서 감광막을 노광 및 현상한 감광막 패턴으로 식각 마스크로 사용하여 패터닝하며, 드레인 전극과 중첩하는 게이트 전극의 경계선은 노광 공정에서 감광막을 노광하는 스캐닝 방향에 대하여 수직하게 배치한다.
박막 트랜지스터, 기생 용량, 플리커, 노광, 스캐닝

公开(公告)号：KR100934974B1

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：KR1020030018205

申请日：2003-03-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정영 ,  박재형 ,  전재홍

IPC: G09G3/36

Abstract: 본 발명의 액정 표시 장치는 절연 기판 위에 세로 방향으로 다수의 데이터선이 형성되어 있고, 가로 방향으로 상기 데이터선과 절연되어 교차하는 다수의 게이트선이 형성되어 있다. 데이터선과 게이트선이 교차하여 이루어진 영역은 표시 영역을 이룬다. 절연 기판의 표시 영역 밖인 기판의 상하 측 주변부에는 상기 데이터선과 절연되어 교차하는 다수의 수리선이 형성되어 있다. 여기서, 상하 측 주변부에 형성된 수리선은 게이트용 PCB 기판에 형성된 배선과 전기적으로 연결되어, 데이터선의 단선을 수리할 수 있는 경로를 제공한다. 기판의 상측 및 좌측 바깥 부분에는 소스 구동회로와 게이트 구동회로가 배치되어 있으며, 상기 소스 구동회로는 수리신호 제어부를 포함한다. 수리신호 제어부는 상기 수리선을 경유하는 데이터 신호에 오버슈트 전압을 인가함으로써, 딜레이된 신호를 보상할 수 있다.
수리선, 소스 구동회로, 수리신호 제어부, 액정표시장치

公开(公告)号：KR100929669B1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：KR1020030005251

申请日：2003-01-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전재홍 ,  이정영 ,  최권영

IPC: G02F1/133

Abstract: PURPOSE: An LCD(Liquid Crystal Display) is provided to remove remaining ion impurities to minimize image sticking. CONSTITUTION: An LCD includes the first insulating substrate, gate lines(121,125) and sustain electrode lines(131,133a,133b,133c) formed on the first insulating substrate, a gate insulating layer formed on the gate lines and sustain electrode lines, and a semiconductor layer formed on the gate insulating layer. The LCD further includes a resistant contact layer formed on the semiconductor layer, data lines(171,173,175,179) formed on the resistant contact layer to intersect the gate lines, a passivation layer formed on the data lines, a pixel electrode(190) formed on the passivation layer, and the second insulating substrate opposite to the first insulating substrate. The LCD also has a color filter formed at each of pixel regions, and a common electrode formed on the color filter. The pixel electrode is not superposed on a predetermined region of the sustain electrode lines. A voltage applied to the sustain electrode lines is higher than an average of voltages applied to the data lines.

Abstract translation: 目的：提供LCD（液晶显示器）以去除残留的离子杂质以使图像残留最小化。 一种LCD，包括：第一绝缘基板，形成在第一绝缘基板上的栅极线（121,125）和维持电极线（131,133a，133b，133c），形成在栅极线和维持电极线上的栅极绝缘层， 半导体层形成在栅极绝缘层上。 LCD还包括形成在半导体层上的电阻接触层，形成在电阻接触层上以与栅极线交叉的数据线（171,173,175,179），形成在数据线上的钝化层，形成在钝化层上的像素电极（190） 层以及与第一绝缘基板相对的第二绝缘基板。 LCD还具有形成在每个像素区域处的滤色器和形成在滤色器上的公共电极。 像素电极不叠加在维持电极线的预定区域上。 施加到维持电极线的电压高于施加到数据线的电压的平均值。

公开(公告)号：KR1020070064172A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：KR1020050124808

申请日：2005-12-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임내현 ,  전재홍 ,  김태호

IPC: H04L12/26 ,  H04B17/00 ,  H04B7/26

CPC classification number: H04L67/14 ,  H04L29/12311 ,  H04L61/2084 ,  H04W4/12 ,  H04W8/20 ,  H04W8/26 ,  H04W28/18 ,  H04W36/14 ,  Y02D70/142 ,  Y02D70/22

Abstract: A method, a system, and an apparatus for managing session information in a mobile communication system are provided to reduce unnecessary session negotiation procedures by using an AT(Access Terminal)'s session information, used in a source subnet, in a target subnet as it is, in case the AT moves between subnets in a radio link loss state or a power-down state. An AT requests a UATI(Unicast Access Terminal Identifier) to a target subnet, and a target PCF(Packet Control Function) allocates a new UATI to the AT(200). The AT transmits a connection request message to a target AN(Access Network) using the allocated UATI(202). The target AN transfers an A9-Setup-A8 message to the target PCF in order to request A8 connection setup(204). The target PCF, confirming the state of the AT, informs the target AN that authentication for the AT is required. At this moment, the target PCF transfers basic information for TCH(Traffic Channel) setup to the target AN(206). The AT and the target AN establish a TCH(207). Then the AT and the target AN execute hardware ID acquisition procedures(208). The AT, acquiring its own hardware ID through the hardware ID acquisition procedures, transmits it to the target AN, and executes session negotiation procedures with the target AN(209).

Abstract translation: 提供一种用于在移动通信系统中管理会话信息的方法，系统和装置，以通过在目标子网中使用在源子网中使用的AT（接入终端）的会话信息来减少不必要的会话协商过程， 这是在AT在无线电链路丢失状态或掉电状态的子网之间移动的情况下。 AT向目标子网请求UATI（单播接入终端标识符），目标PCF（分组控制功能）向AT（200）分配新的UATI。 AT使用分配的UATI（202）向目标AN（接入网）发送连接请求消息。 目标AN将A9-Setup-A8消息传送到目标PCF以请求A8连接设置（204）。 确认AT的状态的目标PCF向目标AN通知需要AT的认证。 此时，目标PCF将用于TCH（业务信道）建立的基本信息传送到目标AN（206）。 AT和目标AN建立TCH（207）。 然后AT和目标AN执行硬件ID获取过程（208）。 AT通过硬件ID获取程序获得自己的硬件ID，将其发送到目标AN，并与目标AN（209）执行会话协商过程。

公开(公告)号：KR1020070000857A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：KR1020050056502

申请日：2005-06-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전재홍

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286

Abstract: An LCD and a method for manufacturing the same are provided to prevent charges from being trapped, thereby improving the characteristic of a storage capacitor, by using a pixel electrode as an upper electrode of the storage capacitor and disposing a surface treating layer below the pixel electrode. A storage electrode(102b) are formed on a transparent substrate(100). A buffer pattern(106b) is disposed above the storage electrode, and covers the storage electrode. A dielectric layer(104) is interposed between the buffer pattern and the storage electrode. An insulating layer(115) covers the substrate, wherein the insulating layer has an opening part(117b) for exposing the buffer pattern. A surface treating layer(119) is formed on a surface of the exposed buffer pattern. A pixel electrode(121a) is disposed on the surface treating layer and the insulating layer.

Abstract translation: 提供了一种LCD及其制造方法，通过使用像素电极作为保持电容器的上部电极，在像素电极下方设置表面处理层，防止电荷被捕获，从而提高存储电容器的特性 。 存储电极（102b）形成在透明基板（100）上。 缓冲图案（106b）设置在存储电极上方并覆盖存储电极。 介电层（104）介于缓冲图案和存储电极之间。 绝缘层（115）覆盖基板，其中绝缘层具有用于暴露缓冲图案的开口部分（117b）。 在暴露的缓冲图案的表面上形成表面处理层（119）。 像素电极（121a）设置在表面处理层和绝缘层上。

公开(公告)号：KR1020060125076A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：KR1020050046883

申请日：2005-06-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이우근 ,  전재홍 ,  김시열 ,  김장수 ,  류혜영

IPC: G02F1/133

CPC classification number: G09G3/3648 ,  G02F2001/136254 ,  G09G3/3696 ,  G09G2310/0245 ,  G09G2320/043

Abstract: An LCD, a method for manufacturing the LCD, and an aging system are provided to prevent the generation of an afterimage, by making a first voltage difference between voltages, which are be applied to a drain electrode and a gate electrode, lower than a second voltage difference between voltages, which are applied to the drain electrode and the gate electrode during abnormal driving of the LCD. An LCD panel comprises a plurality of thin film transistors, wherein each thin film transistor is composed of a gate electrode, a semiconductor layer, a drain electrode, and a source electrode. A gate voltage and a drain voltage are applied to the thin film transistor for driving the LCD panel such that value of Vg-Vd is smaller than value of V1-V2. Herein, V1 and V2, respectively, represent a level of voltage applied to the gate electrode and the maximum of levels of voltage applied to the drain electrode during abnormal driving of the LCD panel, and Vg and Vd, respectively, represent a level of voltage applied to the gate electrode and a level of voltage applied to the drain electrode.

Abstract translation: 提供LCD，LCD的制造方法和老化系统，以通过使施加到漏电极和栅电极的电压之间的第一电压差低于第二电压来防止残像的产生 在LCD的异常驱动期间施加到漏电极和栅电极的电压之间的电压差。 LCD面板包括多个薄膜晶体管，其中每个薄膜晶体管由栅电极，半导体层，漏电极和源极组成。 栅极电压和漏极电压施加到用于驱动LCD面板的薄膜晶体管，使得Vg-Vd的值小于V1-V2的值。 这里，V1和V2分别表示施加到栅电极的电压的电平和在LCD面板的异常驱动期间施加到漏极的电压的最大值，Vg和Vd分别表示电压的电平 施加到栅电极和施加到漏电极的电压电平。

公开(公告)号：KR1020060086624A

公开(公告)日：2006-08-01

申请号：KR1020050007482

申请日：2005-01-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전재홍

IPC: G02F1/133

CPC classification number: G02F1/136259 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136272

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법은 게이트 배선과; 게이트 배선과 절연교차하여 표시영역을 정의하는 데이터 배선; 및 표시영역의 둘레를 따라 형성되어 있으며, 게이트 배선과 동일 재질로 이루어진 게이트 금속층과 데이터 배선과 동일 재질로 이루어진 데이터 금속층을 포함하는 리페어 라인을 포함 하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 리페어 라인의 RC지연을 감소 시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060020892A

公开(公告)日：2006-03-07

申请号：KR1020040069603

申请日：2004-09-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한경태 ,  전재홍 ,  김장수

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78696 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458

Abstract: 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 절연 기판, 절연 기판 위에 형성되며 있으며 게이트 전극을 가지는 게이트선, 게이트선 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 게이트 절연막 위에 형성되며 게이트 전극과 중첩하는 반도체층, 반도체층의 소정 영역을 제외하고 반도체층을 덮으며, N형 도전형 불순물 이온이 고농도로 도핑되어 있는 저항성 접촉 부재, 저항성 접촉 부재와 일부 접촉하는 소스 전극을 가지고 게이트선과 교차하는 데이터선, 저항성 접촉 부재와 일부 접촉하며 게이트 전극을 중심으로 소스 전극과 대향하는 드레인 전극, 드레인 전극과 전기적으로 연결되어 있는 화소 전극을 포함한다.
알루미늄, 배선, 힐록, 몰리브덴, 박막트랜지스터

公开(公告)号：KR1020050076402A

公开(公告)日：2005-07-26

申请号：KR1020040004367

申请日：2004-01-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전재홍 ,  이정영 ,  김희준

IPC: G02F1/1343

Abstract: 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 절연 기판 위에 형성되어 있으며 제1 방향으로 뻗어 있는 제1 신호선과 제1 신호선과 교차하며 굽은 부분과 제2 방향으로 뻗어 있는 부분을 가지는 제2 신호선, 제1 신호선과 제2 신호선이 교차하여 정의하는 화소 영역에 형성되어 있는 제1 화소 전극, 제1 화소 전극과 용량성 결합되어 있는 제2 화소 전극, 제1 신호선, 제2 신호선 및 제1 화소 전극과 연결되어 있는 박막 트랜지스터를 포함한다. 여기에서 제2 화소 전극은 제1 화소 전극과 박막 트랜지스터 사이에 위치한다.

公开(公告)号：KR1020040046439A

公开(公告)日：2004-06-05

申请号：KR1020020074368

申请日：2002-11-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백범기 ,  전재홍 ,  최권영

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136 ,  G02B1/14 ,  G02F1/133345 ,  G02F2201/123 ,  G02F2201/42 ,  H01L27/1214

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor substrate for an LCD(Liquid Crystal Display) and a manufacturing method thereof are provided to lower the resistance of a data wire by forming the data wire as a double layer of Cr/Al. CONSTITUTION: Gate wires(123) are formed on an insulation substrate(110). A gate insulation film(140) made of SiNx is formed on the gate wires(123). A semiconductor pattern(150) made of hydrogenated amorphous silicon is formed on the gate insulation film(140). Ohmic contact layer patterns(161,163,165,169) made of an n type impurity such as P are formed on the semiconductor pattern(150). Data wires(171,173,175,179) are formed on the contact layer patterns(161,163,165,169). A source electrode, a data pad portion, drain electrodes(171,173,175,179) and the semiconductor pattern(150) are covered with a passivation film(180). The passivation film(180) has the second and third contact openings(182,183) for exposing a part of the data pad(179) and the drain electrode(175). The openings(182,183) are formed as a step-wall shape. A pixel electrode(190) is formed on the gate insulation film(140) surrounded by the gate line and the data line.

Abstract translation: 目的：提供一种用于LCD（液晶显示器）的薄膜晶体管基板及其制造方法，通过将数据线形成为双层Cr / Al来降低数据线的电阻。 构成：在绝缘基板（110）上形成栅极线（123）。 在栅极导线（123）上形成由SiNx制成的栅极绝缘膜（140）。 在栅极绝缘膜（140）上形成由氢化非晶硅制成的半导体图案（150）。 在半导体图案（150）上形成由诸如P的n型杂质制成的欧姆接触层图案（161,163,165,169）。 数据线（171,173,175,179）形成在接触层图案（161,163,165,169）上。 源电极，数据焊盘部分，漏电极（171,173,175,179）和半导体图案（150）被钝化膜（180）覆盖。 钝化膜（180）具有用于暴露数据焊盘（179）和漏电极（175）的一部分的第二和第三接触开口（182,183）。 开口（182,183）形成为台阶壁形状。 在由栅极线和数据线包围的栅极绝缘膜（140）上形成像素电极（190）。