公开(公告)号：KR1019970018186A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019950033255

申请日：1995-09-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박준기 ,  이동희 ,  전재우 ,  정재덕

IPC: H01L21/306

Abstract: 본 발명은 반도체 제조장치에 있어서, 웨이퍼에 형성되는 자연 산화막을 시각하기 위해 웨이퍼를 소정의 이송경로로 이동시키는 컨베어 시스템과, 상기 컨베어 시스템에 의해서 이송되는 웨이퍼에 적정량의 시각액을 분사하여 세정하는 식각액 공급부과, 상기 식각액 공급부에 의해서 시각된 자연 산화막을 제거하도록 중수(Distalled Water)를 분사하는 디 아이(DI) 공급부와, 상기 DI 공급부를 통과해 산화막이 제거된 웨이퍼를 건조시킬 수 있는 일정량의 질소(N
2 ) 가스를 분출하는 질소(N
2 ) 공급부; 및 상기 질소(N
2 ) 공급부에서 건조된 웨이퍼를 순차적으로 탑재하는 저장부로 구성되어, 수동적인 작업부분을 줄이고, 연속 진행할 수 있는 컨베이어 시스템을 도입하여, 프로세서 자체의 많은 요소기술 사이의 세정과정을 원활히 수행함으로써, 전도도 및 결합력을 좋게하여 제품 수율 및 신뢰성을 높일 수 있는 반도체 제조 장치에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020130111030A

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：KR1020120033490

申请日：2012-03-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정재덕 ,  김기성 ,  윤석호 ,  김영선 ,  김범준 ,  신동철

IPC: H01L33/22 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/268 ,  H01L33/007

Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a semiconductor light emitting device improves light extraction efficiency by reducing defects within a semiconductor layer. CONSTITUTION: A base layer (120a) is formed on a substrate (110). A damaged crystalline region (121) is formed by irradiating a laser to some region of the upper surface of the base layer. The damaged crystalline region is formed by forming a pattern on the upper surface of the base layer. The width (da) of the damaged crystalline region is 100 nm to 10 um. A light emitting structure is formed by regrowing a semiconductor layer from a region except for the damaged crystalline region. The light emitting structure includes a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer. [Reference numerals] (AA) Laser

Abstract translation: 目的：制造半导体发光器件的方法通过减少半导体层内的缺陷来提高光提取效率。 构成：在基底（110）上形成基底层（120a）。 通过在基底层的上表面的一些区域照射激光来形成损伤的结晶区域（121）。 损伤的结晶区域通过在基底层的上表面上形成图案而形成。 受损结晶区域的宽度（da）为100nm〜10μm。 通过从损伤的结晶区域以外的区域重新生长半导体层来形成发光结构。 发光结构包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层。 （标号）（AA）激光

公开(公告)号：KR1020140104062A

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：KR1020130016313

申请日：2013-02-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종현 ,  김기성 ,  김범준 ,  사공탄 ,  윤석호 ,  정재덕

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0066

Abstract: One aspect of the present invention provides a method for manufacturing a p-type nitride semiconductor which includes the steps of growing a first nitride semiconductor layer doped with a p-type impurity with a first concentration; thermally processing the first nitride semiconductor layer to activate the p-type impurity; and growing a second nitride semiconductor layer doped with the p-type impurity with a second concentration which is higher than the first concentration on the first nitride semiconductor layer.

Abstract translation: 本发明的一个方面提供了一种制造p型氮化物半导体的方法，包括以下步骤：生长掺杂有第一浓度的p型杂质的第一氮化物半导体层; 热处理第一氮化物半导体层以激活p型杂质; 以及在所述第一氮化物半导体层上生长掺杂有所述p型杂质的第二浓度高于所述第一浓度的第二浓度的第二氮化物半导体层。

公开(公告)号：KR100169364B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019950054644

申请日：1995-12-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전재우 ,  이동희 ,  박준기 ,  정재덕

IPC: H01L21/22

Abstract: 나선형 형태를 갖는 발열체인 코일(9)과, 가운데가 반원의 홈을 이루면서 2개가 합쳐지는 경우에 상기한 코일이 지지될 수 있는 원형의 공간이 형성됨과 동시에 좌우측이 결합홈이 형성되어 있는 세퍼레이터(11)와, 상기한 세퍼레이터의 둘레를 싸고 있는 내부 슬리브(3)와, 상기한 내부 슬리브의 외주면을 감싸고 있는 외부 슬리브(5)와, 상기한 외부 슬리브를 둘러싸고 있는 외각셀과, 상기한 외각셀과 외부 슬리브와 개스킷과 내부 슬리브를 관통하여 코일에 연결되어 있으며 상기한 코일에 전원을 공급함으로써 코일이 발열되도록 하는 터미널바(2)와, 상기한 터미널바를 지지하면서 터미널바가 외각셀과 전기적으로 단락되는 것을 방지하기 위한 터미널 페이서(1)와, 확산로의 입출구 역할을 하는 소프트 튜브(6)와, 상기한 소프트 튜브를 보호하기 위한 � ��각셀 막음(7)을 포함하여 이루어지며, 세퍼레이터의 구조를 변경함으로써 코일이 쉽게 새깅되지 못하도록 하고, 보온재의 재질 및 구조를 변경함으로써 확산로가 변경되는 것을 방지함과 동시에 단열효과도 높일 수 있는 효과를 가진 세깅현상 방지를 위한 확산로를 제공한다.

公开(公告)号：KR1019970052121A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950054644

申请日：1995-12-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전재우 ,  이동희 ,  박준기 ,  정재덕

IPC: H01L21/22

Abstract: 나선형의 형태를 갖는 발열체인 코일(9)과, 가운데가 반원의 홈을 이루면서 2개가 합쳐지는 경우에 상기한 코일이 지지될 수 있는 원형의 공간이 형성됨과 동시에 좌우측이 결합홈이 형성되어 있는 세퍼레이터(11)와, 상기한 세퍼레이터의 둘레를 싸고 있는 내부 슬리브(3)와, 상기한 내부 슬리브의 외주면을 감싸고 있는 외부 슬리브(5)와, 상기한 외부 슬리브를 둘러싸고 있는 외각셀과, 상기한 외각셀과 외부 슬리브와 개스킷과 내부 슬리브를 관통하여 코일에 연결되어 있으며 상기한 코일에 전원을 공급함으로써 코일이 발열되도록 하는 터미널바(2)와, 상기한 터미널바를 지지하면서 터미널바가 외각셀과 전기적으로 단락되는 것을 방지하기 위한 터미널 페이서(1)와, 확산로의 입출구 역할을 하는 소프트 튜브(6)와, 상기한 소프트 튜브를 보호하기 위 외각셀 막음(7)을 포함하여 이루어지며, 세퍼레이터의 구조를 변경함으로써 코일이 쉽게 새깅되지 못하도록 하고, 보온재의 재질 및 구조를 변경함으로써 확산로가 변경되는 것을 방지함과 동시에 단열효과도 높일 수 있는 효과를 가진 세깅현상 방지를 위한 확산로를 제공한다.