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公开(公告)号：WO2013015472A1
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：PCT/KR2011/005570
申请日：2011-07-28
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/24
Abstract: 본 발명은 발광효율을 향상시킬 수 있는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자는, 상면에 적어도 하나의 피트를 갖는 n형 반도체층; 상기 n형 반도체층 상에 형성되며, 상기 피트에 대응하는 영역이 상기 피트를 따라 굴곡진 상면을 갖는 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성되며, 상기 피트에 대응하는 영역이 상기 활성층의 굴곡을 따라 굴곡진 상면을 갖는 p형 반도체층;을 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及能够提高发光效率的半导体发光装置及其制造方法。 根据本发明的一个实施例的半导体发光器件包括：在其顶表面上具有至少一个凹坑的n型半导体层; 形成在所述n型半导体层上的有源层，并且在与所述凹坑对应的区域中具有沿所述凹坑凹陷的顶面; 以及p型半导体层，其形成在有源层上，并且在其对应于凹坑的区域中具有沿有源层的凹陷凹陷的顶表面。
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公开(公告)号：KR1020080065401A
公开(公告)日：2008-07-14
申请号：KR1020070002502
申请日：2007-01-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 신동철
IPC: H04N21/4788
CPC classification number: H04M7/0081 , H04M2203/2011 , H04M2203/251 , H04M2250/62
Abstract: A method and an apparatus for providing a video service and a communication service using a VOiP(Voice over Internet Protocol) concurrently are provided to transmit a video data of VOD(Video On Demand) to a media server so as to transmit/receive voice communication without interruption of the picture service and to provide both voice communication and video services. A transmitting terminal(710) and a media server(720) set a VOD(Video On Demand) session(401). A VOD sound data is transmitted(405). A session of a VOiP(Voice over Internet Protocol) is set(407-409). An incoming terminal(730) transmits an invite message to the transmitting terminal. Video data of the VOD is transmitted to the transmitting terminal(421). The transmitting terminal and the incoming terminal are voice- communicated through the VoIP(423). The media server transmits the video data of the VOD to the transmitting terminal. A BYE message is transmitted to the transmitting terminal(425). A wrapper message is transmitted to the media server(427). The media server transmits a 202 accepted message to the transmitting terminal(429). The voice data transmission of VOD is restarted(431). A 200 O.K message which is a response message of the BYE message is transmitted to the incoming terminal(433). The video data of VOD is transmitted to the transmitting terminal(435). The voice data of VOD is transmitted to the transmitting terminal(437).
Abstract translation: 提供一种使用VOIP（因特网协议）同时提供视频服务和通信服务的方法和装置，用于将VOD（视频点播）的视频数据发送到媒体服务器，以便发送/接收语音通信 不中断图像服务，并提供语音通信和视频服务。 发送终端（710）和媒体服务器（720）设置VOD（视频点播）会话（401）。 发送VOD声音数据（405）。 VOiP（互联网语音协议）的会话被设置（407-409）。 进入终端（730）向发送终端发送邀请消息。 VOD的视频数据被发送到发送终端（421）。 发射终端和入局终端通过VoIP语音通信（423）。 媒体服务器将VOD的视频数据发送到发送终端。 BYE消息被发送到发送终端（425）。 将包装消息传送到媒体服务器（427）。 媒体服务器将202接受的消息发送到发送终端（429）。 VOD的语音数据传输重启（431）。 作为BYE消息的响应消息的200K消息被发送到输入终端（433）。 VOD的视频数据被发送到发送终端（435）。 VOD的语音数据被发送到发送终端（437）。
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公开(公告)号：KR1020130111030A
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：KR1020120033490
申请日：2012-03-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L21/268 , H01L33/007
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a semiconductor light emitting device improves light extraction efficiency by reducing defects within a semiconductor layer. CONSTITUTION: A base layer (120a) is formed on a substrate (110). A damaged crystalline region (121) is formed by irradiating a laser to some region of the upper surface of the base layer. The damaged crystalline region is formed by forming a pattern on the upper surface of the base layer. The width (da) of the damaged crystalline region is 100 nm to 10 um. A light emitting structure is formed by regrowing a semiconductor layer from a region except for the damaged crystalline region. The light emitting structure includes a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer. [Reference numerals] (AA) Laser
Abstract translation: 目的：制造半导体发光器件的方法通过减少半导体层内的缺陷来提高光提取效率。 构成：在基底（110）上形成基底层（120a）。 通过在基底层的上表面的一些区域照射激光来形成损伤的结晶区域（121）。 损伤的结晶区域通过在基底层的上表面上形成图案而形成。 受损结晶区域的宽度（da）为100nm〜10μm。 通过从损伤的结晶区域以外的区域重新生长半导体层来形成发光结构。 发光结构包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层。 （标号）（AA）激光
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公开(公告)号：KR1020110091245A
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：KR1020100010985
申请日：2010-02-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve optical extraction efficiency by forming a pit in over the top surface of the light emitting device and multiplying light extraction efficiency to the outside through the four sides of the pit. CONSTITUTION: An n-type semiconductor layer(130) has one or more pits on the upper side. An active layer(140) is formed on the n-type semiconductor layer. The area corresponding to the pits has bent upper side along the pits. A p-type semiconductor layer(150) is formed on the active layer. The area corresponding to the pits has bent upper side along the active layer. The active layer and the upper side of the p-type semiconductor layer include a first area which is bent toward the pits and a second area which is not bent.
Abstract translation: 目的：提供半导体发光器件及其制造方法，以通过在发光器件的顶表面上形成凹坑并通过凹坑的四边将光提取效率乘以外部来提高光提取效率。 构成：n型半导体层（130）在上侧具有一个或多个凹坑。 在n型半导体层上形成有源层（140）。 与坑相对应的区域沿着凹坑弯曲上侧。 在有源层上形成p型半导体层（150）。 与凹坑相对应的区域沿着活性层弯曲上侧。 p型半导体层的有源层和上侧包括朝向凹坑弯曲的第一区域和不弯曲的第二区域。
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公开(公告)号：KR1020110070545A
公开(公告)日：2011-06-24
申请号：KR1020090127403
申请日：2009-12-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0008 , H01L33/36 , H01L2924/12041
Abstract: PURPOSE: A nitride semiconductor light emitting device is provided to improve the optical output of a light emitting device by increasing the injection of holes by reducing potential barrier due to piezoelectric effect. CONSTITUTION: An n type nitride semiconductor layer(120) is formed on a substrate. An active layer(130) is formed on the n type nitride semiconductor layer by alternatively stacking a plurality of quantum well layers(131) and a plurality of quantum barrier layers(133). The quantum barrier layer includes an intermediate well layer(135b) and a sub quantum barrier layer(135a) with a different energy band gap. A p type nitride semiconductor layer(140) is formed on the active layer.
Abstract translation: 目的：提供一种氮化物半导体发光器件，用于通过由于压电效应降低势垒来增加空穴的注入来改善发光器件的光输出。 构成：在衬底上形成n型氮化物半导体层（120）。 通过交替堆叠多个量子阱层（131）和多个量子势垒层（133），在n型氮化物半导体层上形成有源层（130）。 量子势垒层包括具有不同能带隙的中间阱层（135b）和子量子势垒层（135a）。 在有源层上形成p型氮化物半导体层（140）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130097363A
公开(公告)日：2013-09-03
申请号：KR1020120018964
申请日：2012-02-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/145 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve a current dispersion effect by forming a current blocking region as an isolation region within a semiconductor layer. CONSTITUTION: A light emitting structure is formed on a conductive substrate. A first conductivity type contact layer (30) is arranged between the conductive substrate and a first conductivity type semiconductor layer. A conductive via is extended from the conductive substrate. The conductive via is connected to a second conductivity type semiconductor layer. A current blocking region (60) is formed in a region adjacent to the conductive via.
Abstract translation: 目的：提供一种发光器件及其制造方法，通过在半导体层内形成作为隔离区域的电流阻挡区域来提高电流分散效果。 构成：在导电性基板上形成发光结构。 第一导电型接触层（30）布置在导电基板和第一导电类型半导体层之间。 导电通孔从导电衬底延伸。 导电通孔连接到第二导电类型半导体层。 在与导电通孔相邻的区域中形成电流阻挡区域（60）。
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公开(公告)号：KR1020110092525A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：KR1020100011994
申请日：2010-02-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0075 , H01L2933/0083
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor light emitting device is provided to minimize damage to a light emitting structure by regrowing a second conductive semiconductor layer for a short time. CONSTITUTION: A first conductive semiconductor layer(101) is formed on a substrate(100). An active layer(102) is formed on the first conductive semiconductor layer. A second conductive semiconductor layer(103) is formed on the active layer. A mask(104) with a plurality of open areas is formed on the second conductive semiconductor layer. The plurality of open areas is regularly arranged.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体发光器件的方法，以通过在短时间内重新生长第二导电半导体层来最小化对发光结构的损伤。 构成：在基板（100）上形成第一导电半导体层（101）。 在第一导电半导体层上形成有源层（102）。 在有源层上形成第二导电半导体层（103）。 具有多个开放区域的掩模（104）形成在第二导电半导体层上。 多个开放区域被规则排列。
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公开(公告)号：KR1020110057541A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：KR1020090113986
申请日：2009-11-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/06
Abstract: PURPOSE: A nitride semiconductor light emitting device is provided to improve external quantum efficiency by controlling the thickness of a quantum well according to a low current density and a high current density. CONSTITUTION: An active layer(130) is formed on a first conductive nitride semiconductor layer. An active layer has a structure where a plurality of quantum well layers and quantum barrier layers are alternatively arranged. A second conductive nitride semiconductor layer is formed on the active layer. The plurality of quantum well layers include a first quantum layer(131a) and a second quantum layer(131b) with different thicknesses. The first and second quantum well layers emit light with the same wavelength.
Abstract translation: 目的：提供氮化物半导体发光器件，以通过根据低电流密度和高电流密度控制量子阱的厚度来提高外部量子效率。 构成：在第一导电氮化物半导体层上形成有源层（130）。 有源层具有交替布置多个量子阱层和量子势垒层的结构。 在有源层上形成第二导电氮化物半导体层。 多个量子阱层包括具有不同厚度的第一量子层（131a）和第二量子层（131b）。 第一和第二量子阱层发射具有相同波长的光。
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公开(公告)号：KR1020110041683A
公开(公告)日：2011-04-22
申请号：KR1020090098623
申请日：2009-10-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve the light emission efficiency by reducing the crystal defect in the semiconductor layer. CONSTITUTION: A n-type semiconductor layer(101) has the pit formed on the upper side. An intermediate layer comprises the domain doped on the n-type semiconductor layer to the p-type impurity. An active layer(103) is formed on the intermediate layer. A p-type semiconductor layer(105) is formed on the active layer. The intermediate layer is divided into the low resistance region and the high resistance region formed on the n-type semiconductor layer upper side except for the pit.
Abstract translation: 目的：提供半导体发光器件及其制造方法，以通过减少半导体层中的晶体缺陷来提高发光效率。 构成：n型半导体层（101）在上侧形成有凹坑。 中间层包括在n型半导体层上掺杂到p型杂质的畴。 在中间层上形成有源层（103）。 在有源层上形成p型半导体层（105）。 中间层被分成低电阻区域和形成在除了凹坑之外的n型半导体层上侧的高电阻区域。
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公开(公告)号：KR1020060088257A
公开(公告)日：2006-08-04
申请号：KR1020050009089
申请日：2005-02-01
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 통신 시스템에서 MMS서비스를 제공하는 PTT 시스템 및 그에 따른 운용방법에 관한 것으로 본 발명에 따른 PTT 시스템은 상기 PoC 클라이언트와 PTT 서비스를 제공하기 위해 접속하는 억세스망과 상기 PoC 클라이언트의 초기 등록 및 호 설정 요구시 세션 설정 처리를 수행하는 SIP/IP 코어와 상기 PoC 클라이언트에 대한 개인 및 그룹리스트를 저장 및 관리하여 필요시 PoC 서버에 상기 리스트를 전송하는 GLMS와 oC 클라이언트의 위치 정보를 저장 및 관리하여 필요시 PoC 서버에 전송하는 Presence 서버와 상기 PoC 클라이언트간에 실제 미디어(Media)를 송수신하고 상기 미디어를 일시 버퍼링하는 PoC 서버와 발신측 PTT 가입자가 필요한 경우나 수신측 PTT 가입자 중 특정 수신자가 발신측 PTT 가입자의 데이터를 수신하지 못하는 경우, 상기 데이터를 따로 저장하� � D-MMS(Dispatch- Multimedia Messaging Service)를 구비하여 구성됨을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 PTT 서비스 방법은 발신측 PoC 클라이언트가 특정 그룹 및 개인에게 호 설정을 위해 PoC 서버에 소정의 메시지를 전송하는 제 1과정과 상기 소정의 메시지를 수신한 상기 PoC 서버가 착신측 PoC 클라이언트를 확인하여 상기 메시지를 PoC 클라이언트에 전송하고 확인 응답 메시지를 수신 대기하는 제 2과정과 상기 PoC 서버가 상기 착신측 PoC 클라이언트로부터 거절(Decline)메시지를 수신하는 경우 상기 D-MMS부에 저장 요청 및 응답 신호를 송수신하는 제 3과정과 상기 D-MMS가 상기 발신측 PoC 클라이언트로부터 전송 데이터를 저장하는 제 4과정과 상기 D-MMS 가 상기 저장된 데이터를 착신측 PoC 클라이언트에게 알람 신호를 전송하는 제 5과정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다. 본 발명은 종래의 PTT 서비스에서 D-MMS부를 구비하게 되므로 발신자가 긴급 또는 중요 데이터를 남기는 경우 상기 데이터를 미수신한 착신자도 차후에 수신할 수 있으므로 더욱 신뢰성 있는 서비스 제공이 가능하게 된다.
PTT, PoC, GLMS, D-MMS
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