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公开(公告)号：KR1019980015052A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960034267
申请日：1996-08-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명은 웨이퍼에 공정을 수행하기 위하여 한 운반구에서 다른 운반구로 이송할 때 웨이퍼를 안전하게 이송하기 위한 웨이퍼 이송장치에 관한 것으로, 웨이퍼 이송장치의 몸체와, 상기 몸체를 관통하여 설치되고 일단에 모터와 연결되어 상·하 동작하는 동작바와, 상기 동작바의 타단에 연결되고 상·하 동작되어 웨이퍼가 이송되게 하는 푸셔를 갖는 웨이퍼 이송장치에 있어서, 푸셔의 길이 방향의 양단에 소정의 거리를 두고 각각 설치된 스톱퍼와, 푸셔 양단의 스톱퍼를 연결하여 일체되어 왕복운동을 하도록 하는 로드와, 푸셔 양단의 스톱퍼중, 어느 하나의 스톱퍼와 연결되도록 상기 몸체 상에 설치된 피스톤을 포함하여 상기 푸셔 상에 로딩된 보우트 또는 캐리어를 소정의 길이로 이동하게 하는 것을 포함한다. 이와 같은 장치에 의해서, 웨이퍼의 이송시 보우트 또는 캐리어의 정확한 위치를 맞추어 웨이퍼를 이송할 수 있다. 따라서, 웨이퍼의 표면에 발생하는 흠집을 방지하고, 웨이퍼의 파손을 방지하여 웨이퍼 이송장치의 수율을 높일 수 있다.
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公开(公告)号：KR100240417B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019960034267
申请日：1996-08-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명은 웨이퍼에 공정을 수행하기 위하여 한 운반구에서 다른 운반구로 이송할 때 웨이퍼를 안전하게 이송하기 위한 웨이퍼 이송장치에 관한 것으로, 웨이퍼 이송장치의 몸체와, 상기 몸체를 관통하여 설치되고 일단에 모터와 연결되어 상·하 동작하는 동작바와, 상기 동작바의 타단에 연결되고 상·하 동작되어 웨이퍼가 이송되게 하는 푸셔를 갖는 웨이퍼 이송장치에 있어서, 푸셔의 길이 방향의 양단에 소정의 거리를 두고 각각 설치된 스톱퍼와, 푸셔 양단의 스톱퍼를 연결하여 일체되어 왕복운동을 하도록 하는 로드와, 푸셔 양단의 스톱퍼중, 어느 하나의 스톱퍼와 연결되도록 상기 몸체 상에 설치된 피스톤을 포함하여 상기 푸셔 상에 로딩된 보우트 또는 캐리어를 소정의 길이로 이동하게 하는 것을 포함한다. 이와 같은 장치에 의해서, 웨이퍼의 이송시 보우트 또는 캐리어의 정확한 위치를 맞추어 웨이퍼를 이송할 수 있다. 따라서, 웨이퍼의 표면에 발생하는 흠집을 방지하고, 웨이퍼의 파손을 방지하여 웨이퍼 이송장치의 수율을 높일 수 있다.
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公开(公告)号：KR100169364B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950054644
申请日：1995-12-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/22
Abstract: 나선형 형태를 갖는 발열체인 코일(9)과, 가운데가 반원의 홈을 이루면서 2개가 합쳐지는 경우에 상기한 코일이 지지될 수 있는 원형의 공간이 형성됨과 동시에 좌우측이 결합홈이 형성되어 있는 세퍼레이터(11)와, 상기한 세퍼레이터의 둘레를 싸고 있는 내부 슬리브(3)와, 상기한 내부 슬리브의 외주면을 감싸고 있는 외부 슬리브(5)와, 상기한 외부 슬리브를 둘러싸고 있는 외각셀과, 상기한 외각셀과 외부 슬리브와 개스킷과 내부 슬리브를 관통하여 코일에 연결되어 있으며 상기한 코일에 전원을 공급함으로써 코일이 발열되도록 하는 터미널바(2)와, 상기한 터미널바를 지지하면서 터미널바가 외각셀과 전기적으로 단락되는 것을 방지하기 위한 터미널 페이서(1)와, 확산로의 입출구 역할을 하는 소프트 튜브(6)와, 상기한 소프트 튜브를 보호하기 위한 � ��각셀 막음(7)을 포함하여 이루어지며, 세퍼레이터의 구조를 변경함으로써 코일이 쉽게 새깅되지 못하도록 하고, 보온재의 재질 및 구조를 변경함으로써 확산로가 변경되는 것을 방지함과 동시에 단열효과도 높일 수 있는 효과를 가진 세깅현상 방지를 위한 확산로를 제공한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980077238A
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019970014267
申请日：1997-04-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/866
Abstract: 본 발명에 의한 제너 다이오드 제조방법은, 이원화된 두께의 산화막이 형성된 기판으로 고농도의 제 1 도전형 불순물을 확산시켜, 상기 기판 내에 제 1 도전형의 불순물 영역(P
+ 불순물 영역)을 형성하는 공정과, 상기 기판 표면이 소정 부분 노출되도록 상기 산화막을 식각하는 공정과, 표면이 노출된 상기 기판 내로 고농도의 제 2 도전형 불순물을 확산시켜, 상기 제 1 도전형의 불순물 영역과 소정 부분 오버랩되도록 상기 기판 내에 제 2 도전형의 불순물 영역(N
+ 불순물 영역)을 형성하는 공정 및, 상기 기판으로 3가의 제 1 도전형 불순물(Boron)을 이온주입하는 공정으로 이루어져, 1) 상기 기판내의 N
+ 불순물 영역으로 이온주입된 3가의 제 1 도전형 불순물이 상기 N
+ 불순물 영역 표면 근처에 잔존하는 과잉의 P(phosphrus)와 강제적으로 공유결합되므로, 산� ��막으로 트랩되는 핫 캐리어 량을 줄일 수 있게 되고, 2) 이로 인해 N
+ 불순물 영역의 표면 농도를 낮출 수 있게 되어 드리프트 현상을 제거할 수 있게 된다.-
公开(公告)号：KR1019970052121A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950054644
申请日：1995-12-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/22
Abstract: 나선형의 형태를 갖는 발열체인 코일(9)과, 가운데가 반원의 홈을 이루면서 2개가 합쳐지는 경우에 상기한 코일이 지지될 수 있는 원형의 공간이 형성됨과 동시에 좌우측이 결합홈이 형성되어 있는 세퍼레이터(11)와, 상기한 세퍼레이터의 둘레를 싸고 있는 내부 슬리브(3)와, 상기한 내부 슬리브의 외주면을 감싸고 있는 외부 슬리브(5)와, 상기한 외부 슬리브를 둘러싸고 있는 외각셀과, 상기한 외각셀과 외부 슬리브와 개스킷과 내부 슬리브를 관통하여 코일에 연결되어 있으며 상기한 코일에 전원을 공급함으로써 코일이 발열되도록 하는 터미널바(2)와, 상기한 터미널바를 지지하면서 터미널바가 외각셀과 전기적으로 단락되는 것을 방지하기 위한 터미널 페이서(1)와, 확산로의 입출구 역할을 하는 소프트 튜브(6)와, 상기한 소프트 튜브를 보호하기 위 외각셀 막음(7)을 포함하여 이루어지며, 세퍼레이터의 구조를 변경함으로써 코일이 쉽게 새깅되지 못하도록 하고, 보온재의 재질 및 구조를 변경함으로써 확산로가 변경되는 것을 방지함과 동시에 단열효과도 높일 수 있는 효과를 가진 세깅현상 방지를 위한 확산로를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1019960015763A
公开(公告)日：1996-05-22
申请号：KR1019940025501
申请日：1994-10-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
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公开(公告)号：KR1020170032633A
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：KR1020150130205
申请日：2015-09-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768 , H01L29/08 , H01L21/02
CPC classification number: H01L29/41791 , H01L21/28518 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/76856 , H01L21/76897 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/0924 , H01L27/1211 , H01L29/66545 , H01L29/7848 , H01L29/785
Abstract: 반도체장치는기판상에형성된소스/드레인층, 소스/드레인층 상에형성된금속실리사이드패턴, 및플러그를구비한다. 플러그는금속실리사이드패턴상에형성되고, 제2 금속패턴, 금속실리사이드패턴상면에접촉하여제2 금속패턴의저면및 측벽을커버하며 3nm 이하의두께를갖는금속질화패턴, 및금속실리사이드패턴상면에접촉하며금속질화패턴의외측벽을커버하는제1 금속패턴을포함한다.
Abstract translation: 该半导体器件包括形成在衬底上的源极/漏极层，形成在源极/漏极层上的金属硅化物图案以及插塞。 插塞形成在金属硅化物图案上并且包括第二金属图案，与金属硅化物图案的上表面接触并且覆盖第二金属图案的底部和侧壁并具有3nm或更小的厚度的金属氮化物图案， 以及覆盖金属氮化物图案的外壁的第一金属图案。
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公开(公告)号：KR1019970018186A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019950033255
申请日：1995-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
Abstract: 본 발명은 반도체 제조장치에 있어서, 웨이퍼에 형성되는 자연 산화막을 시각하기 위해 웨이퍼를 소정의 이송경로로 이동시키는 컨베어 시스템과, 상기 컨베어 시스템에 의해서 이송되는 웨이퍼에 적정량의 시각액을 분사하여 세정하는 식각액 공급부과, 상기 식각액 공급부에 의해서 시각된 자연 산화막을 제거하도록 중수(Distalled Water)를 분사하는 디 아이(DI) 공급부와, 상기 DI 공급부를 통과해 산화막이 제거된 웨이퍼를 건조시킬 수 있는 일정량의 질소(N
2 ) 가스를 분출하는 질소(N
2 ) 공급부; 및 상기 질소(N
2 ) 공급부에서 건조된 웨이퍼를 순차적으로 탑재하는 저장부로 구성되어, 수동적인 작업부분을 줄이고, 연속 진행할 수 있는 컨베이어 시스템을 도입하여, 프로세서 자체의 많은 요소기술 사이의 세정과정을 원활히 수행함으로써, 전도도 및 결합력을 좋게하여 제품 수율 및 신뢰성을 높일 수 있는 반도체 제조 장치에 관한 것이다.
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