公开(公告)号：KR100930096B1

公开(公告)日：2009-12-07

申请号：KR1020070057996

申请日：2007-06-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이혁재 ,  조정훈 ,  조세휘 ,  양윤식 ,  임용규

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/00

Abstract: 노즐관 내부로 플라즈마가 확산되고 플라즈마가 유지되는 것을 감소시켜 불순물 형성을 방지하고, 증착된 박막의 두께 균일도를 개선시킬 수 있는 플라즈마를 이용한 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법에 대하여 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 박막 증착 장치는 기판 홀더 및 내벽에 의해 한정되는 내부 공간을 가진 챔버; 및 상기 챔버의 상기 내벽에 고정되는 일단부; 상기 챔버의 상기 내부 공간으로 향하는 타단부; 상기 일단부로부터 상기 타단부를 관통하는 유로; 및 상기 타단부에 상기 유로를 개방시키는 하나 이상의 슬릿을 포함하는 노즐관을 포함한다.
고밀도 플라즈마 화학기상증착(HDP CVD), 슬릿, 노즐관

Abstract translation: 提供一种用于沉积薄膜的设备和方法，以通过防止在供应处理气体的喷嘴管中形成杂质来获得具有均匀厚度的薄膜。 一种用于沉积薄膜的设备包括具有由衬底支架（40）和腔室的内壁限定的内部空间的腔室（10）以及喷嘴管（30）。 喷嘴管包括固定到腔室的内壁的第一端部部分（31），朝向腔室的内部空间延伸的第二端部部分（32），流体路径（33），其延伸穿过第一端部部分到达 喷嘴管的第二端部以及形成在喷嘴管的第二端部中以打开流体路径的至少一个狭缝（34）。 喷嘴管包括较长的喷嘴管和较短的短喷嘴管。

公开(公告)号：KR1020110004670A

公开(公告)日：2011-01-14

申请号：KR1020090062221

申请日：2009-07-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최재형 ,  유차영 ,  이종철 ,  윤경렬 ,  임기빈 ,  최훈상 ,  오세훈 ,  조세휘

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L28/91

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided to suppress leakage current and fail bits by arranging dielectric layers with different properties in a multi-layered dielectric structure. CONSTITUTION: A first electrode(110) is formed on a substrate(100). A multi-layered dielectric structure(120a) is formed on the first electrode. The multi-layered dielectric structure includes a first dielectric layer(112) and a second dielectric layer(114). A second electrode(130) is formed on the multi-layered dielectric structure. The first and second electrodes function as the lower electrode and the upper electrode of a capacitor structure(150a).

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以通过在多层电介质结构中布置具有不同性质的电介质层来抑制漏电流和故障位。 构成：在基板（100）上形成第一电极（110）。 在第一电极上形成多层电介质结构（120a）。 多层电介质结构包括第一电介质层（112）和第二电介质层（114）。 第二电极（130）形成在多层电介质结构上。 第一和第二电极用作电容器结构（150a）的下电极和上电极。

公开(公告)号：KR1020080036913A

公开(公告)日：2008-04-29

申请号：KR1020070057996

申请日：2007-06-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이혁재 ,  조정훈 ,  조세휘 ,  양윤식 ,  임용규

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/00

Abstract: An apparatus and a method for depositing a thin film are provide to obtain a thin film having a uniform thickness by preventing impurities from being formed in a nozzle tube that supplies processing gas. An apparatus for depositing a thin film comprises a chamber(10) having an internal space defined by a substrate holder(40) and an inner wall of the chamber, and a nozzle tube(30). The nozzle tube includes a first end portion(31) fixed to the inner wall of the chamber, a second end portion(32) extending toward the internal space of the chamber, a fluid path(33) extending through the first end portion to the second end portion of the nozzle tube, and at least one slit(34) formed in the second end portion of the nozzle tube to open the fluid path. The nozzle tube includes a long nozzle tube and a short nozzle tube shorter.

Abstract translation: 提供一种用于沉积薄膜的设备和方法，以通过防止在提供处理气体的喷嘴管中形成杂质来获得具有均匀厚度的薄膜。 一种用于沉积薄膜的设备包括具有由衬底保持器（40）和室的内壁限定的内部空间的腔室（10）和喷嘴管（30）。 所述喷嘴管包括固定到所述室的内壁的第一端部（31），朝向所述室的内部空间延伸的第二端部（32），流过所述第一端部的流体路径（33） 所述喷嘴管的第二端部和形成在所述喷嘴管的所述第二端部中的至少一个狭缝（34），以打开所述流体路径。 喷嘴管包括较长的喷嘴管和较短的喷嘴管。