Abstract:
A memory device includes a fuse device which includes a fuse cell array. The fuse cell array includes a first sub fuse cell array which stores first data related to the operation condition of the fuse device and a second sub fuse cell array which stores second data related to the operation condition of the memory device.
Abstract:
PURPOSE: A reference signal allocation method at the multicell environment, a management method, a network device applied with method thereof, and a terminal are provided to efficiently assign the reference signal pattern to a plurality of femto cells through the long-term coordination of the central control unit. CONSTITUTION: A central control unit receives the femto cell information from a network device located one or more femto cells which are adjacent to one or more neighbor cell respectively(504). The central control unit receives the reference signal reuse pattern information request signal from the network device of the femto cell(506). The central control unit transmits the reference signal reuse pattern information allocated according to the selected standards to the network device(508). The reference signal reuse pattern information is allocated with the selected standards for the adjacent cell and the femto cell located in the multicell environment to the time-sharing method.
Abstract:
A method and circuits for a row address decoding for use in a semiconductor memory device is provided to increase decoding speed by reducing a time required for a row decoding. A repair check unit(130) checks a row address inputted in response to an RAS(row address strobe) signal. A pre-decoder(140) performs pre-decoding of an inputted row address for the checking time of the repair check part and generates decoded address signal. A latch unit(150) latches a block selection signal inputted from the outside, and the word line decoder(190) perform word lien decoding by using a decode address signal from the latch unit.
Abstract:
A method and an apparatus to control a power down mode of a DLL circuit are provided to remove a clock initializing circuit from a latency counter by preventing a glitch clock from being generated in the DLL(Delay Locked Loop). An apparatus to control a power down mode of a DLL circuit includes a first switching unit(320), a DLL(330), and a second switching unit(340). The first switching unit delivers a first clock signal in response to a clock input enable signal. The DLL receives the first clock signal from the first switching unit, generates a second clock signal, and is turned off in response to a power down signal. The power down signal is generated from the first clock signal, which is frozen by the first switching unit. The second switching unit delivers the second clock signal in response to the clock output enable signal.
Abstract:
지연특성 미스매치(mismatch)에 의한 영향을 줄일 수 있고 또한 칩 면적을 감소시킬 수 있는 반도체 메모리장치의 블록 디코딩 회로가 개시된다. 상기 블록 디코딩 회로에서는, 리페어 어드레스 체크회로와 최대한 유사하게, 즉 실질적으로(substantially) 동일하게 구성되는 더미 리페어 어드레스 체크회로가 구비되고 상기 더미 리페어 어드레스 체크회로가 지연기의 역할을 한다. 또한 상기 더미 리페어 어드레스 체크회로는 블록 선택 어드레스 및 워드라인 선택 어드레스가 입력되는 어드레스 라인들의 입력지점으로부터 가장 먼 곳에 연결되는 리페어 어드레스 체크회로 근처에 배치된다. 그리고 블록선택 인에이블 신호 라인의 부하는 리페어 판별신호 라인의 부하와 거의 동일해 지도록 설계된다. 이에 따라 상기 블록 디코딩 회로에서는 지연특성 미스매치(mismatch)에 의한 영향이 줄어들고 그 결과 블록 선택신호들이 오동작없이 정상적으로 발생될 수 있다. 또한 상기 블록 디코딩 회로는 종래기술에서 사용되는 다수개의 지연기들을 사용하지 않으므로 칩 면적을 감소시킬 수 있는 장점이 있다. 블록 디코딩 회로(200), 블록 디코더(B21-B24), 리페어 어드레스 체크회로(R21-R24), 더미 리페어 어드레스 체크회로(D21)
Abstract:
간섭 판단 장치가 개시된다. 간섭 판단 장치는 제1 네트워크(primary network)의 제1 신호 및 제2 네트워크(secondary network)의 제2 신호를 수신하는 신호 수신부, 상기 제1 신호에 포함된 제1 사이클릭 프리픽스(cyclic prefix)의 상호 상관값 및 상기 제2 신호에 포함된 제2 사이클릭 프리픽스의 상호 상관값을 계산하는 상호 상관기(correlator) 및 상기 제1 사이클릭 프리픽스의 상호 상관값 및 상기 제2 사이클릭 프리픽스의 상호 상관값을 이용하여 상기 제1 네트워크 및 상기 제2 네트워크 사이에서 발생하는 간섭이 있는지 여부 또는 간섭 레벨을 판단하는 간섭 판단부를 포함한다. 간섭, 인지 무선, 사이클릭 프리픽스, 상호 상관, OFDM