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公开(公告)号:KR1020170106044A
公开(公告)日:2017-09-20
申请号:KR1020160029665
申请日:2016-03-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/52 , H01L33/62
Abstract: 본발명의발광소자는발광구조물; 상기발광구조물상에형성된전류차단층; 상기전류차단층상에형성된반사층; 상기반사층을커버하도록형성된보호층; 상기보호층상부에형성된전극층을포함한다.
Abstract translation: 本发明的发光器件包括发光结构; 形成在发光结构上的电流阻挡层; 形成在电流阻挡层上的反射层; 形成为覆盖反射层的保护层; 并且在保护层上形成电极层。
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公开(公告)号:KR1020150087445A
公开(公告)日:2015-07-30
申请号:KR1020140006667
申请日:2014-01-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/382 , H01L2224/16225 , H01L2924/10155
Abstract: 일실시예는, 제1 및제2 영역으로구분된상면을갖는제1 도전형반도체층과, 상기제1 도전형반도체층의제2 영역상에순차적으로배치된활성층과제2 도전형반도체층을갖는반도체적층체와, 상기제1 도전형반도체층의제1 영역상에배치된제1 콘택전극과, 상기제2 도전형반도체층상에배치된제2 콘택전극과, 상기제2 콘택전극상에배치되며, 제1 저항을갖는제1 도전막과상기제1 저항보다작은제2 저항을갖는제2 도전막이교대로적층된전류분산층과, 상기제1 콘택전극에전기적으로접속된제1 전극패드와, 상기제2 콘택전극에전기적으로접속되도록상기전류분산층의일부영역에배치된제2 전극패드를포함하는반도체발광소자를제공한다.
Abstract translation: 本发明提供一种半导体发光器件,其特征在于,包括:具有第一导电半导体层的半导体层叠体,所述第一导电半导体层具有被划分为第一和第二区域的上表面,以及有源层和第二导电半导体层, 导电半导体层; 布置在第一导电半导体层的第一区域上的第一接触电极; 布置在所述第二导电半导体层上的第二接触电极; 布置在第二接触电极上的电流散射层,其中具有第一电阻的第一导电膜和具有小于第一电阻的第二电阻的第二导电膜交替布置; 电连接到第一接触电极的第一电极焊盘; 以及布置在电流散射层的一些区域上以电连接到第二接触电极的第二电极焊盘。
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公开(公告)号:KR1020170018201A
公开(公告)日:2017-02-16
申请号:KR1020150111296
申请日:2015-08-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2924/181 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명의일 실시예는, 제1 및제2 도전형반도체층과, 상기제1 및제2 도전형반도체층사이에배치된활성층을가지며, 상기제2 도전형반도체층과상기활성층을관통하여상기제1 도전형반도체층의일부영역을노출하는트렌치를갖는반도체적층체와, 상기트렌치의내부측벽에배치된제1 절연층과, 상기제2 도전형반도체층상에배치된전류분산층과, 상기제1 도전형반도체층의노출영역에배치된제1 전극지(finger electrode)를갖는제1 전극과, 상기제1 전극지를덮도록상기제1 도전형반도체층의노출영역에배치된제2 절연층과, 상기트렌치내에배치되며상기전류분산층에연결된제2 전극지를갖는제2 전극을포함하는반도체발광소자를제공한다.
Abstract translation: 提供半导体发光器件。 该器件包括半导体叠层,绝缘层,电流扩展层以及第一和第二指状电极。 半导体堆叠包括第一和第二导电类型半导体层,第一和第二导电类型半导体层之间的有源层和穿过第二导电类型半导体层和有源层的沟槽,以暴露部分 第一导电型半导体层。 第一绝缘层设置在沟槽的内侧壁上。 电流扩散层设置在第二导电型半导体层上。 第一指状电极设置在第一导电型半导体层的露出部分上。 第二绝缘层设置在第一导电类型半导体层的暴露部分上以覆盖第一指状电极。 第二指状电极设置在沟槽中并连接到电流扩散层。
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