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公开(公告)号:KR1020170099444A
公开(公告)日:2017-09-01
申请号:KR1020160021242
申请日:2016-02-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/762 , H01L21/02
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L28/00 , H01L29/045 , H01L29/4236
Abstract: 반도체장치가제공된다. 반도체장치는트렌치를포함하는반도체기판및 상기트렌칭를덮는절연막을포함한다. 상기반도체기판은결정구조를가지며, 상기트렌치는상기결정구조의 {320} 면을갖는내측벽을포함한다.
Abstract translation: 提供了一种半导体器件。 该半导体器件包括具有沟槽和覆盖该沟槽的绝缘膜的半导体衬底。 半导体衬底具有晶体结构,并且沟槽包括具有晶体结构的{320}面的内壁。