公开(公告)号：KR101025846B1

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：KR1020040073082

申请日：2004-09-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박완준 ,  정병호 ,  배은주 ,  코시나에치. ,  포팻엠.

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L27/283 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0554

Abstract: 탄소나노튜브 채널을 포함하는 반도체 장치의 트랜지스터 및 그 제조 방법이 개시되어 있다. 여기서 본 발명은 탄소나노튜브 채널 위쪽에 게이트 절연막을 사이에 두고 절연된 적어도 두 개의 게이트 전극을 구비하고, 상기 두 개의 게이트 전극은 각각 자신에 인접한 금속층과 겹치는 반도체 장치의 트랜지스터 및 그 제조 방법을 제공한다. 이러한 본 발명을 이용하면, 소수 캐리어가 탄소나노튜브 채널에 유입되는 것을 억제할 수 있어 소수 캐리어와 다수 캐리어가 모두 채널에 유입됨으로써 누설 전류가 발생되는 것을 방지할 수 있고, 상기 누설 전류 발생에 따른 트랜지스터의 특성 저하를 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060024193A

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：KR1020040073082

申请日：2004-09-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박완준 ,  정병호 ,  배은주 ,  코시나에치. ,  포팻엠.

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L27/283 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0554 ,  H01L21/823462

Abstract: 탄소나노튜브 채널을 포함하는 반도체 장치의 트랜지스터 및 그 제조 방법이 개시되어 있다. 여기서 본 발명은 탄소나노튜브 채널 위쪽에 게이트 절연막을 사이에 두고 절연된 적어도 두 개의 게이트 전극을 구비하는 반도체 장치의 트랜지스터 및 그 제조 방법을 제공한다. 이러한 본 발명을 이용하면, 소수 캐리어가 탄소나노튜브 채널에 유입되는 것을 억제할 수 있어 소수 캐리어와 다수 캐리어가 모두 채널에 유입됨으로써 누설 전류가 발생되는 것을 방지할 수 있고, 상기 누설 전류 발생에 따른 트랜지스터의 특성 저하를 방지할 수 있다.