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公开(公告)号：KR100982419B1
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：KR1020030028000
申请日：2003-05-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28 , H01L21/768 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/28562 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C2213/16 , H01L21/76879 , H01L23/485 , H01L23/5226 , H01L23/53276 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/16 , H01L2221/1094 , H01L2924/0002 , Y10S977/75 , H01L2924/00
Abstract: 탄소나노튜브를 이용한 반도체 소자의 배선 형성 방법 및 이 방법에 의해 제조된 반도체 소자가 개시된다. 개시된 반도체 소자의 배선 형성 방법은, 반도체 소자의 전극의 표면을 전처리하여 활성화시키는 단계와, 전극 위에 절연층을 형성한 뒤 절연층에 전극의 활성화된 표면의 일부를 노출시키는 컨택홀을 형성하는 단계와, 컨택홀을 통해 전극의 활성화된 표면에 탄소가 함유된 가스를 주입하여 전극의 활성화된 표면으로부터 탄소나노튜브를 성장시켜 배선을 형성하는 단계를 구비한다. 한편, 전극의 표면을 활성화시키는 단계는 전극의 표면에 촉매금속층을 형성하는 단계로 대체될 수 있다. 이와 같은 배선 형성 방법에 의하면, 높은 전류밀도를 가지는 탄소나노튜브를 사용하여 반도체 소자의 배선을 형성할 수 있게 되어, 초고집적의 반도체 소자를 제조할 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR1020100091932A
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：KR1020100066998
申请日：2010-07-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/732 , H01L29/78 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/7827 , B82Y10/00 , H01L21/823412 , H01L29/4236 , H01L29/66666 , H01L2221/1094
Abstract: PURPOSE: The carbon nanotube transistor having the gate structure of getting buried comprises the gate which is formed in the around the carbon nanotube into the longitudinal direction getting buried of structure. CONSTITUTION: The insulating layer comprises the gate hole(101) and CNT hole(102) of nano-size. In the CNT(carbon nanotube transistor) hole, the carbon nanotube(110) locates. In both ends of the carbon nanotube, the drain electrode(120) and source electrode(130) are electrically connected. In the around the gate hole, the gate electrode(142) locates. The gate electrode comprises the extension part(143) expnded as the longitudinal direction of the carbon nanotube.
Abstract translation: 目的：具有掩埋栅极结构的碳纳米管晶体管包括形成在碳纳米管周围的栅极，被埋设在纵向方向。 构成：绝缘层包括纳米尺寸的门孔（101）和CNT孔（102）。 在CNT（碳纳米管晶体管）孔中，碳纳米管（110）位于。 在碳纳米管的两端，漏电极（120）和源电极（130）电连接。 在栅极孔周围，栅电极（142）位于。 栅极电极包括作为碳纳米管的长度方向分布的延伸部（143）。
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公开(公告)号：KR1020090079427A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：KR1020080005381
申请日：2008-01-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L51/0525 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/174 , C01B2202/02 , C23C16/403 , C23C16/45525 , H01L21/3141 , H01L51/0048 , B82B3/0061
Abstract: Provided are a method for fabricating a metal oxidized film on a carbon nanotube and a carbon nanotube transistor using the same. A method for fabricating a metal oxidized film on a carbon nanotube comprises: a first step of forming a chemical functional group(132) on the surface of a carbon nanotube(130); and a second step of forming the metal oxidized film on the carbon nanotube with the chemical functional group. The chemical functional group includes a hydroxyl group. For the introduction of the chemical functional group, metal oxidized film forming precursors and water are supplied into a reaction chamber at the same time.
Abstract translation: 提供了在碳纳米管上制造金属氧化膜的方法和使用其的碳纳米管晶体管。 在碳纳米管的表面上形成金属氧化膜的方法包括：在碳纳米管（130）的表面上形成化学官能团（132）的第一工序; 以及在具有化学官能团的碳纳米管上形成金属氧化膜的第二步骤。 化学官能团包括羟基。 为了引入化学官能团，同时将金属氧化膜形成前体和水供入反应室。
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公开(公告)号：KR1020090079426A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：KR1020080005380
申请日：2008-01-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B82B3/00
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J2201/30469 , H01L51/0013 , H01L51/0048 , H01L51/0508
Abstract: A method for transferring carbon nanotubes is provided to secure the carbon nanotubes with desired length, position and direction transferred on a substrate. A method for transferring carbon nanotubes comprises: the first step of forming the carbon nanotubes(18) on the first substrate(10) in a vertical direction; the second step of preparing the second substrate(30) on which the carbon nanotubes are to be transferred; the third step of aligning the first substrate on the second substrate so that the carbon nanotubes face the second substrate; and the fourth step of pressurizing the second substrate toward the first substrate in order to transfer the carbon nanotubes onto the second substrate.
Abstract translation: 提供了一种用于转移碳纳米管的方法，以将所需长度，位置和方向的碳纳米管固定在基底上。 一种转移碳纳米管的方法包括：在垂直方向上在第一衬底（10）上形成碳纳米管（18）的第一步骤; 制备在其上转移碳纳米管的第二基板（30）的第二步骤; 将第一基板对准第二基板以使碳纳米管面对第二基板的第三步骤; 以及将第二基板朝向第一基板加压以将碳纳米管转移到第二基板上的第四步骤。
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公开(公告)号：KR1020070072726A
公开(公告)日：2007-07-05
申请号：KR1020060000164
申请日：2006-01-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C01G9/02 , B82Y30/00 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/16 , C01P2004/64 , Y10S977/762 , Y10S977/81 , Y10S977/811
Abstract: A method for manufacturing zinc oxide(ZnO) nano-wires comprising formation of ZnO seed layer is provided to produce the nano-wires with smaller diameter than typical nano-wires and high density by forming the ZnO seed layer containing a large amount of hydroxyl groups then growing the nano-wires on the seed layer. The method comprises the steps of: forming a ZnO seed layer(2) containing more than 50% of hydroxyl groups on a substrate(1); and growing ZnO nano-wires on the ZnO seed layer. The ZnO seed layer is ZnO seed film formed by vaporizing Zn raw material and an oxidation raw material prepared of H2O or H2O2. The ZnO seed layer is prepared by forming the ZnO seed film on the substrate then surface treating the surface of the ZnO seed film with hydroxyl group containing material. The surface treatment is performed by reacting the ZnO seed film in a water solution containing hydroxyl groups.
Abstract translation: 提供了一种制造包含ZnO种子层形成的氧化锌（ZnO）纳米线的方法，以通过形成含有大量羟基的ZnO种子层来制造具有比典型纳米线更小的直径和高密度的纳米线 然后在种子层上生长纳米线。 该方法包括以下步骤：在衬底（1）上形成含有多于50％的羟基的ZnO种子层（2）; 并在ZnO种子层上生长ZnO纳米线。 ZnO种子层是通过蒸发Zn原料和由H 2 O或H 2 O 2制备的氧化原料形成的ZnO种子膜。 通过在衬底上形成ZnO种子膜，然后用含羟基的材料对ZnO种子膜的表面进行表面处理来制备ZnO种子层。 表面处理通过使ZnO种子膜在含有羟基的水溶液中反应来进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070000683A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：KR1020050056228
申请日：2005-06-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/17 , H01J2201/30469 , Y10S977/84 , Y10S977/842 , Y10S977/845
Abstract: A method of selectively removing carbonaceous impurities from sulfur combined CNT is provided to eliminate amorphous carbon fraction from CNT under vacuum condition in sealed space by sulfidation of carbon impurities from the CNT synthesized in a semiconductor device. The method comprises: a first step of preparing sulfur and carbon nano-tube in a closed space; and a second step of removing impurities adhered to the carbon nano-tube by sulfidation. The second step includes further a step of heating the impurities of the carbon nano-tube up to more than temperature of sulfidation. The heating step is performed by maintaining the closed space at about 300deg.C for more than 30 minutes. The second step includes further a step of vacuum formation in the closed space by completely exhausting air out of the space before the heating step. Alternatively, the method comprises: a first step of preparing a device containing sulfur and carbon nano-tube; and a second step of removing impurities on surface of the carbon nano-tube.
Abstract translation: 提供从硫组合CNT中选择性除去含碳杂质的方法，以在密封空间中通过在半导体器件中合成的CNT的碳杂质硫化来在真空条件下从CNT消除无定形碳馏分。 该方法包括：在封闭空间中制备硫和碳纳米管的第一步骤; 以及通过硫化除去粘附到碳纳米管上的杂质的第二步骤。 第二步还包括将碳纳米管的杂质加热至多于硫化温度的步骤。 加热步骤通过将封闭空间保持在约300℃下进行30多分钟。 第二步骤还包括通过在加热步骤之前将空气从空间中完全排出而在封闭空间中形成真空的步骤。 或者，该方法包括：制备含有硫和碳纳米管的装置的第一步骤; 以及除去碳纳米管表面上的杂质的第二步骤。
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公开(公告)号：KR101322708B1
公开(公告)日：2013-10-29
申请号：KR1020060000164
申请日：2006-01-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C01G9/02 , B82Y30/00 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/16 , C01P2004/64 , Y10S977/762 , Y10S977/81 , Y10S977/811
Abstract: 직경이 작고 긴 산화아연 나노와이어의 제조방법이 개시된다. 상기 제조방법은 기판 위에 히드록실기가 함유된 ZnO 시드층을 형성하는 단계; 및 상기 히드록실기가 함유된 ZnO 시드층 위에 ZnO 나노와이어를 성장시키는 단계;를 포함한다. 상기 ZnO 시드층은 히드록실기를 50% 이상 함유한 ZnO 시드 박막인 것이 바람직하다.
산화아연, ZnO, 나노와이어, 나노선, 히드록실기, OH-
公开(公告)号：KR101015498B1
公开(公告)日：2011-02-21
申请号：KR1020030038521
申请日：2003-06-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/772 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L51/057 , B82Y10/00 , G11C2213/18 , H01L51/0048
Abstract: 수직 카본나노튜브를 전계효과트랜지스터 및 그 제조방법에 관해 개시한다. 개시된 제조방법은 제 1 전극 상에 제1매립층 및 제2매립층 그리고 제1매립층 및 제2매립층 사이의 희생층을 포함하는 다중적층을 형성하는 단계; 상기 다중적층에 수직의 우물을 형성하는 단계; 상기 우물에 CNT를 성장하는 단계; 상기 우물이 형성된 다중적층 위에 상기 CNT에 접속되는 제2전극을 형성하는 단계; 상기 제2전극위에 보호층을 형성하는 단계; 상기 희생층을 제거하여 제1매립층과 제2매립층 사이로 CNT를 노출시키는 단계; 상기 CNT의 노출면에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 상기 수직의 CNT를 둘러싸는 게이트를 게이트 절연층 상에 형성하는 단계;를 포함한다. 따라서, 채널은 게이트에 의해 완전히 둘러싸이게 되며, 따라서 게이트의 전계효과가 극대화된다. 또한, 완전히 둘러싸인 채널에 형성되는 공핍층 (depletion layer)이 일종의 완전한 공핍층(fully depletion layer)이 되기 때문에 Ion/Ioff가 향상된다.
전계효과, 트랜지스터, 카본나노튜브, 수직형, 에워싸인-
公开(公告)号：KR100958055B1
公开(公告)日：2010-05-13
申请号：KR1020030028173
申请日：2003-05-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/335 , B82Y40/00
Abstract: 카본나노튜브를 채널로 적용한 전계효과트랜지스터 및 그 제조방법에 관해 개시한다. 개시된 트랜지스터는 기판에 나란히 배치되는 카본나노튜브 또는 카본나노튜브 번들에 의한 채널을 구비하며, 채널은 게이트에 의해 완전히 둘러싸인 구조를 가진다. 게이트가 채널 영역을 완전히 둘러싸고 있으므로 게이트의 전계효과를 극대화된다. 또한, 완전히 둘러싸인 채널에 형성되는 공핍층 (depletion layer)은 일종의 완전한 공핍층(fully depletion layer)이 되기 때문에 Ion/Ioff를 극대화할 수 있게 된다.
전계효과, 트랜지스터, 카본나노튜브, 수평형, 에워싸인-
公开(公告)号：KR100803210B1
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：KR1020060031933
申请日：2006-04-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브를 이용한 전계 방출 전극, 이를 이용한 전계 방출 소자 및 그 제조방법에 관하여 개시한다. 개시된 탄소나노튜브를 이용한 전계 방출 전극은, 기판 상에 형성된 ZnO층; 및 상기 ZnO층 상에 형성된 탄소나노튜브를 구비한다. 따라서, ZnO층 상에 형성한 단일벽 탄소나노튜브를 포함하는 전극을 전계 방출 소자에 적용하여 구동 전압을 낮출 수 있는 효과가 있다.
단일벽 탄소나노튜브, ZnO, 전계 방출 전극, 촉매, 물플라즈마 화학기상증착법
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