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公开(公告)号：WO2013024915A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：PCT/KR2011/006014
申请日：2011-08-17
IPC: H01L21/203 , C23C14/35 , H01L21/285
CPC classification number: H01J37/3411 , C23C14/0641 , C23C14/34 , H01L31/1884 , H01L33/42 , Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 일 측면은, 기판 위에 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층과, 그 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계와, 기판 상에 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층과 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계와, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 상기 제2 도전형 질화물 반도체층의 일부 영역이 노출되는 포토레지스트막을 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트막에 의하여 노출된 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 위에 제2 전극 구조로서 반사 금속층 및 배리어 금속층을 연속으로 형성한 후 상기 포토레지스트막을 제거하는 단계를 포함하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.
Abstract translation: 根据本发明的一个方面，提供一种用于制造由此制造的氮化物半导体发光器件和氮化物半导体发光器件的方法。 制造氮化物半导体发光器件的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一和第二导电型氮化物半导体层，以在第一和第二导电型氮化物半导体层之间形成包括有源层的发光结构; 依次形成第一导电型氮化物半导体层，有源层和第二导电型氮化物半导体层; 形成连接到所述第一导电型氮化物半导体层的第一电极; 在所述第二导电型氮化物半导体层上形成光致抗蚀剂膜以暴露所述第二导电型氮化物半导体层的一部分; 在用光致抗蚀剂膜曝光的第二导电型氮化物半导体层上依次形成用作第二电极的反射金属层和阻挡层之后，除去光致抗蚀剂膜。
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公开(公告)号：KR101673955B1
公开(公告)日：2016-11-08
申请号：KR1020100063790
申请日：2010-07-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0079 , H01L2933/0091
Abstract: 본발명은반도체발광소자및 이를제조방법에관한것으로서, 본발명의일 측면은서로대향하는제1 및제2 주면을갖는기판을마련하여상기제1 주면에제1 요철구조를형성하는단계와, 상기기판의제1 주면상에희생층을형성하는단계와, 상기희생층상에상기희생층상면중 일부를노출시키도록오픈영역을갖는마스크를형성하는단계와, 상기오픈영역을통하여상기희생층및 상기기판을식각하여상기기판에제2 요철구조를형성하는단계와, 상기희생층과상기마스크를상기기판으로부터제거하는단계및 상기기판의제1 및제2 요철구조상에발광적층체를형성하는단계를포함하는반도체발광소자제조방법을제공한다.
Abstract translation: 公开了一种半导体发光器件及其制造方法。 该方法包括提供具有彼此相对的第一和第二主表面的衬底，并且在第一主表面中形成第一不平坦结构，在衬底的第一主表面上形成牺牲层，在牺牲层上形成具有开放区域的掩模 以便暴露牺牲层的上表面的一部分，通过通过开放区域蚀刻牺牲层和衬底，在衬底中形成第二不均匀结构，从衬底去除牺牲层和掩模，并形成 发光堆叠在基板的第一和第二不平坦结构上。
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公开(公告)号：KR1020120002821A
公开(公告)日：2012-01-09
申请号：KR1020100063524
申请日：2010-07-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/203
CPC classification number: H01J37/3476 , C23C14/34 , C23C14/54 , H01J37/32623 , H01L33/42
Abstract: PURPOSE: A sputtering device and method for forming a transparent conductive film of an emitting device is provided to prevent the deterioration of a p-type semiconductor by controlling the influence of plasma. CONSTITUTION: A target receiving part(110) is located in one inner side wall of a chamber. A substrate receiving part(130) is formed in a location which faces the target receiving part. Metal net filters(190) having more than 2 layers are formed between the target receiving part and the substrate receiving part. At least one layer among the metal net filters having more than 2 layers is used for forming the transparent conductive film of an emitting device which is used as a grounding electrode. The metal net filters having more than 2 layers have a mesh type or a stripe type scale.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成发光器件的透明导电膜的溅射装置和方法，以通过控制等离子体的影响来防止p型半导体的劣化。 构成：目标接收部分（110）位于室的一个内侧壁中。 基板接收部（130）形成在面向目标接收部的位置。 在目标接收部分和基板接收部分之间形成具有多于2层的金属网过滤器（190）。 使用具有2层以上的金属网过滤器中的至少一层用于形成用作接地电极的发光器件的透明导电膜。 具有2层以上的金属网过滤器具有网状或条形标尺。
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公开(公告)号：KR1020000013035A
公开(公告)日：2000-03-06
申请号：KR1019980031670
申请日：1998-08-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: PURPOSE: A metal interconnect forming method semiconductor device is provided to prevent lifting when a metal line is deposed. CONSTITUTION: A capping layer and an insulating layer are successively etching down to a top surface of a semiconductor substrate to form a contact hole. A Supplementary impurities ion is implanted to the semiconductor substrate via the contact hole to reduce a contact resistor in the semiconductor substrate. A cleaning process is performed to remove the insulating layer on a bottom of contact hole. In the cleaning process, an injury part of the insulating layer are removed to expand width of opening portion. The capping layer is removed by wet etching. The contact hole is filled with a conductive layer.
Abstract translation: 目的：提供一种金属互连成形方法半导体器件，以防止金属线被放电时的提升。 构成：覆盖层和绝缘层相继蚀刻到半导体衬底的顶表面以形成接触孔。 辅助杂质离子通过接触孔注入到半导体衬底中以减少半导体衬底中的接触电阻。 进行清洁处理以去除接触孔底部的绝缘层。 在清洁过程中，去除绝缘层的损伤部分以扩大开口部分的宽度。 通过湿法蚀刻去除覆盖层。 接触孔填充有导电层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130066164A
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：KR1020110132878
申请日：2011-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/382 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device manufacturing method and a semiconductor light emitting device which is manufactured by using the method are provided to minimize the plasma damage toward the semiconductor layer, thereby improving the efficiency of the light emitting device. CONSTITUTION: A light emitting structure which includes a first conductive type semiconductor layer(32), an active layer(34), and a second conductive semiconductor layer(36) are formed on a substrate. An insulating layer is formed on the light emitting structure by an atomic layer deposition method. A current blocking layer(42) is formed by etching the insulating layer, by using a mask. A current spreading layer is formed on the current blocking layer and an exposed second conductive semiconductor layer. An electrode is formed on the current spreading layer of an area which perpendicularly corresponded to the current blocking layer.
Abstract translation: 目的：提供通过使用该方法制造的半导体发光器件制造方法和半导体发光器件，以使对半导体层的等离子体损伤最小化，从而提高发光器件的效率。 构成：在基板上形成包括第一导电型半导体层（32），有源层（34）和第二导电半导体层（36）的发光结构。 通过原子层沉积法在发光结构上形成绝缘层。 通过使用掩模蚀刻绝缘层形成电流阻挡层（42）。 在电流阻挡层和暴露的第二导电半导体层上形成电流扩散层。 在与电流阻挡层垂直的区域的电流扩散层上形成电极。
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公开(公告)号：KR1020110084645A
公开(公告)日：2011-07-26
申请号：KR1020100004302
申请日：2010-01-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/22
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device is provided to suppress total reflection due to the difference of the refractive indexes between a material configuring a semiconductor layer and air or an encapsulating material, thereby increasing light extracting efficiency. CONSTITUTION: A light emitting structure(20) is formed on a substrate. The light emitting structure includes a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer. A transparent electrode(30) is formed on the light emitting structure. A light emitting surface of the transparent electrode has an uneven surface. An n-type electrode and a p-type electrode are electrically connected to a first conductive semiconductor layer and a second conductive semiconductor layer. A passivation layer(50) protects the transparent electrode, the n-type electrode, and the p-type electrode. A gradual refractive index layer is formed on a light emitting surface of the transparent electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光器件，用于抑制由构成半导体层的材料与空气或封装材料之间的折射率差异引起的全反射，从而提高光提取效率。 构成：在基板上形成发光结构（20）。 发光结构包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层。 形成在发光结构上的透明电极（30）。 透明电极的发光表面具有不平坦的表面。 n型电极和p型电极电连接到第一导电半导体层和第二导电半导体层。 钝化层（50）保护透明电极，n型电极和p型电极。 在透明电极的发光面上形成渐缩折射率层。
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公开(公告)号：KR1020080071648A
公开(公告)日：2008-08-05
申请号：KR1020070009735
申请日：2007-01-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76838 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76877 , H01L27/10885 , H01L27/10888 , H01L27/11521
Abstract: A wire of a semiconductor device and a method for forming the same are provided to reduce a bridge defect between neighboring conductive patterns and a disconnection of the conductive pattern by improving surface morphology characteristic of the conductive pattern. An interlayer dielectric(102) is located on a substrate(100) and includes an opening(104). A contact plug(108a) is gap-filled in the opening. The contact plug is made of a first tungsten(112) formed by a deposition process using a reaction of source gas. A conductive pattern(116) is contacted to an upper surface of the contact plug. The conductive pattern is a laminated shape of the first tungsten and a second tungsten(114) formed by a PVD(Physical Vapor Deposition) process. The deposition process for forming the first tungsten includes CVD(Chemical Vapor Deposition) and ALD(Atomic Layer Deposition). A thickness of the first tungsten included in the conductive pattern is 100 to 500 Å.
Abstract translation: 提供半导体器件的线及其形成方法，通过改善导电图案的表面形态特征来减少相邻导电图案之间的桥接缺陷和导电图案的断开。 层间电介质（102）位于基底（100）上并且包括开口（104）。 接触塞（108a）在开口中间隙填充。 接触塞由通过使用源气体的反应的沉积工艺形成的第一钨（112）制成。 导电图案（116）与接触插塞的上表面接触。 导电图案是通过PVD（物理气相沉积）工艺形成的第一钨和第二钨（114）的叠层形状。 用于形成第一钨的沉积工艺包括CVD（化学气相沉积）和ALD（原子层沉积）。 包含在导电图案中的第一钨的厚度为100〜500。
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公开(公告)号：KR100279300B1
公开(公告)日：2001-02-01
申请号：KR1019980016746
申请日：1998-05-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/40
Abstract: 본 발명은 금속 배선 연결 방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에 제 1 도전막이 형성되고, 상기 제 1 도전막을 포함하여 반도체 기판상에 절연막이 형성된다. 상기 제 1 도전막의 상부 표면이 노출될 때까지 상기 절연막의 일부가 식각되어 콘택 홀이 형성되고, 적어도 상기 콘택 홀의 하부면을 덮도록 베리어(barrier)막이 형성된다. 상기 베리어막의 막질을 치밀화하기 위해 제 1 열처리 공정이 수행되고, 적어도 상기 콘택 홀의 양 측벽을 덮도록 웨팅 레이어(wetting layer)가 형성된다. 상기 콘택 홀이 채워지도록 상기 웨팅 레이어(wetting layer)상에 제 2 도전막이 형성되고, 상기 콘택홀이 제 2 도전막으로 완전히 채워지도록 제 2 열처리 공정이 수행된다. 이와 같은 금속 배선 연결 방법에 의해서, 제 1도전막과 과 제 2 도전막 배선간의 반응을 방지할 수 있어, 상기 제 1 도전막과 상기 제 2 도전막의 반응으로 인한 합금, 부피 수축 및 제 1 도전막과 제 2 도전막의 계면 영역에 발생되는 보이드를 방지할 수 있어, 금속 배선에서의 저항 증가를 방지할 수 있다.
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