公开(公告)号：KR1020040040737A

公开(公告)日：2004-05-13

申请号：KR1020020068938

申请日：2002-11-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 현필식 ,  이성만

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: A semiconductor wafer inspecting method and its apparatus are provided to be capable of checking a recognition pattern. CONSTITUTION: A semiconductor wafer is loaded on an XY stage(S200). The first scanning process is performed on a recognition pattern formed on the semiconductor wafer by irradiating laser beam(S300). The first scattering light is detected according to the irradiation of laser beam(S400). The first image data of the recognition pattern is formed by using the first scattering light(S500). The recognition code of the semiconductor wafer is checked by processing the first image data(S600). The second scanning process is performed on a circuit pattern formed on the semiconductor wafer by irradiating laser beam(S700). The second scattering light is detected according to the irradiation of laser beam(S800). The second image data of the circuit pattern is formed by using the second scattering light(S900). The defect of the circuit pattern is then checked by processing the second image data(S1000).

Abstract translation: 目的：提供一种能够检查识别图案的半导体晶片检查方法及其装置。 构成：半导体晶片装载在XY平台上（S200）。 通过照射激光束对形成在半导体晶片上的识别图案进行第一扫描处理（S300）。 根据激光束的照射来检测第一散射光（S400）。 通过使用第一散射光形成识别图案的第一图像数据（S500）。 通过处理第一图像数据来检查半导体晶片的识别码（S600）。 通过照射激光束对形成在半导体晶片上的电路图案进行第二扫描处理（S700）。 根据激光束的照射来检测第二散射光（S800）。 通过使用第二散射光形成电路图案的第二图像数据（S900）。 然后通过处理第二图像数据来检查电路图案的缺陷（S1000）。

公开(公告)号：KR1020010037386A

公开(公告)日：2001-05-07

申请号：KR1019990044896

申请日：1999-10-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전충삼 ,  현필식

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67288 ,  G01R31/311

Abstract: PURPOSE: A wafer inspecting system and method for selectively inspecting a conductive pattern defect is provided to reduce time, manpower and cost needed for inspecting a non-conductive defect, by selectively recognizing conductive defects such as a doped polysilicon bridge or metal line bridge in inspecting a wafer. CONSTITUTION: A sensor unit(130) scans the surface of a wafer(100) by a contactless method. A resistance-inductance-capacitance(RLC) circuit unit converts a signal obtained from the sensor unit to a signal having an electrical characteristic, connected to the sensor unit. An image processing computer is connected to an apparatus for selectively inspecting a conductive pattern defect(104).

Abstract translation: 目的：提供一种用于选择性检查导电图案缺陷的晶片检查系统和方法，以通过选择性地识别诸如掺杂多晶硅桥或金属线桥的导电缺陷来检查非导电缺陷所需的时间，人力和成本 晶圆。 构成：传感器单元（130）通过非接触式方法扫描晶片（100）的表面。 电阻 - 电感 - 电容（RLC）电路单元将从传感器单元获得的信号转换成连接到传感器单元的具有电特性的信号。 图像处理计算机连接到用于选择性地检查导电图案缺陷（104）的装置。

公开(公告)号：KR1020080002044A

公开(公告)日：2008-01-04

申请号：KR1020060060601

申请日：2006-06-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김박송 ,  윤준병 ,  이상길 ,  조형석 ,  현필식

IPC: H01L21/66

Abstract: A method for setting an inspection area is provided to reduce time required for setting the inspection area by setting automatically the inspection area using correlation coefficients of image information. Reference image information is obtained from a reference inspection area of a substrate(S10). An objective measure image having a larger area than the inspection area is obtained from a surface of the substrate(S20). Compare image information is obtained from a preliminary inspection area stored in the objective measure image(S30). By comparing the compare image information and reference image information, correlation coefficients of the compare image information and reference image information are calculated(S40-S50). When the correlation coefficients is in a range, the preliminary inspection area is set as an inspection area(S60-S70).

Abstract translation: 提供了一种设置检查区域的方法，以通过使用图像信息的相关系数自动设置检查区域来减少设置检查区域所需的时间。 参考图像信息从基板的参考检查区域获得（S10）。 从基板的表面获得具有比检查区域大的面积的客观测量图像（S20）。 从存储在客观测量图像中的初步检查区域获得比较图像信息（S30）。 通过比较比较图像信息和参考图像信息，计算比较图像信息和参考图像信息的相关系数（S40-S50）。 当相关系数在一个范围内时，将初步检查区域设定为检查区域（S60-S70）。

公开(公告)号：KR1020060100531A

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：KR1020050022100

申请日：2005-03-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 현필식 ,  김광식 ,  이상길 ,  최재용 ,  김성곤

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G03F7/70625 ,  H01L22/12

Abstract: 웨이퍼 상에 형성된 패턴의 두께를 측정하기 위한 두께 측정 방법은 상기 웨이퍼 상에 형성된 패턴의 틸팅 이미지를 얻은 후, 상기 이미지로부터 상기 패턴의 단차 또는 상기 패턴을 형성하는 막의 두께를 측정하고, 상기 측정된 두께를 보상하여 상기 패턴의 단차 또는 막의 두께를 측정한다. 상기 틸팅된 패턴의 이미지는 상기 웨이퍼와 이미지 촬상부를 상대적으로 틸팅시킨 후, 상기 이미지 촬상부에서 상기 패턴의 이미지를 촬상하여 얻게 된다. 따라서 상기 웨이퍼를 손상시키지 않고 상기 패턴의 단차 또는 상기 패턴을 형성하는 막들의 두께를 측정할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020000075276A

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019990019782

申请日：1999-05-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전충삼 ,  현필식 ,  최상봉

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: An apparatus for detecting a pattern defect of a semiconductor device using a magnetic field is provided to prevent damage to a wafer by detecting a pattern defect while the apparatus for detecting a pattern defect is not in contact with the semiconductor wafer, and to easily detect the pattern defect even regarding a conductive layer by using the magnetic field. CONSTITUTION: An apparatus for detecting a pattern defect of a semiconductor device using a magnetic field comprises a magnetic field generating unit(110) and a heat detecting unit(120). The magnetic field generating unit generates the magnetic field in a space where a semiconductor wafer(100) is positioned, separated from the semiconductor wafer by a predetermined interval. The heat-detecting unit detects heat loss caused by an eddy current flowing on a sectional surface of the semiconductor wafer by the magnetic field, and outputs a pattern shape of the semiconductor wafer as an image.

Abstract translation: 目的：提供一种用于检测使用磁场的半导体器件的图案缺陷的装置，用于通过在用于检测图案缺陷的装置不与半导体晶片接触的同时检测图案缺陷来防止对晶片的损坏，并且容易 通过使用磁场即使对于导电层也能检测图案缺陷。 构成：使用磁场检测半导体器件的图案缺陷的装置包括磁场产生单元（110）和热检测单元（120）。 磁场产生单元在半导体晶片（100）所在的空间中产生磁场，该距离半导体晶片与预定间隔隔开。 热检测单元检测由通过磁场在半导体晶片的截面上流动的涡流引起的热损失，并输出半导体晶片的图案形状作为图像。

公开(公告)号：KR1019990071140A

公开(公告)日：1999-09-15

申请号：KR1019980006406

申请日：1998-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 현필식

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 레이저광의 파장을 선택적으로 변화시켜서 검출력을 향상시키게 하는 반도체 검사설비의 레이저 스캐터링장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 검사설비의 레이저 스캐터링장치는, 레이저광원에서 발생된 레이저광을 웨이퍼에 조사하고, 상기 웨이퍼에 조사되어 반사된 반사광을 검출기로 검출함으로써 상기 웨이퍼를 검사하는 반도체 검사설비의 레이저 스캐터링장치에 있어서, 상기 웨이퍼에 조사되는 레이저광의 파장을 변화시킴으로써 설비의 검출력을 향상시키도록 상기 레이저광원과 상기 웨이퍼 사이에 레이저광이 관통되는 파장필터(Wavelength Filter)를 설치하는 것을 특징으로 하고, 본 발명의 반도체 검사설비의 레이저 스캐터링장치는 상기 웨이퍼에 서로 다른 파장의 레이저광을 조사시킴으로써 설비의 검출력을 향상시키도록 서로 다른 파장의 레이저광을 발생시키는 다수 개의 레이저광원을 설치하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 웨이퍼의 다양한 막질의 조건에 따라 레이저광의 파장을 최적화하여 설비의 웨이퍼 검사성능을 향상시키게 하는 효과를 갖는다.

公开(公告)号：KR1020050019303A

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：KR1020030056961

申请日：2003-08-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 현필식 ,  강선진 ,  이상길 ,  정경호

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01B11/0641

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for measuring the thickness of multi-layers are provided to obtain the reliability by measuring directly a patterned wafer in a non-contact manner without using a monitoring wafer. CONSTITUTION: A measured spectrum that analyzed a light reflected from the wafer is stored(S12). Recipes suitable for a plurality of estimated stack structures are respectively stored(S14). A theoretical spectrum is calculated according to the thickness of the multi-layers(S16). A temporary thickness of the multi-layer is output by comparing the analyzed spectrum with the theoretical spectrum(S18). The GOF(Goodness Of Fit) of the output temporary thickness is calculated(S20). If the GOF standard is not satisfied, the measurement of the temporary thickness with respect to another recipe is repeated(S22). The temporary thickness satisfying the GOF standard is output as the thickness of the multi-layers(S24).

Abstract translation: 目的：提供用于测量多层厚度的方法和装置，以通过以非接触方式直接测量图案化晶片而不使用监视晶片来获得可靠性。 构成：存储分析从晶片反射的光的测量光谱（S12）。 分别存储适合于多个估计堆栈结构的配方（S14）。 根据多层的厚度计算理论谱（S16）。 通过将分析的光谱与理论光谱进行比较来输出多层的临时厚度（S18）。 计算输出临时厚度的GOF（Fitness Of Fit）（S20）。 如果GOF标准不满足，则重复相对于另一配方的临时厚度的测量（S22）。 输出满足GOF标准的临时厚度作为多层的厚度（S24）。

公开(公告)号：KR1020040076742A

公开(公告)日：2004-09-03

申请号：KR1020030012088

申请日：2003-02-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 현필식 ,  최선용 ,  이상길 ,  전충삼 ,  김상민

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/956 ,  G01N21/9501

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for sorting defects are provided to reduce an inspection period by grasping the number of defects and kinds of defects. CONSTITUTION: Different kinds of beams are irradiated on an inspection target in order to generate different kinds of inspection spots(S42,S46). Scattering beams are collected from the inspection spots(S44,S48). The defects of the inspection target located on the inspection spots are sorted by analyzing the scattering beams(S50,S51). The process for irradiating the different kinds of beams include the first beam irradiation process and the second beam irradiation process.

Abstract translation: 目的：提供一种分类缺陷的方法和装置，通过掌握缺陷数量和缺陷种类来减少检查周期。 规定：不同种类的光束照射在检查目标上，以产生不同种类的检查点（S42，S46）。 从检查点收集散射光束（S44，S48）。 通过分析散射光，对检查点上的检查对象的缺陷进行分类（S50，S51）。 用于照射不同种类的光束的方法包括第一光束照射处理和第二光束照射处理。

公开(公告)号：KR1020010036159A

公开(公告)日：2001-05-07

申请号：KR1019990043054

申请日：1999-10-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전충삼 ,  전상문 ,  최상봉 ,  조형석 ,  현필식

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/26 ,  G01B11/0625 ,  H01L22/12

Abstract: PURPOSE: A method for measuring thickness of a thin film and an apparatus for the same are provided to measure a thickness of an upper thin film formed on a surface of a semiconductor wafer. CONSTITUTION: A luminance value is obtained by irradiating the light to a cell on a sample wafer with cells of a specific structure. A thickness of a thin film of an oxide site adjacent to the cell is measured. The above processes are repeated. The luminance value and the thickness of the oxide site adjacent to each cell are obtained from the cells of the wafer. A formula for producing a thickness is obtained from the obtained luminance value. A thickness of an upper layer of the cell is obtained by using the luminance of the light reflected from the cells of the wafer.

Abstract translation: 目的：提供用于测量薄膜厚度的方法及其装置，以测量形成在半导体晶片的表面上的上部薄膜的厚度。 构成：通过将光照射到具有特定结构的电池的样品晶片上的电池而获得亮度值。 测量与电池相邻的氧化物部位的薄膜的厚度。 重复上述过程。 从晶片的单元获得与各单元相邻的氧化物位置的亮度值和厚度。 从所获得的亮度值获得用于产生厚度的公式。 通过使用从晶片的单元反射的光的亮度获得单元的上层的厚度。

公开(公告)号：KR100271771B1

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：KR1019980039506

申请日：1998-09-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전충삼 ,  김정곤 ,  김정욱 ,  김용완 ,  조형석 ,  현필식 ,  최상봉

IPC: H01L21/22

Abstract: 본 발명은 특정영역의 파장을 갖는 빛에 대한 특정 박막의 굴절율, 흡수율 또는 반사율을 측정하여 박막의 불순물 도핑농도를 측정할 수 있는 반도체소자 제조용 박막의 불순물 도핑농도의 분석장치 및 이를 이용한 분석방법에 관한 것이다.
본 발명은 서로 다른 불순물 도핑농도를 갖는 기준박막이 형성된 복수의 기준웨이퍼를 제조한 후, 상기 기준웨이퍼상에 소정영역의 광원을 조사하여 상기 기준박막에 대한 특정파장영역의 광학데이터를 측정하는 단계; 상기 기준박막의 불순물 도핑농도와 상기 광학데이터의 상관관계를 도출해내는 단계; 임의의 농도를 갖는 불순물이 도핑된 분석박막이 소정두께 형성된 반도체기판상에 소정영역의 광원을 조사하여 상기 기준박막의 광학데이터 측정에 사용된 것과 동일한 파장영역에 대한 상기 분석박막의 광학데이터를 측정하는 단계; 및 상기 분석박막의 광학데이터와 상기 상관관계로부터 상기 분석박막의 불순물 도핑농도를 분석하는 단계를 구비하여 이루어진다.
따라서, 생산 웨이퍼에 직접 적용함으로서 생산성 향상과 원가절감을 할 수 있는 효과가 있다.