公开(公告)号：KR1019980068539A

公开(公告)日：1998-10-26

申请号：KR1019970005189

申请日：1997-02-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배종인 ,  강선진

IPC: H01L21/66

Abstract: 신규 디바이스(Device)에 대한 계측을 수행할 때 각 계측 스텝별 공정조건을 일괄적으로 셋업(Set-up)시켜서 런시간을 절감하도록 개선시킨 반도체 제조공정에서 한 장의 웨이퍼를 이용한 계측 공정조건 셋업 방법에 관한 것이다.
본 발명은 반도체 제조공정에서 한매의 웨이퍼를 이용한 계측 공정조건 셋업 방법에 있어서, 필름 라이브러리를 제작하여 적용하는 단계, 측정위치별로 측정 라이브러리를 적용하는 단계 및 특정 측정위치의 공정조건을 남기고 나머지는 삭제한 후 현재 공정조건을 갱신하는 단계를 거쳐서 수행하고, 다른 공정조건은 기 설정된 공정조건에서 카피(Copy)하여 설정하고 라이브러리를 변경하여 상기 다른 공정조건을 가변하여 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하면 계측공정별 공정조건 셋업이 불필요하여 런(Run)시간이 절감되고 전 설비가 동일한 기준으로 셋업되어 양호한 계측 데이터를 얻을 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020050019303A

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：KR1020030056961

申请日：2003-08-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 현필식 ,  강선진 ,  이상길 ,  정경호

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01B11/0641

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for measuring the thickness of multi-layers are provided to obtain the reliability by measuring directly a patterned wafer in a non-contact manner without using a monitoring wafer. CONSTITUTION: A measured spectrum that analyzed a light reflected from the wafer is stored(S12). Recipes suitable for a plurality of estimated stack structures are respectively stored(S14). A theoretical spectrum is calculated according to the thickness of the multi-layers(S16). A temporary thickness of the multi-layer is output by comparing the analyzed spectrum with the theoretical spectrum(S18). The GOF(Goodness Of Fit) of the output temporary thickness is calculated(S20). If the GOF standard is not satisfied, the measurement of the temporary thickness with respect to another recipe is repeated(S22). The temporary thickness satisfying the GOF standard is output as the thickness of the multi-layers(S24).

Abstract translation: 目的：提供用于测量多层厚度的方法和装置，以通过以非接触方式直接测量图案化晶片而不使用监视晶片来获得可靠性。 构成：存储分析从晶片反射的光的测量光谱（S12）。 分别存储适合于多个估计堆栈结构的配方（S14）。 根据多层的厚度计算理论谱（S16）。 通过将分析的光谱与理论光谱进行比较来输出多层的临时厚度（S18）。 计算输出临时厚度的GOF（Fitness Of Fit）（S20）。 如果GOF标准不满足，则重复相对于另一配方的临时厚度的测量（S22）。 输出满足GOF标准的临时厚度作为多层的厚度（S24）。

公开(公告)号：KR101493048B1

公开(公告)日：2015-02-13

申请号：KR1020090017169

申请日：2009-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영석 ,  백종선 ,  김영남 ,  조형석 ,  강선진 ,  유버들

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L22/12

Abstract: 본 발명은 반도체 소자 측정 장치를 제공한다. 상기 반도체 소자 측정 장치는 식각 및 성장되는 CD 영역과 상기 CD 영역과 연결되는 정상 영역으로 이루어지는 전체 영역을 갖는 시료로 전자 빔을 조사하는 빔 출사부; 및 상기 빔 출사부와 전기적으로 연결되며, 상기 시료의 표면으로부터 반사되는 전자 빔으로부터 반사도 값을 상기 전자 빔의 파장에 따라 취득한 이후에 상기 CD 영역과 상기 정상 영역의 사이에서의 반사도 값의 차이가 발생되는 영역의 파장 범위를 선택하여 설정하는 분석부를 포함한다. 또한, 본 발명은 상기 반도체 소자 측정 장치를 사용한 반도체 소자 측정 방법도 제공한다. 따라서, 본 발명은 반도체 소자에 대한 두께 및 물성에 따는 반사도 변화를 최소화하고, 특정 파장을 모니터링 할 수 있도록 파장 범위를 설정하여 반도체 소자의 측정 부분에 대한 CD 값을 정확하게 측정 및 분석할 수 있다.

公开(公告)号：KR100583641B1

公开(公告)日：2006-05-26

申请号：KR1019990015085

申请日：1999-04-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강선진 ,  강호성

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 카세트와 챔버 사이에서 반도체 웨이퍼를 이송시키기 위한 반도체 웨이퍼 이송장치에 관한 것이다. 본 발명의 반도체 웨이퍼 이송장치는 베이스, 레일, 아암 그리고 파인더를 구비한다. 상기 레일은 상기 베이스의 윗면에 설치되고, 한 방향으로 일정한 길이를 갖는다. 상기 아암은 상기 레일상에서 이동되고, 상기 반도체 웨이퍼를 이송시키기 위한 역할을 한다. 상기 파인더는 상기 레일의 길이 방향과 동일선상에 위치되도록 상기 베이스의 윗면에 설치되고, 상기 아암에 의해서 로딩된 반도체 웨이퍼의 중심과 플랫 존을 검출한다. 이와 같은 구성을 갖는 반도체 웨이퍼 이송장치는, 반도체 웨이퍼가 측정장치에 로딩되는 시간을 단축시킬 수 있으므로, 공정진행 시간이 절약되어 생산공정의 효율이 향상된다.

公开(公告)号：KR1020100098146A

公开(公告)日：2010-09-06

申请号：KR1020090017169

申请日：2009-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영석 ,  백종선 ,  김영남 ,  조형석 ,  강선진 ,  유버들

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L22/12

Abstract: PURPOSE: An apparatus for measuring a semiconductor device and a method for measuring the semiconductor device are provided to improve the reliability of a CD value by analyzing reflection value of a semiconductor device. CONSTITUTION: A beam projection unit project electronic beam on a sample. The whole-area is comprised of a CD region and a normal region. An analysis section(200) is electrically connected to the beam projection unit. The analysis section is comprised of a recognition part(220) and a controller(210). The recognition part recognizes the reflected light from the surface of the sample to transmit it to the controller.

Abstract translation: 目的：提供一种用于测量半导体器件的装置和用于测量半导体器件的方法，以通过分析半导体器件的反射值来提高CD值的可靠性。 规定：光束投影单元将电子束投射在样品上。 整个区域由CD区域和正常区域组成。 分析部分（200）电连接到光束投影单元。 分析部分由识别部分（220）和控制器（210）组成。 识别部件识别来自样品表面的反射光以将其发送到控制器。

公开(公告)号：KR1020060031226A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：KR1020040080176

申请日：2004-10-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강선진 ,  이상길 ,  유동남

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6732

Abstract: 웨이퍼 캐리어는 다수매의 웨이퍼가 수납되는 슬랏들이 양측벽에 형성된 캐리어 본체를 포함한다. 슬랏에 수납된 웨이퍼의 유동을 방지하는 웨이퍼 지지부재가 슬랏들 사이에 배치된다. 웨이퍼 지지부재는 캐리어 본체로/로부터 웨이퍼의 출입을 안내하는 웨이퍼 안내부, 웨이퍼 안내부에 연결되어 웨이퍼의 유동을 방지하도록 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지부, 및 웨이퍼 지지부에 연결되어 웨이퍼 지지부를 캐리어 본체에 고정시키기 위한 고정부를 포함한다. 따라서, 웨이퍼가 웨이퍼 지지부재에 의하여 지지되므로, 웨이퍼의 이송시 웨이퍼의 유동으로 인한 웨이퍼의 손상 및 파티클을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990009050A

公开(公告)日：1999-02-05

申请号：KR1019970031313

申请日：1997-07-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강선진

IPC: G01B11/02

Abstract: 본 발명은 기준블럭의 오염 및 물리적인 손상을 방지하여 웨이퍼 상의 박막두께를 정확하게 측정할 수 있도록 한 분광식 두께측정장치의 기준블럭 구조에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 기준블럭의 구조를 변경하여 기준블럭의 손상을 방지하도록 한 분광식 두께측정장치의 기준블록구조를 제공하는데 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 분광식 두께측정장치의 기준블럭구조는 박막의 두께를 측정하기 위해 웨이퍼를 지지하는 스테이지의 일측에 일체로 형성되어 기준두께 측정용 칩들을 지지하는 본체; 그리고 상기 본체의 상부면에 각각의 기준두께용 칩들을 보호하도록 일체로 형성된 보호벽을 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명은 웨이퍼를 스테이지에 로딩할 때 웨이퍼와의 충돌에 의한 기준블럭의 손상을 방지하여 웨이퍼두께를 정확하게 측정할 수 있다.

公开(公告)号：KR100556529B1

公开(公告)日：2006-03-06

申请号：KR1020030056961

申请日：2003-08-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 현필식 ,  강선진 ,  이상길 ,  정경호

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01B11/0641

Abstract: 패턴 웨이퍼에 적층된 박막의 두께를 측정하는 장치 및 방법이 개시되어 있다. 다층 박막이 형성된 웨이퍼에서 측정한 측정 스펙트럼을 저장한다. 상기 예상 적층 구조에 맞는 레서피들을 각각 저장한다. 상기 저장되어 있는 레서피들 중 하나의 레서피를 사용하여 이론적 스펙트럼을 계산한다. 상기 분석된 스펙트럼과 이론적 스펙트럼들을 비교하여 상기 다층 박막의 임시 두께를 출력한다. 상기 출력된 임시 두께의 신뢰도를 계산한다. 상기 계산된 신뢰도가 설정된 범위에 부합하는지를 판단하여, 신뢰도 범위를 벗어나는 경우에는 상기 레서피를 변경하여 계속적으로 상기 임시 두께를 측정하도록 제어하고, 상기 신뢰도 범위에 부합하는 임시 두께를 상기 다층 박막의 두께로 출력한다. 따라서, 다층 박막의 정확한 두께를 수득할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020000067352A

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：KR1019990015085

申请日：1999-04-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강선진 ,  강호성

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: An apparatus for transferring a semiconductor wafer is provided to shorten a manufacturing time by reducing the time needed to load the semiconductor wafer in a measuring apparatus. CONSTITUTION: An apparatus for transferring a semiconductor wafer(214) comprises a base(210), a rail(212), an arm(216) and a finder(218). The rail has a predetermined length in one direction, established on an upper surface of the base. The arm transfers the semiconductor wafer, moving on the rail. The finder detects a center and a flat zone of the semiconductor wafer loaded by the arm, established on the upper surface of the base to be positioned in the same line as the longitudinal direction of the rail.

Abstract translation: 目的：提供一种用于传送半导体晶片的装置，通过减少在测量装置中加载半导体晶片所需的时间来缩短制造时间。 构造：用于传送半导体晶片（214）的装置包括基座（210），轨道（212），臂（216）和取景器（218）。 轨道在一个方向上具有预定长度，建立在基座的上表面上。 臂转移半导体晶片，在轨道上移动。 取景器检测建立在基座的上表面上的由臂装载的半导体晶片的中心和平坦区域，以定位在与轨道的纵向方向相同的线中。

公开(公告)号：KR1019980069163A

公开(公告)日：1998-10-26

申请号：KR1019970006091

申请日：1997-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배종인 ,  강선진

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/66

Abstract: 본 발명은 에치(etch) 잔류(remain) 산화막 공정에서의 막 두께 측정방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 에치 공정후 산화막 두께 측정시 발생하는 폴리머(polymer) 성분의 두께를 별도를 측정할 수 있도록 하여 상기 산화막 두께를 정확하게 알 수 있도록 함으로써 막 두께 측정의 신뢰성이 향상되도록 한 에치 잔류 산화막 공정에서의 막 두께 측정방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은, 에치 잔류 산화막 공정시 오버 에치되어 형성되는 산화막 두께 및 상기 산화막 두께를 측정하는 과정에서 발생하는 폴리머 성분의 두께를 각각 측정하는 방법에 있어서, 상기 산화막 두께의 측정을 위한 라이브러리와 상기 폴리머 두께의 측정을 위한 라이브러리를 독립적으로 제작하여 두께 측정시 이들 라이브러리를 각각 별도로 사용하도록 한 것을 특징으로 한다. 이로써, 본 발명에 의하면, 막 두께 표시 데이터가 산화막 두께 데이터로 오인되는 오류를 방지할 수 있으며, 에치 조건 설정시 폴리머 두께를 감안한 에치 가스관리를 가능하게 하는 효과가 있게 된다.