公开(公告)号：KR1020040099576A

公开(公告)日：2004-12-02

申请号：KR1020030031602

申请日：2003-05-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이용세 ,  홍욱선 ,  하상록

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: An apparatus for spinning a wafer is provided to restrain damage of a wafer due to breakage of a bolt by improving tensile intensity and fatigue intensity of the bolt using SUS material. CONSTITUTION: An apparatus includes a spin chuck, a bolt, a connection pin, and a cap. The spin chuck(110) holds and rotates a wafer. The bolt connects the spin chuck with a driving shaft(150). The connection pin(160) is used for transmitting rotatory strength of the driving shaft to the spin chuck. The cap(130) covers the bolt to prevent corrosion due to chemicals. The connection pin and the cap are made of polypropylene or teflon. The bolt is made of SUS material.

Abstract translation: 目的：提供一种用于纺丝晶片的装置，通过改善使用SUS材料的螺栓的拉伸强度和疲劳强度来抑制由于螺栓断裂导致的晶片损坏。 构成：装置包括旋转卡盘，螺栓，连接销和盖。 旋转卡盘（110）保持并旋转晶片。 螺栓将旋转卡盘与驱动轴（150）连接。 连接销（160）用于将驱动轴的旋转强度传递到旋转卡盘。 盖（130）覆盖螺栓以防止化学品腐蚀。 连接销和盖由聚丙烯或聚四氟乙烯制成。 螺栓由SUS材料制成。

公开(公告)号：KR1020030096728A

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：KR1020020033733

申请日：2002-06-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍욱선 ,  하상록 ,  손홍성

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01L21/31144 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A MIM(Metal Insulator Metal) capacitor compatible to a dual damascene process and a method for manufacturing the same are provided to be capable of preventing the mass generation of polymers and the surface etching damage of a capacitor electrode by etching a barrier metal layer for the capacitor electrode by using a hard mask. CONSTITUTION: A MIM capacitor compatible to a dual damascene process is provided with a semiconductor substrate(200) having a copper line(210), a lower insulating layer(220) formed at the upper portion of the semiconductor substrate, a capacitor electrode(235) formed at the upper portion of the lower insulating layer, a hard mask(240) formed at the upper portion of the capacitor electrode, and an upper insulating layer(250) formed on the entire surface of the resultant structure. Preferably, a nitride layer is used as the upper and lower insulating layer.

Abstract translation: 目的：提供兼容双镶嵌工艺的MIM（金属绝缘体金属）电容器及其制造方法，以能够通过蚀刻阻挡金属层来防止聚合物的质量产生和电容器电极的表面蚀刻损伤 对于电容器电极使用硬掩模。 构成：与双镶嵌工艺兼容的MIM电容器设置有具有铜线（210）的半导体衬底（200），形成在半导体衬底的上部的下绝缘层（220），电容器电极（235） ）形成在所述下绝缘层的上部，形成在所述电容器电极的上部的硬掩模（240）和形成在所述结构体的整个表面上的上绝缘层（250）。 优选地，使用氮化物层作为上绝缘层和下绝缘层。

公开(公告)号：KR100742276B1

公开(公告)日：2007-07-24

申请号：KR1020040091503

申请日：2004-11-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김미영 ,  이효산 ,  홍욱선 ,  오준환 ,  이상민

IPC: C09K13/06

CPC classification number: C09K13/08 ,  H01L21/31111

Abstract: 본 발명의 저유전율 유전막을 식각하는 식각 용액은 저유전율 유전막을 산화시키는 산화제 및 산화물을 제거하기 위한 산화물 식각제를 포함하며, 이 같은 식각 용액을 사용하여 저유전율 유전막을 한 번의 공정으로 간단하게 제거할 수 있다.
저유전율 유전막, low-k, SiOC, 웨이퍼 재사용, 산화제

公开(公告)号：KR1020060042738A

公开(公告)日：2006-05-15

申请号：KR1020040091503

申请日：2004-11-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김미영 ,  이효산 ,  홍욱선 ,  오준환 ,  이상민

IPC: C09K13/06

CPC classification number: C09K13/08 ,  H01L21/31111

Abstract: 본 발명의 저유전율 유전막을 식각하는 식각 용액은 저유전율 유전막을 산화시키는 산화제 및 산화물을 제거하기 위한 산화물 식각제를 포함하며, 이 같은 식각 용액을 사용하여 저유전율 유전막을 한 번의 공정으로 간단하게 제거할 수 있다.
저유전율 유전막, low-k, SiOC, 웨이퍼 재사용, 산화제

公开(公告)号：KR1020050049246A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：KR1020030083160

申请日：2003-11-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍욱선 ,  하상록 ,  손홍성

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 세정 건조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 스핀척에 기판을 올려놓고 스핀척을 소정의 속도로 회전시킨 상태에서 화학세정용액을 기판 상에 공급하여 기판을 세정하고, 회전하는 기판에 린스액을 공급하여 기판을 린스하며, 물방울 형태로 뭉침 없이 기판의 전면적에 걸쳐 균일하게 퍼지는 건조액을 회전 중인 기판의 표면에 공급하면서 건조액이 공급된 부분부터 건조가스를 공급하여 기판의 표면을 건조시킨다. 이와 같이 건조액이 물방울 형태로 뭉침 없이 웨이퍼 상에 고르게 퍼져 있으면 건조가스에 의해 건조액이 완전히 건조되어 웨이퍼 상에 물반점이 발생되지 않는다.

公开(公告)号：KR1020050011606A

公开(公告)日：2005-01-29

申请号：KR1020030050776

申请日：2003-07-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍욱선 ,  하상록 ,  손홍성

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: A method for preventing lifting of metal layer patterns is provided to reduce contamination due to the metal layer patterns by using a shielding layer for forming the metal layer patterns along an edge of a semiconductor substrate. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(100) having a multi-layer is prepared. A photoresist layer(143,146) is formed on a surface of the semiconductor substrate. A shielding member(150) corresponding to an edge region of the semiconductor substrate is prepared at a predetermined position of an upper part of the semiconductor substrate before a photo exposure process is performed on the semiconductor substrate. A photo process and an etch process are performed by using the shielding member. The multi-layer is formed with an interlayer dielectric and a metal layer(120).

Abstract translation: 目的：提供一种用于防止金属层图案的提升的方法，以通过使用用于沿着半导体衬底的边缘形成金属层图案的屏蔽层来减少由金属层图案引起的污染。 构成：制备具有多层的半导体衬底（100）。 在半导体衬底的表面上形成光致抗蚀剂层（143,146）。 在对半导体衬底进行曝光处理之前，在半导体衬底的上部的预定位置准备对应于半导体衬底的边缘区域的屏蔽构件（150）。 通过使用屏蔽构件进行照相处理和蚀刻处理。 多层由层间电介质和金属层（120）形成。

公开(公告)号：KR1020000060951A

公开(公告)日：2000-10-16

申请号：KR1019990009648

申请日：1999-03-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍욱선 ,  남창현

IPC: H01L21/306

Abstract: PURPOSE: An apparatus for supplementing wet etchant for extending an exchange period is provided to supply supplementary liquid without establishing an additional tube for the supplementary liquid. CONSTITUTION: An apparatus for supplementing wet etchant for extending an exchange period comprises a supplementary liquid storing receptacle(30) and a supply control unit. The supplementary liquid storing receptacle receives deionized water as the supplementary liquid flowing in a deionized water drain tube through a three-directional valve(20) and stores a constant quantity of the deionized water. The supply control unit supplies the deionized water stored in the supplementary liquid storing receptacle to a wet etchant bath(TA1) through a supplying tube in every predetermined interval of time.

Abstract translation: 目的：提供一种用于补充湿蚀刻剂以延长交换周期的装置，以供应辅助液体，而不需要补充液体的附加管。 构成：用于补充湿蚀刻剂以延长交换周期的装置包括辅助液体储存容器（30）和供应控制单元。 补充液体储存容器接收去离子水作为辅助液体，其通过三向阀（20）在去离子水排出管中流动，并存储恒定量的去离子水。 供应控制单元以每隔预定的时间间隔通过供应管将存储在补充液体储存容器中的去离子水供应到湿蚀刻剂浴（TA1）。

公开(公告)号：KR100341480B1

公开(公告)日：2002-06-21

申请号：KR1020000028595

申请日：2000-05-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍욱선

IPC: H01L21/76

Abstract: 비휘발성 메모리 장치에서의 자기정렬된 얕은 트렌치 소자분리 방법이 개시되어 있다. 반도체 기판의 상부에 터널 산화막층, 플로팅 게이트용 제1 폴리실리콘층 및 질화막층을 차례로 증착한다. 질화막층, 제1 폴리실리콘층 및 기판을 식각하여 트렌치를 형성한다. 결과물의 상부에 트렌치를 매립하도록 산화막을 증착하고, 질화막층까지 산화막을 제거하여 트렌치 소자분리 구조의 필드 영역을 형성한다. 질화막층을 제거한 후, 필드 영역을 습식 케미컬 처리한다. 결과물의 상부에 플로팅 게이트용 제2 폴리실리콘층을 증착한다. 제1 폴리실리콘층 위의 필드 영역이 포지티브 경사를 갖게 되어, 필드 영역의 하부에 도전성 잔류물이 생성되지 않는다.

公开(公告)号：KR1020020006322A

公开(公告)日：2002-01-19

申请号：KR1020000039926

申请日：2000-07-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 여인준 ,  홍욱선 ,  윤병문

IPC: H01L21/336

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a floating gate of a non-volatile memory device is provided to reduce the recessed quantity of an anti-reflective coating(ARC) by 50 percent as compared with a conventional technology, by performing an HF cleaning process for eliminating a native oxide layer and other contamination materials after a heat treatment process is performed regarding the ARC at a temperature from 450 to 550 deg.C. CONSTITUTION: A gate electrode and the ARC are formed on a semiconductor substrate(41). A heat treatment process and a cleaning process are sequentially performed regarding the entire surface of the semiconductor substrate. A conductive layer spacer is formed on the side surface of the gate electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造非易失性存储器件的浮动栅极的方法，通过执行HF清洗处理以消除抗反射涂层（ARC）的凹陷量，与常规技术相比减少了50％ 在450〜550℃的温度下对ARC进行热处理后的自然氧化物层和其他污染物质。 构成：在半导体衬底（41）上形成栅电极和ARC。 对半导体基板的整个表面依次进行热处理工序和清洗工序。 在栅电极的侧表面上形成导电层间隔物。

公开(公告)号：KR1020040071495A

公开(公告)日：2004-08-12

申请号：KR1020030007490

申请日：2003-02-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하상록 ,  홍욱선 ,  이용세

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A wafer cleaning apparatus is provided to improve a wafer cleaning effect and prevent an interval of a fabricating time from being delayed by preventing a cleaning solution separated from a wafer from returning to the wafer. CONSTITUTION: A chamber(220) is surrounded by wall surfaces(225), and a cleaning process is performed on the wafer(50) in the chamber. A wafer holder(240) is formed in the chamber. The wafer is placed on the wafer holder. The wafer holder fixes the wafer and performs a horizontal rotation with respect to its center. A cleaning solution supplying unit(260) supplies a cleaning solution to the wafer, formed on the wafer holder. The upper part of the wall surface of the chamber is tilted in the central direction of the chamber at a predetermined angle.

Abstract translation: 目的：提供晶片清洁装置以改善晶片清洗效果，并通过防止从晶片分离的清洁溶液返回到晶片来防止制造时间的间隔延迟。 构成：室（220）被壁表面（225）包围，并且在室中的晶片（50）上执行清洁处理。 晶片保持架（240）形成在腔室中。 将晶片放置在晶片保持器上。 晶片保持器固定晶片并且相对于其中心执行水平旋转。 清洁溶液供给单元（260）将清洗液供给到晶片保持器上形成的晶片。 室的壁表面的上部以预定的角度在室的中心方向倾斜。