公开(公告)号：KR101932035B1

公开(公告)日：2018-12-26

申请号：KR1020120012927

申请日：2012-02-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오정민 ,  이효산 ,  고용선 ,  김경섭 ,  김석훈 ,  이근택 ,  전용명 ,  조용진

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/02

Abstract: 기판 처리용 유체 공급 시스템이 개시된다. 유체 공급 시스템은 건조 유체를 공급하여 기판상에 도포된 린스액을 건조하는 기판 건조부; 상기 기판의 건조과정에서 상기 건조 유체와 상기 린스액이 혼합된 혼합 유체를 상기 기판 건조부로부터 회수하고, 상기 혼합 유체에서 상기 건조 유체를 분리하는 건조 유체 분리부; 및 상기 건조 유체 분리부에서 분리된 상기 건조 유체를 상기 기판 건조부에 재공급하는 건조 유체 공급부를 포함한다.

公开(公告)号：KR101874901B1

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：KR1020110130385

申请日：2011-12-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이효산 ,  고용선 ,  김경섭 ,  김광수 ,  김석훈 ,  이근택 ,  전용명 ,  조용진

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67034 ,  F26B5/04 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715

Abstract: 기판건조장치가개시된다. 기판건조장치는내부에공간이형성된공정챔버; 상기공정챔버내부에위치하며, 기판을지지하는기판지지부재; 상기공정챔버의내부공간중 상기기판의하부에위치하는공간으로초임계유체를공급하는제1공급포트; 상기공정챔버의내부공간중 상기기판의상부에위치하는공간으로초임계유체를공급하는제2공급포트; 및상기공정챔버내부에머무르는초임계유체를외부로배기하는배기포트를포함한다.

公开(公告)号：KR1020160000388A

公开(公告)日：2016-01-04

申请号：KR1020140103753

申请日：2014-08-11

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  코넬 유니버시티

Inventor： 이효산 ,  고용선 ,  김경섭 ,  이근택 ,  정지훈 ,  린,첸 ,  아버,크리스토퍼케이.

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/306

CPC classification number: C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/76802 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104

Abstract: 본발명은금속에천트조성물및 이를이용한반도체장치의제조방법을제공한다. 이금속에천트조성물은유기과산화물(Organic Peroxide)을 0.1~20 중량%로; 유기산(Organic Acid)을 0.1~70 중량%로; 그리고알콜계용매를 10~99.8 중량%로포함한다. 이금속에천트조성물은무수계에서적용된다.

Abstract translation: 本发明提供一种金属蚀刻剂组合物和使用其的半导体器件的制造方法。 金属蚀刻剂组合物包含：0.1-20重量％的有机过氧化物; 0.1〜70重量％的有机酸; 和10〜99.8重量％的醇系溶剂。 金属蚀刻剂组合物用于无水体系中。

公开(公告)号：KR1020150119675A

公开(公告)日：2015-10-26

申请号：KR1020140045382

申请日：2014-04-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배상원 ,  고용선 ,  김석훈 ,  김인기 ,  오정민 ,  이근택 ,  이효산 ,  정지훈 ,  조용진

IPC: C11D7/02 ,  C11D7/50 ,  H01L21/306

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/5022 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02071

Abstract: 금속불화물이용해되지않는유기용매, 바이플루오라이드(HF)를생성하는불소화합물, 및 1.5 중량% 이하의초순수를포함하는세정액조성물및 상기세정액조성물을이용한반도체소자의세정방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明提供一种清洗液组合物和使用该清洗液组合物的半导体装置的清洗方法，其特征在于，所述清洗液组合物含有金属氟化物不溶的有机溶剂， 用于产生氟化物的氟化合物（HF 2 - ）; 以及基于清洗液组合物的总重量为1.5重量％以下的超纯水。

公开(公告)号：KR1020140065771A

公开(公告)日：2014-05-30

申请号：KR1020120132476

申请日：2012-11-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배상원 ,  고용선 ,  권병호 ,  김보연 ,  김홍진 ,  박성오 ,  이근택 ,  이효산 ,  한솔

IPC: C23F1/30 ,  H01L21/302

CPC classification number: C09K13/06 ,  C23F1/26 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76883

Abstract: Provided are an etching composition, and a method for manufacturing a semiconductor device using the same. The etching composition comprises 1-7 wt% of hydrogen peroxide, 20-80 wt% of phosphoric acid, 0.001-1 wt% of amine or amide polymer, 0-55 wt% of sulfuric acid, and 10-45 wt% of deionized water. The etching composition is used for etching a metal film. The method for manufacturing a semiconductor device comprises: a step for forming a first metal film on a substrate; a step for forming a second metal film on the first metal film; a step for polishing the first and second metal films; and a step for cleaning the first and second metal films by using a cleaning solution which consists of the etching composition.

Abstract translation: 提供一种蚀刻组合物以及使用其的半导体器件的制造方法。 蚀刻组合物包含1-7重量％的过氧化氢，20-80重量％的磷酸，0.001-1重量％的胺或酰胺聚合物，0-55重量％的硫酸和10-45重量％的去离子 水。 蚀刻组合物用于蚀刻金属膜。 半导体器件的制造方法包括：在基板上形成第一金属膜的工序; 在第一金属膜上形成第二金属膜的步骤; 抛光第一和第二金属膜的步骤; 以及通过使用由蚀刻组合物构成的清洗溶液来清洗第一和第二金属膜的步骤。

公开(公告)号：KR1020100083629A

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：KR1020090003104

申请日：2009-01-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이효산 ,  윤보언 ,  이근택 ,  김동현 ,  강대혁 ,  박임수 ,  김영옥 ,  김영후 ,  배상원

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881 ,  H01L21/76224

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nonvolatile memory device is provided to uniformly form a sidewall profile of a stack structure by using materials with impurity content difference as first and second material films. CONSTITUTION: A first material film(110) and a second material film(120) are alternately laminated on a semiconductor substrate(100). Trenches passing through the first and second material films are formed by performing a first etching process. The second material films exposed to the trench are removed by performing a second etching process. The first and second material layers are made of the material with impurity content difference.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造非易失性存储器件的方法，通过使用具有杂质含量差的材料作为第一和第二材料膜来均匀地形成堆叠结构的侧壁轮廓。 构成：在半导体衬底（100）上交替层叠第一材料膜（110）和第二材料膜（120）。 通过第一和第二材料膜的沟槽通过执行第一蚀刻工艺而形成。 通过进行第二蚀刻工艺去除暴露于沟槽的第二材料膜。 第一和第二材料层由具有杂质含量差异的材料制成。

公开(公告)号：KR100734330B1

公开(公告)日：2007-07-02

申请号：KR1020060072264

申请日：2006-07-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오정민 ,  한정남 ,  홍창기 ,  이근택 ,  이효산

IPC: H01L21/304

Abstract: A method for drying a substrate and an apparatus for performing the same are provided to restrain a water spot and to prevent declination of a fine pattern by using a cleaning liquid containing deionized water and an organic fluoride based compound vapor. A substrate is cleaned by using a cleaning liquid containing deionized water and then rinsed by using a drying agent containing an organic fluoride based compound and alcohol(S10). An organic fluoride based compound vapor is supplied on to the rinsed substrate to form an organic fluoride base compound vapor atmosphere around the substrate, thereby removing the ionized water and the alcohol residing on the substrate(S20).

Abstract translation: 提供了一种用于干燥基板的方法和用于执行该方法的设备，以通过使用含有去离子水和有机氟化物基化合物蒸汽的清洁液来抑制水斑并防止精细图案的倾斜。 通过使用含有去离子水的清洁液来清洁基板，然后通过使用含有机氟化物基化合物和醇的干燥剂进行冲洗（S10）。 将有机氟化物基化合物蒸气供应到漂洗后的基板上以在基板周围形成有机氟化物基化合物蒸气气氛，由此除去沉积在基板上的离子化水和醇（S20）。

公开(公告)号：KR100734274B1

公开(公告)日：2007-07-02

申请号：KR1020050082450

申请日：2005-09-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이효산 ,  김상용 ,  홍창기 ,  한정남 ,  심우관

IPC: C11D3/04 ,  C11D3/20 ,  C11D11/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C11D3/042 ,  C11D3/046 ,  C11D3/2075 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/28282

Abstract: 본 발명은 플루오르 화합물, HNO
3 , 및 순수(deionized water)를 포함하는기판 세정용 조성물을 이용한 게이트 형성 방법을 개시한다. 상기 플루오르 화합물은 HF, NH
4 F 등을 포함할 수 있다. 상기 기판 세정용 조성물은 게이트 형성을 위한 금속막 식각에 의해 발생한 폴리머 부산물은 제거하고, 상기 폴리머 부산물 외의 막질은 잔류하도록 한다. 따라서 상기 기판 세정용 조성물을 이용하여 세정 공정을 행함으로써 전기적 특성이 우수한 반도체 소자의 게이트를 형성할 수 있다.
플루오르 화합물, HF, HNO3, 기판 세정용 조성물

公开(公告)号：KR1020170118996A

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：KR1020160045911

申请日：2016-04-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김태홍 ,  오정민 ,  김석훈 ,  김채령 ,  박미현 ,  이효산

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: B24B37/20 ,  B05D1/60 ,  B08B3/024 ,  B08B3/08 ,  B24B37/005 ,  C23C16/4407 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67

Abstract: 본발명은세정장치및 그를포함하는기판처리시스템을개시한다. 그의장치는기판을수납하는척과, 상기기판상에제 1 세정수 또는제 1 유기용매를제 1 압력으로제공하는제 1 노즐과, 상기제 1 노즐에인접하여배치되고, 제 2 세정수와제 2 유기용매의세정용액을상기제 1 압력보다낮은제 2 압력으로제공하는제 2 노즐을포함한다.

Abstract translation: 本发明公开了一种清洁装置和包括该清洁装置的基板处理系统。 该设备包括用于容纳基板的卡盘，用于在基板上以第一压力供应第一冲洗溶液或第一有机溶剂的第一喷嘴以及与第一喷嘴相邻设置的第二喷嘴， 2有机溶剂在低于第一压力的第二压力下进行。

公开(公告)号：KR1020170044968A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：KR1020150144740

申请日：2015-10-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박미현 ,  오정민 ,  김경환 ,  김인기 ,  이효산 ,  김경섭 ,  김석훈 ,  정지훈

IPC: H01L21/02 ,  C11D1/12

CPC classification number: H01L21/02057 ,  C11D1/146 ,  C11D1/22 ,  C11D1/29 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/67051 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 본발명은기판의세정방법에관한것으로서, 금속물질막을포함하는기판을제공하는단계; 상기기판에대하여물리적세정을수행하는단계; 상기기판에대하여화학적세정을수행하는단계; 및상기기판의표면을건조시키는단계를포함하는기판의세정방법을제공한다. 본발명의세정방법을이용하면모든크기범위의파티클들을효과적으로제거할수 있으며, 기판상에형성된피처들의손상이최소화될수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于基板的清洁方法，包括：提供包含金属材料膜的基板; 在基材上进行物理清洁; 在基材上进行化学清洗; 并干燥基材的表面。 利用本发明的清洁方法，可以有效地去除所有尺寸的颗粒，并且可以使形成在基底上的特征的损伤最小化。