公开(公告)号：KR1020160080938A

公开(公告)日：2016-07-08

申请号：KR1020140193548

申请日：2014-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이교욱 ,  이동훈 ,  홍희범 ,  조용래

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8244

CPC classification number: H01L27/1104 ,  H01L29/7851 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L27/11

Abstract: 듀얼포트에스램장치는상부에소자분리막패턴이형성된필드영역및 소자분리막패턴으로부터상부로돌출되어제1 방향으로각각연장된제1 내지제4 액티브핀들을포함하는기판, 제1, 제2 및제4 액티브핀들상에제1 방향에실질적으로수직한제2 방향으로각각연장된제1 및제2 게이트구조물들, 제1, 제2 및제3 액티브핀들상에제2 방향으로각각연장된제3 및제4 게이트구조물들, 제3 액티브핀 상에제2 방향으로각각연장된제5 및제6 게이트구조물들, 및제4 액티브핀 상에제2 방향으로각각연장된제7 및제8 게이트구조물들을포함하는유닛셀을구비한다. 제6 게이트구조물은제1 콘택플러그에의해제3 게이트구조물과전기적으로연결되고, 제7 게이트구조물은제2 콘택플러그에의해제2 게이트구조물과전기적으로연결된다.

Abstract translation: 一种双端口SRAM器件，包括：单元，其包括：基板，其包括在其顶部上形成器件隔离图案的场区域以及从器件隔离图案向上突出以分开延伸的第一至第四活性鳍片 第一个方向 第一和第二栅极结构在第一方向的第二方向上分开延伸，在第一，第二和第四活性鳍片的顶部上; 第三和第四栅极结构在第二方向上分别延伸在第一，第二和第三活性鳍片上; 第五和第六门结构在第二方向上分开延伸，在第三活动鳍片的顶部上; 第七和第八栅极结构在第四方向上分别延伸，在第四活性鳍片的顶部。 第六栅极结构通过第一接触插塞电连接到第三栅极结构。 第七栅极结构通过第二接触插塞电连接到第二栅极结构。 根据本发明，可以提供具有优异性能的双端口SRAM器件。

公开(公告)号：KR1020110107268A

公开(公告)日：2011-09-30

申请号：KR1020110001087

申请日：2011-01-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임선미 ,  김용식 ,  홍희범 ,  박한병

IPC: H01L21/8244 ,  H01L27/11

Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 메모리 장치는 제1 도전형을 갖는 제1 웰 영역, 및 제1 웰 영역의 양 옆에 형성되고 제2 도전형을 갖는 제2 및 제3 웰 영역들을 가지는 기판에 형성되고, 제1 웰 영역에 일렬로 형성되어 전원 단자를 공유하는 제1 및 제2 풀업 소자들, 제2 웰 영역에 제1 풀업 소자와 인접하게 배치되는 제1 풀다운 소자, 제3 웰 영역에 제2 풀업 소자와 인접하게 배치되는 제2 풀다운 소자, 제2 웰 영역에 제2 풀업 소자와 인접하게 배치되는 제1 액세스 소자, 및 제3 웰 영역에 제1 풀업 소자와 인접하게 형성되는 제2 액세스 소자를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020160025056A

公开(公告)日：2016-03-08

申请号：KR1020140110661

申请日：2014-08-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍희범 ,  정락교

IPC: H01L27/11

CPC classification number: H01L27/1104 ,  G11C11/412 ,  H01L27/0207

Abstract: 본발명의실시형태에따른메모리장치는, 복수의단위셀 영역을갖는기판, 상기기판에마련되는복수의활성영역, 및상기기판상에서제1 방향을따라연장되어상기복수의활성영역중 적어도하나와교차하는복수의게이트전극을포함하고, 상기복수의활성영역은상기복수의단위셀 영역사이의경계에인접하여배치되며, 상기복수의단위셀 영역내에서상기제1 방향과교차하는제2 방향을따라서로분리될수 있다.

Abstract translation: 根据本发明的实施例的存储器件包括：具有多个单元电池区域的衬底; 在所述基板上制备的多个有源区; 以及多个栅电极，其与沿着基板上的第一方向延伸的所述多个有源区域中的一个相交。 所述多个有源区域与所述多个单位电池区域中的边界相邻配置，并且能够沿着与所述多个单位电池区域中的所述第一方向交叉的第二方向分离。 存储器件可以通过最小化双端口SRAM中的通过晶体管之间的电流路径差来减少通过晶体管之间的失配。