公开(公告)号：KR1020070043494A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：KR1020050099837

申请日：2005-10-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황민규 ,  손태식 ,  소병환

IPC: G11C11/406

Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치의 온도 보상 셀프 리프레쉬 회로로부터 발생되는 온도별에 대한 온도 보상 셀프 리프레쉬 신호들을 받으면서 반도체 메모리 장치의 내부 시스템과 외부 시스템을 연결해 주는 온도 체크 패드들의 수를 줄일 수 있도록 하는 온도 체크 패드 병합 회로를 공개한다. 이 장치는 테스트 모드시에 프로그램화 데이터(EMRS)에 응하여 온도 보상 셀프 리프레쉬 소자들의 출력 신호들중에서 하나의 출력 신호를 선택하고 그 선택된 출력신호를 발생하는 제1 병합 선택 수단 및, 복수의 핀들을 갖고 상기 제 1 병합 선택 수단으로부터 선택된 출력신호를 공급받는 하나의 병합 패드들을 구비한다. 제1 병합 선택 수단은 테스트 모드시에 프로그램화 데이터(EMRS)에 응하여 상기 해당 온도 보상 셀프 리프레쉬 회로의 출력 신호를 공급받아 상기 병합 패드로 전송하는 제 1 및 제 2 전송 게이트들과, 테스트 모드시에 프로그램화 데이터(EMRS)를 반전시켜 상기 제 1 및 제2 전송 게이트들에 제공하는 제 1 및 제 2 인버터들을 포함한다.
이 장치에 의하면, 온도 체크 패드의 수를 줄임으로써 반도체 메모리 장치를 집적화에 기여할 수 있도록 한다.

公开(公告)号：KR100577560B1

公开(公告)日：2006-05-08

申请号：KR1020030095107

申请日：2003-12-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김수영 ,  이상재 ,  황민규

IPC: G11C11/401

CPC classification number: G11C7/06 ,  G11C5/147 ,  G11C7/04 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/1057 ,  G11C7/1078 ,  G11C7/1084 ,  H03K3/012 ,  H03K17/164 ,  H03K2217/0036

Abstract: 온도변화에 따른 내부회로의 출력특성 변화를 보상하고 전력소모를 저감하기 위하여, 온도감지 데이터에 응답하는 내부회로를 갖는 반도체 메모리 장치가 개시된다. 그러한 반도체 메모리 장치는, 온도의 증가에 따라 전류가 감소하는 감소 저항 브랜치와 연결된 전류미러 타입 차동증폭기를 포함하며, 상기 반도체 메모리 장치의 주변온도에 응답하여 생성된 온도출력을 온도감지 데이터로서 출력하는 온도감지 회로와; 상기 온도감지 회로의 상기 온도감지 데이터에 응답하여 출력레벨이 조절되는 내부회로를 구비한다.
반도체 메모리 장치, 온도감지 회로, 트립 포인트, 내부회로

公开(公告)号：KR100553831B1

公开(公告)日：2006-02-24

申请号：KR1020040069437

申请日：2004-09-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황민규 ,  서영훈 ,  소병환 ,  최종현

IPC: G11C7/00 ,  G11C7/10 ,  G11C7/08

Abstract: 반도체 메모리 장치의 온도감지출력회로가 게시된다. 본 발명의 온도감지출력회로는 반도체 메모리 장치의 내부온도에 대한 정보를 외부시스템으로 출력할 지 의 여부를 자신의 절단여부로 제어하는 출력조절퓨즈가 내장된다. 또한, 셀프 리프레쉬 제어기 등의 내부 회로에 대한, 내부온도 정보의 제공여부를 제어할 수 있는전송조절퓨즈도 내장된다. 상기 조절퓨즈들은 외부에서 절단이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 온도감지출력회로는 별도의 제어신호의 제공없이도, 출력패드들 중의 일부 또는 전부를 플로팅(floating)하는 외부시스템과 온도정보를 수신하여 이용하는 외부시스템에 범용될 수 있다. 또한, 내부적으로 이용되는 온도정보의 수가 상이한 제품에도, 본 발명의 온도감지출력회로가 범용될 수 있다. 따라서, 본 발명의 온도감지출력회로에 의하면, 반도체 메모리 장치의 제조원가를 현저히 절감하는 효과가 발생한다.
온도, 감지, 퓨즈, 범용, 제조원가

Abstract translation: 半导体存储器件的温度感测输出电路被公开。 本发明的温度感测输出电路配备有输出调节熔丝，用于通过半导体存储器件是否断开来控制是否将关于半导体存储器件的内部温度的信息输出到外部系统。 此外，还内置用于控制是否为诸如自刷新控制器的内部电路提供内部温度信息的传输控制熔丝。 可调保险丝可以从外部切割。 因此，本发明的温度感测输出电路可以推广到浮置一些或全部输出焊盘的外部系统和接收并使用温度信息的外部系统，而不提供单独的控制信号。 本发明的温度感测输出电路也可以概括为其中内部使用的温度信息的数量不同的产品。 因此，根据本发明的温度感测输出电路，半导体存储器件的制造成本显着降低。

公开(公告)号：KR100536598B1

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：KR1020030024813

申请日：2003-04-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황민규 ,  오효진

IPC: G11C11/40

Abstract: 본 발명은, 외부로부터 제공되는 클럭신호에 응답하여 내부의 동작들을 수행하는 반도체메모리장치에 관한 것으로서, 상기 클럭신호에 동기하여 외부로부터 제공되는 커맨드를 상기 반도체장치의 내부로 제공하는 버퍼; 상기 클럭신호의 싸이클주기에 근거한 지연시간을 설정하는 다수개의 레이턴시 신호들을 발생하는 제1수단; 그리고 상기 레이턴시 신호들에 응답하여 상기 커맨드의 활성화 시점을 선택하는 제2수단을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020040090842A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：KR1020030024813

申请日：2003-04-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황민규 ,  오효진

IPC: G11C11/40

Abstract: PURPOSE: A semiconductor memory device selecting a clock enabling time is provided to perform a stable command and to assure a setup time and a hold time of a command signal stably under a high speed operation environment. CONSTITUTION: The semiconductor memory device comprises a delay latency generator(41), a CES setup circuit(45) and drivers(43,47). Signals(MS4 - MS6) applied to the delay latency generator are provided by an extended mode register set(EMRS) process. The delay latency generator generates delay latency signals(DL1¯DL3) in response to the EMRS signals. The delay latency signals are applied to the driver(43) and the CES setup circuit. The driver(43) controls a transfer path of a signal(TCS), and the CES setup circuit generates an enable selection information signal(CES) in response to the delay latency signals. The driver(47) generates a signal(TCES) in response to the enable select information signal.

Abstract translation: 目的：提供选择时钟使能时间的半导体存储器件，以执行稳定的命令，并且在高速操作环境下稳定地确保命令信号的建立时间和保持时间。 构成：半导体存储器件包括延迟延迟发生器（41），CES设置电路（45）和驱动器（43,47）。 应用于延迟延迟发生器的信号（MS4-MS6）由扩展模式寄存器集（EMRS）处理提供。 延迟延迟发生器响应于EMRS信号产生延迟等待时间信号（DL1〜DL3）。 延迟等待时间信号被施加到驱动器（43）和CES设置电路。 驱动器（43）控制信号（TCS）的传送路径，并且CES建立电路响应于延迟等待时间信号而产生使能选择信息信号（CES）。 驱动器（47）响应于使能选择信息信号产生信号（TCES）。

公开(公告)号：KR1020140119305A

公开(公告)日：2014-10-10

申请号：KR1020130033742

申请日：2013-03-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정우 ,  고근우 ,  정정호 ,  황민규 ,  전동수

IPC: G06Q30/02

CPC classification number: G06F17/30539

Abstract: Disclosed are a smart design system providing a mobile application design and simulation function, a business model having the same and an operating method of the smart design system. According to an embodiment of the present invention, the operating method of a smart design system comprises the following steps: searching a database where information related to a plurality of products are stored and selecting products depending on client′s input and then designing an application by blending one or more products selected; providing search results of one or more recommendable products applicable to the application; and providing results on market trend analysis after searching information related to the market trend of products applicable to the application.

Abstract translation: 公开了提供移动应用设计和仿真功能的智能设计系统，具有与智能设计系统相同的操作方法的业务模型。 根据本发明的实施例，智能设计系统的操作方法包括以下步骤：搜索存储有多个产品相关信息的数据库，并根据客户输入选择产品，然后通过 混合选择的一种或多种产品; 提供适用于申请的一个或多个可推荐产品的搜索结果; 在搜索与适用于该应用的产品的市场趋势相关的信息后，提供市场趋势分析结果。

公开(公告)号：KR1020050063880A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：KR1020030095107

申请日：2003-12-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김수영 ,  이상재 ,  황민규

IPC: G11C11/401

CPC classification number: G11C7/06 ,  G11C5/147 ,  G11C7/04 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/1057 ,  G11C7/1078 ,  G11C7/1084 ,  H03K3/012 ,  H03K17/164 ,  H03K2217/0036

Abstract: 온도변화에 따른 내부회로의 출력특성 변화를 보상하고 전력소모를 저감하기 위하여, 온도감지 데이터에 응답하는 내부회로를 갖는 반도체 메모리 장치가 개시된다. 그러한 반도체 메모리 장치는, 온도의 증가에 따라 전류가 감소하는 감소 저항 브랜치와 연결된 전류미러 타입 차동증폭기를 포함하며, 상기 반도체 메모리 장치의 주변온도에 응답하여 생성된 온도출력을 온도감지 데이터로서 출력하는 온도감지 회로와; 상기 온도감지 회로의 상기 온도감지 데이터에 응답하여 출력레벨이 조절되는 내부회로를 구비한다.

公开(公告)号：KR1020030091496A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：KR1020020029571

申请日：2002-05-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황민규 ,  김홍범 ,  성승민

IPC: G11C29/00

Abstract: PURPOSE: A circuit for generating a HITE mode setting signal is provided to enter the HITE mode by generating the HITE mode setting signal during the standby mode even when a taster at which address from external data is not inputted is used. CONSTITUTION: A circuit for generating a HITE mode setting signal generates the HITE mode setting signal by receiving the MRS signal under the controls of a PTSET signal, an MPSP signal, an MRSET signal. The circuit for generating the HITE setting signal is characterized in that the HITE mode setting signal is generated during the standby mode by using the high voltage applied outside by the HITE mode setting signal generation circuit.

Abstract translation: 目的：使用用于产生HITE模式设置信号的电路，以便在待机模式期间通过产生HITE模式设置信号来进入HITE模式，即使使用未输入来自外部数据的地址的摄像机。 构成：用于产生HITE模式设置信号的电路通过在PTSET信号，MPSP信号，MRSET信号的控制下接收MRS信号来产生HITE模式设置信号。 用于产生HITE设置信号的电路的特征在于，通过使用由HITE模式设置信号产生电路外部施加的高电压，在待机模式期间产生HITE模式设置信号。

公开(公告)号：KR100559731B1

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：KR1020040080809

申请日：2004-10-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 심재응 ,  최중용 ,  강영구 ,  황민규

IPC: G11C7/04 ,  G11C29/00 ,  G11C11/401 ,  G11C11/406

Abstract: 온도 센서의 불량을 감지하는 온도 보상형 셀프 리프레쉬 반도체 메모리 장치 및 이를 이용한 테스트 방법이 개시된다. 측정온도에 상응하는 적어도 하나의 온도 검출 신호를 출력하는 온도 센서부, 상기 온도 검출 신호의 오류를 검출하여 온도 검출 오류 신호를 출력하는 온도 검출 오류 감지 회로부, 및 상기 온도 검출 오류 신호에 응답하여 온도 검출 오류 정보를 외부로 출력하는 온도 검출 오류 감지 패드를 구비한 것을 특징으로 하는 온도 보상형 셀프 리프레쉬 반도체 메모리 장치가 구성된다. 따라서, 온도 센서의 불량에 의해서 전류 특성에 문제가 있는 반도체 메모리 장치를 조기에 검출할 수 있다.

Abstract translation: 一种用于检测温度传感器故障的温度补偿型自刷新半导体存储器件以及使用该自刷新半导体存储器件的测试方法。 温度检测误差检测电路部分，用于检测温度检测信号中的至少一个并输出温度检测误差信号;以及温度检测误差检测部分，用于输出对应于温度的至少一个温度检测信号 以及温度检测误差检测焊盘，用于将检测误差信息输出到外部。温度补偿型自刷新半导体存储器件包括： 因此，由于温度传感器的故障，可以提前检测出具有电流特性问题的半导体存储器件。