公开(公告)号：KR1020160112203A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：KR1020150037461

申请日：2015-03-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종진 ,  김락환 ,  김병희 ,  김진남 ,  마츠다츠카사 ,  이내인 ,  차정옥 ,  황정하

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/53238 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/76859 ,  H01L21/76882 ,  H01L2924/01029

Abstract: 배선구조물형성방법에있어서, 기판상에하부구조물을형성한다. 하부구조물상에개구부를포함하는층간절연막을형성한다. 층간절연막및 개구부의표면을따라라이너막을형성한다. 라이너막의표면을이온충격처리한다. 이온충격처리된라이너막상에리플로우공정을통해개구부를적어도부분적으로채우는제1 금속막을형성한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成布线结构的方法，其包括：在基板上形成下部结构; 在下部结构上形成包括开口单元的层间绝缘膜; 沿着层间绝缘膜和开口单元的表面形成衬垫膜; 对衬膜的表面进行离子轰击处理; 以及通过回流工艺在通过离子轰击处理进行的衬里膜上形成第一金属膜至少部分地填充开口单元。

公开(公告)号：KR1020160118630A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：KR1020150047026

申请日：2015-04-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종진 ,  김락환 ,  김병희 ,  김진남 ,  마츠다츠카사 ,  박완수 ,  이내인 ,  장재원 ,  정은지 ,  차정옥 ,  황재원 ,  황정하

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76882 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53238

Abstract: 배선구조물형성방법에있어서, 기판상에하부구조물을형성한다. 하부구조물상에층간절연막을형성한다. 층간절연막을부분적으로제거하여비아홀 및더미비아홀을형성한다. 층간절연막의상부를부분적으로제거하여비아홀 및더미비아홀과동시에연통되는트렌치를형성한다. 비아홀 및더미비아홀을채우는제1 금속막을형성한다. 제1 금속막상에트렌치를채우는제2 금속막을형성한다.

Abstract translation: 在形成布线结构的方法中，在基板上形成下部结构。 在下部结构上形成绝缘中间层。 部分去除绝缘中间层以形成至少一个通孔和虚拟通孔。 绝缘中间层的上部被部分地去除以形成连接通孔和虚拟通孔的沟槽。 形成填充通孔和虚拟通孔的第一金属层。 填充沟槽的第二金属层形成在第一金属层上。