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    광자결정 구조체를 구비한 발광소자
    4.
    发明申请
    광자결정 구조체를 구비한 발광소자 审中-公开
    包含光子晶体结构的发光器件

    公开(公告)号：WO2009145571A2

    公开(公告)日：2009-12-03

    申请号：PCT/KR2009/002830

    申请日：2009-05-28

    Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  전헌수 ,  차국헌 ,  최윤경 ,  김호섭

    Inventor： 전헌수 ,  차국헌 ,  최윤경 ,  김호섭

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/508 ,  H01L2933/0083

    Abstract: 여기원에 의해 여기되어 상기 여기원의 펌프 광자보다 장파장의 발광을 할 수 있는 형광체를 내부에 포함하고 있는 나노구체들이 3차원적으로 밀집하여 배열된 결정구조를 갖는 광자결정 구조체를 포함하되, 상기 결정구조는 적어도 특정 결정 방향에 대해 광밴드갭을 가지고 상기 펌프 광자의 파장이 상기 광밴드갭에 속하는 발광소자가 개시된다.

    Abstract translation: 公开了一种包括光子晶体结构的发光器件，其中纳米球含有荧光体以三维方式密集地排列并被激发源激发以发射比激发源的泵浦光子更长的波长的光。 晶体结构相对于特定的晶体取向具有至少一个光带隙，并且泵浦光子的波长在光带隙内。

    나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법
    5.
    发明授权
    나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법 有权
    纳米颗粒/嵌段共聚物复合物的制备方法

    公开(公告)号：KR101462656B1

    公开(公告)日：2014-11-17

    申请号：KR1020080127691

    申请日：2008-12-16

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

    Inventor： 장은주 ,  차국헌

    IPC: C08K9/04 ,  C08K3/20 ,  C08K3/10 ,  B82Y40/00

    CPC classification number: C09K11/02 ,  B82Y30/00 ,  C08J5/005 ,  C08J2387/00 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  H01L33/502 ,  H01L51/426

    Abstract: 본 발명은 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기리간드(L)를 포함하는 나노입자; 및 용해도 변수가 서로 상이한 블록 반복단위(A,B)를 포함하는 블록공중합체(AbB)를 용매(S)에 넣고 혼합하여, 자기 조립에 의해 미셀(micelle)을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 유기리간드(L); 블록 반복단위(A,B)를 포함하는 블록공중합체(AbB); 및 용매(S)의 용해도 변수(δ)가 하기 수학식 1 내지 3을 만족하는 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법을 제공함으로써, 나노입자의 표면개질 없이 나노입자의 전기적, 자기적, 광학적, 화학적, 기계적 특성을 유지 또는 향상시킬 수 있다.
    [수학식 1]
    29 ≤ δ
    S - δ
    A
    [수학식 2]
    δ
    S - δ
    B ≤ 29
    [수학식 3]
    |δ
    L - δ
    A | ≤ 5, 또는 |δ
    L - δ
    B | ≤ 5
    (상기 수학식 1 내지 3에서, δ
    S 는 용매의 용해도 변수이고, δ
    A 는 블록 반복단위 A의 용해도 변수이고, δ
    B 는 블록 반복단위 B의 용해도 변수이고, δ
    L 는 리 간드의 용해도 변수이다.)
    나노입자, 블록공중합체, 미셀, 용해도 변수

    나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법
    6.
    发明公开
    나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법 有权
    纳米颗粒/嵌段共聚物复合物的制备方法

    公开(公告)号：KR1020100069105A

    公开(公告)日：2010-06-24

    申请号：KR1020080127691

    申请日：2008-12-16

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

    Inventor： 장은주 ,  차국헌

    IPC: C08K9/04 ,  C08K3/20 ,  C08K3/10 ,  B82Y40/00

    CPC classification number: C09K11/02 ,  B82Y30/00 ,  C08J5/005 ,  C08J2387/00 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  H01L33/502 ,  H01L51/426

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing nanoparticle/block copolymer complex is provided to improve electrical, magnetic, optical, chemical, and mechanical properties of the nanoparticle without modifying the surface of the nanoparticle. CONSTITUTION: A method for manufacturing nanoparticle/block copolymer complex(1) includes a step of forming micelle through self-assembly by putting the block copolymer(A-b-B) with two block repeating units into a solvent. The solubility variables of organic ligand, the block copolymer, and the solvent satisfy a chemical formula 1, a chemical formula 2, or a chemical formula 3. The chemical formula 1 is 29

    Abstract translation: 目的：提供制造纳米颗粒/嵌段共聚物复合物的方法，以改善纳米颗粒的电，磁，光学，化学和机械性能，而不改变纳米颗粒的表面。 构成：制造纳米粒子/嵌段共聚物络合物（1）的方法包括通过将具有两个嵌段重复单元的嵌段共聚物（A-b-B）嵌入溶剂中，通过自组装形成胶束的步骤。 有机配体，嵌段共聚物和溶剂的溶解度变量满足化学式1，化学式2或化学式3.化学式1为29 <=δ_S - δ_A。化学式2为 化学式3是1δ_L-δ_Al<= 5或lδ_L-δ_B1<= 5。在化学式中，δ_S是溶剂的溶解度变量。 δ_A是嵌段重复单元A的溶解度变量。δ_B是嵌段重复单元B的溶解度变量。δ_L是配体的溶解度变量。

    나노스케일의 전달가능한 막의 제조방법 및 그 용도
    8.
    发明授权
    나노스케일의 전달가능한 막의 제조방법 및 그 용도 有权
    制备可转移纳米级可转移膜的方法及其用途

    公开(公告)号：KR101621173B1

    公开(公告)日：2016-05-13

    申请号：KR1020140163181

    申请日：2014-11-21

    Applicant: 서울대학교산학협력단

    Inventor： 차국헌 ,  남좌민 ,  장영선 ,  이효진

    IPC: C08J5/18 ,  B29C41/02 ,  C12M3/00 ,  B01D69/00 ,  B01D71/06

    Abstract: 본원은상대습도가조절되는폐쇄챔버에서폴리머를스핀코팅하는단계및 상기챔버의습도를조절하는단계를포함하며, 상기습도는적어도하나의과포화된염 용액을이용하여수행되며, 이에의해상기막의구멍의밀도가조절되는, 본원은비용제성증기유도된상분리방법에의한나노스케일의구멍및 두께를갖는프리스탠딩의전달가능한막의제조방법을개시한다. 본원은또한상기방법에의해제조된막 및그 용도를개시한다. 본원에따른막은다양하며조절가능한세포공배양분석을가능하게하는공배양플랫폼으로유용하게사용될수 있다. 본원에따른공배양플랫폼은인비보와유사한환경을제공하여세포간예를들면암세포및 상이한스트로마세포간의파라크라인소통의정성적분석이가능하여, 질환의치료제개발에중요한주요인자의규명에유용하게사용될수 있다.

    반도체 나노입자를 포함하는 광흡수층의 제작방법 및 이 광흡수층을 포함하는 반도체 소자의 제작방법
    9.
    发明授权
    반도체 나노입자를 포함하는 광흡수층의 제작방법 및 이 광흡수층을 포함하는 반도체 소자의 제작방법 有权
    制造含有半导体纳米颗粒的吸收层的方法和制造含有相同吸收层的半导体器件的方法

    公开(公告)号：KR101478448B1

    公开(公告)日：2015-01-02

    申请号：KR1020130076427

    申请日：2013-07-01

    Applicant: 서울대학교산학협력단

    Inventor： 이창희 ,  차국헌 ,  이성훈 ,  이동구 ,  임재훈 ,  송지연

    IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

    CPC classification number: H01L51/426 ,  B82Y40/00 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

    Abstract: 본 발명은 광흡수층 제작방법 및 이 광흡수층을 포함하는 반도체 소자의 제작방법에 관한 것으로, 일 실시예에 따르면, 기판 위에 반도체 나노입자 용액을 도포하여 나노입자 박막을 형성하는 단계; 나노입자간의 결합을 유도하기 위해, 형성된 상기 나노입자 박막을 적어도 1회 이상 열처리하는 단계; 및 상기 나노입자 박막에 광흡수재 용액을 도포하여 광흡수층을 형성하는 단계;를 포함하는 광흡수층의 제작 방법 및 이 광흡수층을 포함하는 반도체 소자의 제작 방법을 개시한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种制造光吸收层的方法和一种制造包括光吸收层的半导体器件的方法。 根据本发明的一个实施方案，制备光吸收层的方法包括以下步骤：通过将半导体纳米颗粒溶液施加到基底上形成纳米颗粒薄膜; 至少一次热处理纳米颗粒薄膜以诱导纳米颗粒之间的耦合; 以及通过将光吸收溶液施加到所述纳米颗粒薄膜上而形成光吸收层。

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