公开(公告)号：KR102225508B1

公开(公告)日：2021-03-08

申请号：KR1020140133370A

申请日：2014-10-02

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 김규식 ,  김장주 ,  이계황 ,  류이치 사토 ,  진용완 ,  김대호

IPC: H01L51/42 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/307 ,  H01L2251/308 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/4206 ,  H01L51/4253

Abstract: 광이 입사되는 측에 위치하는 제1 투광 전극, 상기 제1 투광 전극과 마주보는 제2 투광 전극, 상기 제1 투광 전극과 제2 투광 전극 사이에 위치하는 특정 파장 영역의 광을 선택적으로 흡수하는 광 활성층, 및 상기 제1 투광 전극과 상기 광 활성층 사이, 상기 제2 투광 전극과 상기 광 활성층 사이, 또는 상기 제1 투광 전극과 상기 광 활성층 사이 및 상기 제2 투광 전극과 상기 광 활성층 사이에 위치하여 상기 광 활성층이 흡수하는 특정 파장 영역 외의 광의 투과율을 증가시키는 선택적 광 투과층을 포함하는 유기 광전 소자 및 상기 이미지 센서를 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100813273B1

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：KR1020070001159

申请日：2007-01-04

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 백찬욱 ,  진용완 ,  박건식 ,  김종민 ,  신영민 ,  소진규

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/00 ,  G03F1/22 ,  G03F9/7053 ,  G03F9/7076 ,  G03F1/60

Abstract: A mask for use in an LIGA(Lithographie Galvanofomung Abformung) process, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing a micro structure using the LIGA process are provided to reduce an alignment error with respect to photoresist layers by inserting an aligning pin into aligning pin holes on the entire photoresist layers. A substrate(120) for a structure, a photoresist layer(152) comprised of a plating hole(155) and an aligning pin hole(157) formed on a position corresponding to the plating hole, an aligning pin capable of being inserted into the aligning pin hole are manufactured. Processes for laminating the photoresist layer on the substrate for a structure and forming a plating layer by plating a metal in the plating hole are repeated by the number of the photoresist layers. The alignment between the laminated photoresist layer and a photoresist layer to be laminated is accomplished by inserting the aligning pin into the aligning pin hole on the entire laminated photoresist layer.

Abstract translation: 提供了用于LIGA（Lithographie Galvanofomung Abformung）工艺的掩模，其制造方法和使用LIGA工艺制造微结构的方法，以通过将对准销插入来减少相对于光致抗蚀剂层的对准误差 在整个光致抗蚀剂层上对准针孔。 一种用于结构的衬底（120），由形成在与所述电镀孔相对应的位置上的电镀孔（155）和对准销孔（157）构成的光致抗蚀剂层（152），能够插入到所述电镀孔 制造对准销孔。 通过光致抗蚀剂层的数量重复用于层压用于结构的光致抗蚀剂层和通过在电镀孔中镀覆金属形成镀层的工艺。 层压的光致抗蚀剂层和要层压的光致抗蚀剂层之间的对准是通过将对准销插入整个层叠的光致抗蚀剂层上的对准销孔来实现的。

公开(公告)号：KR101860084B1

公开(公告)日：2018-05-23

申请号：KR1020120073981

申请日：2012-07-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이광희 ,  김규식 ,  박경배 ,  임동석 ,  임선정 ,  진용완

IPC: C07D495/22 ,  H01L51/46

CPC classification number: H01L51/0071 ,  C07D495/04 ,  H01B1/12 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/424 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/549

Abstract: 하기화학식 1로표현되는화합물을포함하는유기광전재료, 상기유기광전재료를포함하는유기광전소자및 이미지센서에관한것이다. [화학식 1]화학식 1에서 A는명세서에서정의한바와같다.

公开(公告)号：KR101844952B1

公开(公告)日：2018-04-04

申请号：KR1020110035301

申请日：2011-04-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김도환 ,  최웅 ,  박경배 ,  김규식 ,  진용완 ,  이광희

IPC: H01L27/146 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L51/0043 ,  H01L51/4253

Abstract: 제1 전극, 상기제1 전극과대향하여배치되어있는제2 전극, 그리고상기제1 전극과상기제2 전극사이에위치하는광전변환층을포함하는광 감지소자; 및상기광 감지소자의제2 전극위에위치하는색 필터를포함하고, 상기광전변환층은전자공여체블록과전자수용체블록을포함하는블록공중합체를포함하며, 상기블록공중합체에서전자공여체블록은전자공여체블록끼리적층되어상기제1 전극및 상기제2 전극에연결되어있고, 전자수용체블록은전자수용체블록끼리적층되어상기제1 전극및 상기제2 전극에연결되어있는것인이미지센서및 상기이미지센서의제조방법을제공한다.

Abstract translation: 包括第一电极，第一电极上的光感测装置，所述第二电极设置成朝向过度，以及设置在所述第一电极和所述第二电极层之间的光电转换; 和第二光电转换层，并且包括在电极上形成的彩色滤光器包括与电子给体块和电子受体嵌段的嵌段共聚物，在光感测设备的嵌段共聚物中的电子供体块为e 供体被层压到所述第一电极的彼此块和第二被连接到所述第二电极，所述电子受体块被堆叠在电子受体块在第一电极和itneungeot连接到所述第二电极和所述图像传感器的图像传感器之间， 及其制造方法。

公开(公告)号：KR101804348B1

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：KR1020110074231

申请日：2011-07-26

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  더 보드 어브 트러스티스 어브 더 리랜드 스탠포드 주니어 유니버시티

Inventor： 정종원 ,  힐케비.아케만 ,  지난바오 ,  김도환 ,  진용완 ,  이상윤 ,  구본원

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/30 ,  H01L51/05

Abstract: 제1 양각부및 상기제1 양각부보다높이가낮은제2 양각부를가진몰드를준비하는단계, 하부막위에상기몰드를배치하는단계, 상기하부막과상기몰드사이에유기반도체용액을공급하는단계, 그리고모세관력(capillary force)에의해상기하부막과상기제2 양각부사이에상기유기반도체용액을모으는단계를포함하는유기반도체패턴의형성방법, 상기방법으로형성된유기반도체패턴및 이를포함하는유기전자소자에관한것이다.

Abstract translation: 制备具有第一压花部分和高度低于第一压花部分的第二压花部分的模具，将模具设置在下膜上，将有机半导体溶液供应到下膜和模具之间 并且通过下膜和第二压花之间的毛细作用力收集有机半导体溶液，通过该方法形成的有机半导体图案以及有机半导体 Lt。

公开(公告)号：KR1020170057788A

公开(公告)日：2017-05-25

申请号：KR1020150161397

申请日：2015-11-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 진용완 ,  이광희 ,  이계황 ,  박경배 ,  임동석 ,  최용석

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/146 ,  H01L27/14647 ,  H01L27/14692

Abstract: 제1 가시광을감지하는제1 광감지소자와제2 가시광을감지하는제2 광감지소자가집적되어있는반도체기판, 그리고상기반도체기판의일면에위치하고상기제1 가시광및 상기제2 가시광보다장파장영역인제3 가시광을선택적으로감지하는제3 광감지소자를포함하고, 상기제1 광감지소자와상기제2 광감지소자는상기반도체기판의두께방향으로중첩하게배치되어있는이미지센서에관한것이다.

Abstract translation: 第一光敏器件和所述第二光敏器件，在半导体基板上形成为一体，并且位于具有所述第一可见光和比所述第二可见光长波长区域中的半导体基板的一个表面，以检测第二可见光来检测可见光 以及用于选择性地感测第三可见光的第三光敏器件，其中第一光敏器件和第二光敏器件在半导体衬底的厚度方向上以重叠的方式设置。

公开(公告)号：KR101720586B1

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：KR1020100023400

申请日：2010-03-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정득석 ,  진용완

IPC: G02F1/15

CPC classification number: G02F1/15 ,  G02F2001/1635 ,  H01L27/1214

Abstract: 능동형전기변색소자제조방법이개시되어있다. 능동형전기변색소자제조방법에따르면, 게이트전극, 소스전극및 드레인전극을가지는박막트랜지스터및 이박막트랜지스터의드레인전극에전기적으로접속된픽셀전극을형성한제1기판을준비한다. 전기영동공정을위해, 제1기판과메쉬를전기변색반도체층형성용용액에서로이격되게담근다. 제1기판을픽셀전극이잠기도록용액에담근상태에서, 게이트전극에전압이인가되도록하여박막트랜지스터의채널을오픈시키고, 소스전극에전기적으로연결된단자와메쉬사이에전압원을연결하여픽셀전극과메쉬사이에전위차가발생하도록하여, 용액내물질을픽셀전극상에증착시켜전기변색반도체층을형성한다.

公开(公告)号：KR1020170027223A

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：KR1020150123873

申请日：2015-09-01

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  울산과학기술원

Inventor： 최용석 ,  양창덕 ,  진용완 ,  김경식 ,  안유진

IPC: C07C255/49 ,  C07C255/52 ,  C07D409/10 ,  C07D495/04 ,  C07D407/10 ,  C07D493/04 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L51/0052 ,  C07C255/31 ,  C07C2601/16 ,  C07C2603/18 ,  C07D333/24 ,  C09B23/105 ,  C09B57/00 ,  H01L27/307 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/447

Abstract: 하기화학식 1로표현되는화합물, 화학식 2로표현되는화합물및 이들의조합에서선택되는유기광전소자용화합물을제공한다. [화학식 1][화학식 2]상기화학식 1과화학식 2의각 치환기의정의는상세한설명에기재된바와같다.

Abstract translation: 用于有机光电装置的化合物包括由化学式1表示的化合物，由化学式2表示的化合物及其组合中的至少一种。

公开(公告)号：KR1020160062708A

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：KR1020150164599

申请日：2015-11-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임선정 ,  노탁균 ,  야기타다오 ,  박경배 ,  윤성영 ,  진용완 ,  허철준

IPC: C07D345/00 ,  C07D421/12 ,  C07C391/00 ,  C07C395/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/42 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L51/006 ,  C07D333/36 ,  C07D333/48 ,  C07D345/00 ,  C07D421/06 ,  C07F7/0818 ,  C09B23/04 ,  C09B57/008 ,  H01L27/307 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/42 ,  H01L51/447 ,  Y02E10/549

Abstract: 하기화학식 1의유기광전소자용화합물및 이를포함하는유기광전소자, 이미지센서및 전자장치를제공한다: [화학식 1]상기화학식 1에서, 각치환기의정의는명세서에기재된바와같다.

Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的有机光电装置用化合物，涉及包含该化合物的有机光电装置，图像传感器和电子装置。 在化学式1中，每个取代基与说明书中所述相同。 此外，有机光电装置用化合物可以选择性地吸收绿色波长区域的光。

公开(公告)号：KR1020160062527A

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：KR1020140165398

申请日：2014-11-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임선정 ,  윤성영 ,  노탁균 ,  진용완

IPC: C07D409/06 ,  C07D409/02 ,  C09K11/06 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/0061 ,  C07D409/06 ,  C07D421/06 ,  H01L27/307 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/4253

Abstract: 하기화학식 1의유기광전소자용화합물및 이를포함하는유기광전소자, 이미지센서및 전자장치를제공한다: [화학식 1]상기화학식 1에서, 각치환기의정의는명세서에기재된바와같다.

Abstract translation: 本发明涉及一种由化学式1表示的有机光电装置用有机光电装置和图像传感器。 在化学式1中，每个取代基与说明书中所述相同。 此外，有机光电装置用化合物可以选择性地吸收绿色波长区域的光。