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公开(公告)号：KR101287746B1
公开(公告)日：2013-07-19
申请号：KR1020120002477
申请日：2012-01-09
Applicant: 서강대학교산학협력단 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L51/50
Abstract: 본 발명은 다층 구조의 소자에 있어서, 제1 층 상의 제2 층의 커버율을 산출하는데 있어서 제3 층의 결정화율을 측정하여 결정하는 다층 구조 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 다층 구조 소자는 기판과, 기판 상에 피착된 제1 층과 제1 층 상에 피착된 제2 층 및 제2 층 상에 피착된 제3 층을 포함하고, 제1 층 상의 제2 층의 커버율은 제3 층의 결정화율에 의해 결정된다. 제3 층의 결정화율은 X-선 회절을 측정함으로써 구할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101106361B1
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：KR1020090100451
申请日：2009-10-21
Applicant: 서강대학교산학협력단 , 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 다층 구조 소자에서 제1 층 상의 제2 층의 커버율을 제2 층 상의 제3 층의 결정화율에 기초하여 검출하는 다층 구조 소자를 구성하는 층의 커버율 검출 방법에 관한 것이다. 본 발명에서 다층 구조 소자는 기판과, 기판 상에 피착된 제1 층과 제1 층 상에 피착된 제2 층 및 제2 층 상에 피착된 제3 층을 포함하고, 제1 층 상의 제2 층의 커버율은 제3 층의 결정화율에 의해 결정된다. 이때, 제3 층의 결정화율은 X-선 회절을 측정함으로써 구할 수 있다.
다층 구조 소자, 커버율, X-선 회절-
公开(公告)号：KR1020090128353A
公开(公告)日：2009-12-15
申请号：KR1020090100451
申请日：2009-10-21
Applicant: 서강대학교산학협력단 , 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L51/442 , H01L21/02667 , H01L21/2683 , H01L23/145 , H01L51/5072 , H01L51/5092
Abstract: PURPOSE: A cover rate detecting method of multilayer structure device is provided to measure a degree of crystallization of a third layer on a second layer, thereby easily determining a cover rate of the second layer on a first layer. CONSTITUTION: A first layer is adhered on a substrate. A second layer is adhered on the first layer. A third layer is adhered on the second layer. A cover rate of the second layer is determined by a crystallization rate of the third layer. The crystallization rate of the third layer is obtained by measuring an X-ray diffraction.
Abstract translation: 目的：提供一种多层结构装置的覆盖率检测方法，用于测量第二层上的第三层的结晶度，从而容易地确定第一层上的第二层的覆盖率。 构成：第一层粘附在基材上。 第二层粘附在第一层上。 第三层粘附在第二层上。 第二层的覆盖率由第三层的结晶速率决定。 通过测量X射线衍射获得第三层的结晶速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100672905B1
公开(公告)日：2007-01-22
申请号：KR1020050039490
申请日：2005-05-11
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: C07F7/02
Abstract: 본 발명은 비환형 유기 폴리올을 이용한 반응형 기공형성제와 이를 이용하여 제조된 초저유전막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 비환형 유기 폴리올 화합물이 350 ℃ 내지 500 ℃의 온도에서 완전 열분해되는 특성을 가지므로, 상기한 비환형 유기 폴리올 화합물의 말단 하이드록시기를 알킬알콕시실란의 반응성기로 전환하여 반응형 기공형성제로 사용하게 되면 유기실리케이트 매트릭스와 졸-젤 반응 및 고온 열처리하여 카본 잔류물(carbon residue)을 거의 남기지 않으면서도 균일한 크기의 기공형성이 가능함은 물론 기공률 대비 기계적 물성이 우수한 초저유전막을 형성하게 되는 신규의 비환형 유기 폴리올을 이용한 반응형 기공형성제와 이를 이용하여 제조된 초저유전막에 관한 것이다.
반응형 기공형성수지, 비환형 폴리올 유기물질, 펜타에리쓰리톨 유도체, 에리쓰리톨 유도체, 알릴레이션 및 하이드로실릴레이션 반응, 초저유전막, 유전율, 기계적 물성, 기공크기-
公开(公告)号：KR101159727B1
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：KR1020100007530
申请日：2010-01-27
Applicant: 서강대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 (a) 표면 특성의 구배(gradient)가 있는 배양 고상 기질 상에 세포를 배양하는 단계; (b) 상기 표면 특성의 구배가 있는 배양 기질 상에서 상기 세포의 착상, 성장 또는 분화를 평가하는 단계; 및 (c) 상기 평가된 착상, 성장 또는 분화를 상기 표면 특성을 변수로 하여 선형적(linear)으로 수치화 하여 세포를 색인화하는 단계를 포함하는 세포의 색인화(cellular indexing) 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 독립적으로 각각의 구배 기질을 활용하는 것은 단지 하나의 세포의 경향성을 제시하나, 가장 바람직하게는 3개 이상의 각기 다른 조건으로 제어된 기질이 표현될 수 있는 인덱싱은 대부분의 세포를 간단한 숫자로 표현되도록 하며, 종래 기술에서는 구현되지 않은 새로운 세포 인덱싱 또는 분류 방법을 제시한다. 본 발명에 따르면, 반복적인 여러 실험을 하지 않고서도 세포에 대한 특성을 예측할 수 있는 표준 정보를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020110087889A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：KR1020100007530
申请日：2010-01-27
Applicant: 서강대학교산학협력단
CPC classification number: C12Q1/02 , G01N33/5008
Abstract: PURPOSE: A cellular indexing method is provided to express cells in a simple numbers and to predict characteristics of the cells without repetitive tests. CONSTITUTION: A cellular indexing method comprises: a step of culturing cells on a culture solid substrate with gradient of surface characteristics; a step of evaluating growth or differentiation of cells on the culture substrate; and indexing the cells by linearly digitalizing the evaluated growth or differentiation. The surface characteristic is chemical or physical surface characteristic. The chemical surface characteristic is hydrophilic, hydrophobic, or chemical functionality. The physical surface characteristic is contact angle, surface roughness, surface tension, positive charge density, or negative charge density.
Abstract translation: 目的：提供细胞索引方法以简单的数字表达细胞，并预测细胞的特征，而无需重复测试。 构成：细胞分选方法包括：在具有表面特征的梯度的培养基底物上培养细胞的步骤; 评估细胞在培养基质上的生长或分化的步骤; 并通过线性数字化评估的生长或分化来对细胞进行索引。 表面特性是化学或物理表面特性。 化学表面特征是亲水，疏水或化学功能。 物理表面特征是接触角，表面粗糙度，表面张力，正电荷密度或负电荷密度。
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公开(公告)号：KR1020120018207A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：KR1020120002477
申请日：2012-01-09
Applicant: 서강대학교산학협력단 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5092 , H01L2251/558
Abstract: PURPOSE: A multilayered structure device is provided to measure a coverage ratio of LiF on Alq3 by measuring a crystallization of Al in an OLED device. CONSTITUTION: A multilayered structure device includes a substrate(100), a first layer, a second layer, and a third layer. The first layer is formed on the substrate. The second layer is formed on the first layer. The third layer is formed on the second layer. The second layer formed on the first layer has a coverage ratio according to the crystallization of the third layer.
Abstract translation: 目的：提供一种多层结构器件，用于通过测量OLED器件中的Al的结晶度来测量Alq 3上LiF的覆盖率。 构成：多层结构器件包括衬底（100），第一层，第二层和第三层。 第一层形成在基板上。 第二层形成在第一层上。 第三层形成在第二层上。 形成在第一层上的第二层具有根据第三层的结晶的覆盖率。
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公开(公告)号：KR1020060117563A
公开(公告)日：2006-11-17
申请号：KR1020050039490
申请日：2005-05-11
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: C07F7/02
CPC classification number: H01L21/76801 , H01L21/02112 , H01L21/02203
Abstract: A reactive porogen based on organic noncyclic-polyol, and ultra-low dielectric materials prepared by using the same porogen are provided not to remain carbon residue after semiconductor-manufacturing process, and produce ultra-low dielectric materials having enhanced mechanical properties based on the same porosity and small size of pores, so that the ultra-low dielectric materials are useful as interlayer insulating film of next generation semiconductor for copper wiring. The reactive porogen is prepared by replacing the terminal hydroxy group of organic noncyclic-polyol by alkylalkoxysilane, wherein the organic noncyclic-polyol is completely pyrolyzed at 350-500 deg.C not to remain carbon residue; and the organic noncyclic-polyol is erythritol represented by the formula(1): (HOH2C)3C-CH2-OR or petaerythritol organic compound represented by the formula(2): HOCH2[CH(OH)]nCH2OH, wherein R is H, CH2C(CH2OH)3 or CH2C(CH2OH)2CH2OCH2C(CH2OH3), and n is an integer from 2 to 4. The ultra-low dielectric material composition comprises 10-90 volume% of organic or inorganic silicate precursor as an organic silicate matrix and 10-90 volume% of the porogen as a porogenic template, wherein the matrix is polymethylsilsesquioxane monopolymer or copolymer. The ultra-low dielectric materials are prepared by preparing a thin layer with the ultra-low dielectric material composition, and sol-gel reacting and heat-treating the thin layer.
Abstract translation: 提供了基于有机非环多元醇的反应性致孔剂和通过使用相同的致孔剂制备的超低介电材料，在半导体制造过程之后不保留碳残留物，并且产生具有相同的机械性能的超低介电材料 孔隙率小，孔径小，使得超低介电材料可用作铜布线下一代半导体的层间绝缘膜。 通过用烷基烷氧基硅烷代替有机非环多元醇的末端羟基制备反应性致孔剂，其中有机非环多元醇在350-500℃完全热解而不残留碳残余物; 有机非环状多元醇为式（1）表示的赤藓糖醇：式（2）表示的（HOH2C）3C-CH2-OR或赤藓糖醇有机化合物：HOCH2 [CH（OH）] nCH2OH，其中R为H， CH 2 C（CH 2 OH）3或CH 2 C（CH 2 OH）2 CH 2 OCH 2 C（CH 2 OH 3），n是2至4的整数。超低介电材料组合物包含10-90体积％的有机或无机硅酸盐前体作为有机硅酸盐基质， 10-90体积％的致孔剂作为致孔模板，其中基质是聚甲基倍半硅氧烷单聚合物或共聚物。 超低介电材料通过制备具有超低介电材料组合物的薄层，并对薄层进行溶胶 - 凝胶反应和热处理来制备。
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