公开(公告)号：KR1020060117563A

公开(公告)日：2006-11-17

申请号：KR1020050039490

申请日：2005-05-11

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 이희우 ,  문봉진 ,  윤도영 ,  김현정 ,  민성규 ,  이태훈 ,  안건우

IPC: C07F7/02

CPC classification number: H01L21/76801 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02203

Abstract: A reactive porogen based on organic noncyclic-polyol, and ultra-low dielectric materials prepared by using the same porogen are provided not to remain carbon residue after semiconductor-manufacturing process, and produce ultra-low dielectric materials having enhanced mechanical properties based on the same porosity and small size of pores, so that the ultra-low dielectric materials are useful as interlayer insulating film of next generation semiconductor for copper wiring. The reactive porogen is prepared by replacing the terminal hydroxy group of organic noncyclic-polyol by alkylalkoxysilane, wherein the organic noncyclic-polyol is completely pyrolyzed at 350-500 deg.C not to remain carbon residue; and the organic noncyclic-polyol is erythritol represented by the formula(1): (HOH2C)3C-CH2-OR or petaerythritol organic compound represented by the formula(2): HOCH2[CH(OH)]nCH2OH, wherein R is H, CH2C(CH2OH)3 or CH2C(CH2OH)2CH2OCH2C(CH2OH3), and n is an integer from 2 to 4. The ultra-low dielectric material composition comprises 10-90 volume% of organic or inorganic silicate precursor as an organic silicate matrix and 10-90 volume% of the porogen as a porogenic template, wherein the matrix is polymethylsilsesquioxane monopolymer or copolymer. The ultra-low dielectric materials are prepared by preparing a thin layer with the ultra-low dielectric material composition, and sol-gel reacting and heat-treating the thin layer.

Abstract translation: 提供了基于有机非环多元醇的反应性致孔剂和通过使用相同的致孔剂制备的超低介电材料，在半导体制造过程之后不保留碳残留物，并且产生具有相同的机械性能的超低介电材料 孔隙率小，孔径小，使得超低介电材料可用作铜布线下一代半导体的层间绝缘膜。 通过用烷基烷氧基硅烷代替有机非环多元醇的末端羟基制备反应性致孔剂，其中有机非环多元醇在350-500℃完全热解而不残留碳残余物; 有机非环状多元醇为式（1）表示的赤藓糖醇：式（2）表示的（HOH2C）3C-CH2-OR或赤藓糖醇有机化合物：HOCH2 [CH（OH）] nCH2OH，其中R为H， CH 2 C（CH 2 OH）3或CH 2 C（CH 2 OH）2 CH 2 OCH 2 C（CH 2 OH 3），n是2至4的整数。超低介电材料组合物包含10-90体积％的有机或无机硅酸盐前体作为有机硅酸盐基质， 10-90体积％的致孔剂作为致孔模板，其中基质是聚甲基倍半硅氧烷单聚合物或共聚物。 超低介电材料通过制备具有超低介电材料组合物的薄层，并对薄层进行溶胶 - 凝胶反应和热处理来制备。

公开(公告)号：KR100672905B1

公开(公告)日：2007-01-22

申请号：KR1020050039490

申请日：2005-05-11

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 이희우 ,  문봉진 ,  윤도영 ,  김현정 ,  민성규 ,  이태훈 ,  안건우

IPC: C07F7/02

Abstract: 본 발명은 비환형 유기 폴리올을 이용한 반응형 기공형성제와 이를 이용하여 제조된 초저유전막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 비환형 유기 폴리올 화합물이 350 ℃ 내지 500 ℃의 온도에서 완전 열분해되는 특성을 가지므로, 상기한 비환형 유기 폴리올 화합물의 말단 하이드록시기를 알킬알콕시실란의 반응성기로 전환하여 반응형 기공형성제로 사용하게 되면 유기실리케이트 매트릭스와 졸-젤 반응 및 고온 열처리하여 카본 잔류물(carbon residue)을 거의 남기지 않으면서도 균일한 크기의 기공형성이 가능함은 물론 기공률 대비 기계적 물성이 우수한 초저유전막을 형성하게 되는 신규의 비환형 유기 폴리올을 이용한 반응형 기공형성제와 이를 이용하여 제조된 초저유전막에 관한 것이다.
반응형 기공형성수지, 비환형 폴리올 유기물질, 펜타에리쓰리톨 유도체, 에리쓰리톨 유도체, 알릴레이션 및 하이드로실릴레이션 반응, 초저유전막, 유전율, 기계적 물성, 기공크기