公开(公告)号：KR101910579B1

公开(公告)日：2018-10-22

申请号：KR1020120120611

申请日：2012-10-29

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 이재호 ,  박성준 ,  변경은 ,  서형석 ,  송현재 ,  신형철 ,  이재홍 ,  정현종 ,  허진성

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/772 ,  H01L29/872 ,  H01L29/88

Abstract: 튜너블배리어를구비한그래핀스위칭소자가개시된다. 개시된그래핀스위칭소자는도전성반도체기판상에서서로이격된제1영역및 제2영역에각각배치된제1 전극및 절연층과, 상기절연층상에서상기제1 전극을향하여상기기판상으로연장되며상기제1 전극과이격된그래핀층과, 상기그래핀층상에서상기절연층과마주보는제2 전극과, 상기그래핀층상방의게이트전극과, 상기그래핀층하부와접촉하는상기기판의영역이불순물로도핑된제1 우물을포함한다. 상기제1 우물은상기그래핀층과상기제1 전극사이에에너지장벽을형성한다.

公开(公告)号：KR1020140054744A

公开(公告)日：2014-05-09

申请号：KR1020120120611

申请日：2012-10-29

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 이재호 ,  박성준 ,  변경은 ,  서형석 ,  송현재 ,  신형철 ,  이재홍 ,  정현종 ,  허진성

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/772 ,  H01L29/872 ,  H01L29/88

Abstract: Disclosed is a graphene switching device having a tunable barrier. The disclosed graphene switching device includes a first electrode and an insulating layer which are respectively arranged in a first region and a second region which are separated from each other on a conductive semiconductor substrate, a graphene layer which is extended from the insulating layer to the first electrode on the substrate and is separated from the first electrode, a second electrode which faces the insulating layer on the graphene layer, a gate electrode above the graphene layer, and a first well which has a region of the substrate which touches the lower part of the graphene layer which is doped with impurity. The first wall has an energy barrier which is between the graphene layer and the first electrode.

Abstract translation: 公开了一种具有可调屏障的石墨烯开关装置。 所公开的石墨烯开关装置包括分别布置在导电半导体衬底上彼此分离的第一区域和第二区域中的第一电极和绝缘层，从绝缘层延伸到第一区域的石墨烯层 电极与第一电极分离，面对石墨烯层上的绝缘层的第二电极，石墨烯层上方的栅极电极和第一阱，该第一阱具有接触下述部分的基板的下部 掺杂有杂质的石墨烯层。 第一壁具有在石墨烯层和第一电极之间的能量势垒。

公开(公告)号：KR101910976B1

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：KR1020120077368

申请日：2012-07-16

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 이재호 ,  박성준 ,  변경은 ,  서형석 ,  송현재 ,  신형철 ,  이재홍 ,  정현종 ,  허진성

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78684 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/938

Abstract: 본개시는그래핀채널층을포함하는고성능전계효과트랜지스터에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면기판과, 상기기판상에마련되며슬릿을구비하고있는그래핀채널층과, 상기그래핀채널층에전압을인가하기위해마련되며서로이격되어형성되는소스전극과드레인전극과, 상기그래핀채널층에전계를형성하기위해마련되는게이트전극및 상기그래핀채널층과상기게이트전극사이에마련되는게이트절연층을포함하는전계효과트랜지스터를제공할수 있다.

公开(公告)号：KR1020160029984A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：KR1020140119306

申请日：2014-09-05

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 강창율 ,  김은경 ,  전인수 ,  서형석 ,  송보영 ,  박영준

IPC: A61K48/00 ,  A61K39/395 ,  A61K45/06 ,  G01N33/50

CPC classification number: A61K39/395 ,  A61K48/00 ,  A61K48/005 ,  A61K45/06 ,  G01N33/5023

Abstract: 본발명은오스테오폰틴단백질의발현또는활성억제제를유효성분으로함유하는암 치료용약학적조성물에관한것으로, 구체적으로암에서유래한오스테오폰틴이 CD44를매개하는 Erk1/2-MAPK signaling pathway를통하여 EM을증가시키고, 오스테오폰틴에의한 EM증진은암 환경에서 MDSC 축적에직접적으로기여하며, 또한암세포에오스테오폰틴을 Knock-Down(KD) 하였을때 암의성장과 EM이마우스에서유의적으로억제되고, 더욱이항 오스테오폰틴항체의사용으로마우스에서암의성장을억제하고, 면역세포기반백신과함께적용시시너지효과를나타낼수 있음을확인함으로써, 상기오스테오폰틴단백질의발현또는활성억제제는암 치료및 항암보조제의유효성분으로유용하게사용될수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及包含骨桥蛋白蛋白的表达或活化抑制剂作为治疗癌症的活性成分的药物组合物。 具体来说，衍生自癌症的骨桥蛋白能够通过CD44介导的Erk1 / 2-MAPK信号通路增加EM。 由于骨桥蛋白引起的EM增加直接影响MDSC在癌症环境中的积累。 此外，当敲除（KD）骨桥蛋白到癌细胞时，小鼠中癌症和EM的生长被显着抑制。 此外，组合物能够通过使用抗骨桥蛋白抗体抑制小鼠中的癌症生长，并且当应用免疫细胞基疫苗时具有协同效应。 因此，可以有效地使用骨桥蛋白的表达抑制剂或活化蛋白作为抗癌辅助剂和癌症治疗的活性成分。

公开(公告)号：KR1020140010720A

公开(公告)日：2014-01-27

申请号：KR1020120077368

申请日：2012-07-16

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 이재호 ,  박성준 ,  변경은 ,  서형석 ,  송현재 ,  신형철 ,  이재홍 ,  정현종 ,  허진성

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78684 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/938

Abstract: The present invention relates to a high-performance field effect transistor including a graphene channel layer. According to one embodiment of the present invention, the field effect transistor includes: a substrate; a grapheme channel layer which is placed on the substrate and includes a slit; a source electrode and a drain electrode which apply a voltage to the graphene channel layer and are placed at an interval; a gate electrode which forms an electric field in the graphene channel layer; and a gate insulation layer which is placed between the graphene channel layer and the gate electrode.

Abstract translation: 本发明涉及包括石墨烯通道层的高性能场效应晶体管。 根据本发明的一个实施例，场效应晶体管包括：衬底; 一个放置在基片上并包括狭缝的图形通道层; 源极电极和漏电极，其对石墨烯沟道层施加电压并以一定间隔放置; 在所述石墨烯沟道层中形成电场的栅电极; 以及位于石墨烯通道层和栅电极之间的栅极绝缘层。

公开(公告)号：KR1020110098441A

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020100018072

申请日：2010-02-26

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 정현종 ,  백승재 ,  서순애 ,  우윤성 ,  허진성 ,  서형석

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66045 ,  H01L23/522 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/124 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 그라핀 전자소자 및 제조방법이 개시된다. 개시된 그라핀 전자소자는, 상기 기판 상에 형성된 연결배선 및 복수의 전극을 덮는 층간 절연층과, 상기 층간 절연층 상에서 상기 복수의 전극을 덮는 제1절연층과, 상기 제1절연층 상에 형성되며 적어도 두개의 상기 전극과 그 양단이 연결되는 그라핀;을 포함한다.