N-말단 법칙 경로의 저해용 조성물 및 방법
    2.
    发明申请
    N-말단 법칙 경로의 저해용 조성물 및 방법 审中-公开
    用于抑制N-END规则路径的组合物和方法

    公开(公告)号:WO2015102419A1

    公开(公告)日:2015-07-09

    申请号:PCT/KR2015/000001

    申请日:2015-01-02

    Inventor: 권용태 이민재

    CPC classification number: A61K31/137

    Abstract: 본원은 화학식 1의 화합물, 또는 이의 약제학적으로 허용가능한 염을 포함하는, N-말단 법칙 경로 저해용 조성물 및 N-말단 법칙 경로의 조절 방법 및 N-말단 법칙 경로의 억제를 통한 단백질 변성 조절 방법 및 키트를 개시한다. 본원에 따른 조성물 및 방법은 단백질변성과 관련된 질환의 치료 또는 예방에 유용하게 사용될 수 있다.

    Abstract translation: 公开了用于抑制N末端规则途径的组合物,该组合物含有化学式1的化合物或其药学上可接受的盐; 调节N端规则通路的方法; 以及通过抑制N端规则途径调节蛋白质变性的方法和试剂盒。 根据本申请的组合物和方法可以有利地用于治疗或预防与蛋白质变性相关的疾病。

    오픈 게이트 프로테아좀을 포함하는 단백질 응집과 연관된 질병의 예방 또는 치료용 약학적 조성물
    4.
    发明公开
    오픈 게이트 프로테아좀을 포함하는 단백질 응집과 연관된 질병의 예방 또는 치료용 약학적 조성물 审中-实审
    用于预防或治疗与蛋白质聚集有关的疾病的药物组合物,包括开放式门控蛋白酶体

    公开(公告)号:KR1020170140638A

    公开(公告)日:2017-12-21

    申请号:KR1020160073196

    申请日:2016-06-13

    CPC classification number: C07K14/47 A61K38/16

    Abstract: 본발명은프로테아좀α3 소단위의 N 말단을제거하는단계를포함하는오픈게이트프로테아좀또는오픈게이트프로테아좀을포함하는단백질응집과연관된질병의예방또는치료용약학적조성물에관한것이다. 본발명에따른α3 소단위의 N 말단이제거된프로테아좀은포유류세포에서활성화되고, 상기활성화된오픈게이트프로테아좀이병인단백질의응집및 축적을억제하는효과와활성산소(ROS)가매개된산화스트레스에대항하여효과적으로세포생존률을향상시키는효과를나타내므로단백질응집과연관된질병의예방또는치료에유용하게사용될수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种蛋白酶体预防或治疗的物质与蛋白聚集包括很少或打开门蛋白酶〜α3除去亚基的N末端相关联的所述打开的门蛋白酶疾病的药物组合物。 并且是活性在蛋白酶体中的哺乳动物细胞中,α3亚单位的N-末端根据本发明被去除时,被激活的开放门蛋白酶抑制位yibyeongin蛋白和自由基(ROS)的聚集和积累的效果,又更氧化物 针对应力,因为它代表增加有效细胞生存力可以在与蛋白聚集相关的疾病的预防或治疗有用的效果。

    이온 트랩 장치 및 그 제작 방법
    6.
    发明授权
    이온 트랩 장치 및 그 제작 방법 有权
    用于捕捉离子的装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR101482440B1

    公开(公告)日:2015-01-15

    申请号:KR1020130121955

    申请日:2013-10-14

    CPC classification number: H01J3/00 H01J9/14 H01J49/0013 H01J49/422

    Abstract: 본 발명의 실시예는 반도체 기판 상에 DC 연결패드, 및 상기 DC 연결패드에 연결된 DC 레일을 포함하는 하나 이상의 중앙 DC전극; 상기 DC 레일에 인접하여 위치하는 하나 이상의 RF 레일, 및 상기 하나 이상의 RF 레일에 연결된 RF 패드를 포함하는 RF 전극; 및 상기 RF 전극을 기준으로 상기 DC전극 반대측에 위치하는 하나 이상의 측방 전극 패드를 포함하는 하나 이상의 측방 전극을 포함하고, 각 전극은 상호 대면하고 있는 부분의 모서리가 둥근(Round) 형태를 하는 이온 트랩 장치 및 그 제작 방법을 제공한다.

    Abstract translation: 提供了用于捕获离子以提高稳定性的装置及其制造方法。 本发明的实施例包括至少一个中心DC电极,其包括在半导体衬底上的直流连接和连接到DC连接焊盘的DC轨; RF电极,其包括与所述DC轨道相邻的至少一个RF轨道和连接到所述至少一个RF轨道的RF焊盘; 以及至少侧电极,其包括基于RF电极位于DC电极的相对部分的至少一个侧电极焊盘。 每个电极具有彼此面对的圆形边缘。

    비금속이 도핑된 수퍼 커패시터 전극용 다공성 탄소물질
    8.
    发明授权
    비금속이 도핑된 수퍼 커패시터 전극용 다공성 탄소물질 有权
    用于超级电极的非金属元素的碳材料

    公开(公告)号:KR101629164B1

    公开(公告)日:2016-06-13

    申请号:KR1020150002563

    申请日:2015-01-08

    CPC classification number: Y02E60/13 H01G11/86 H01G11/32

    Abstract: 본발명은셀루로스아세테이트로부터제조되는수퍼커패시터용다공성탄소물질및 그의제조방법에관한것으로, 보다상세하게는수퍼커패시터용다공성탄소물질은셀루로스아세테이트를질소, 붕소, 인, 불소로이루어진도펀트원소군중에서 1종이상선택된원소가포함된화합물분위기하에열분해하고, 상기선택된원소가열분해되어생성된탄소물질에도핑되어제조되며, 이는고 표면적을갖고있을뿐만아니라, 높은비정전용량및 충방전시에우수한성질을보여줄뿐만아니라, 또한, 활성탄혹은탄소물질의원료로서셀루로스아세테이트를이용하면, 보호필름이나담배꽁초폐기물, 담배필터의제조과정에서대량으로발생하는불량품, 규격외품, 혹은단재를유효하게이용할수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及掺杂有由乙酸纤维素制造的超级电容器电极的非金属元素的多孔碳质材料及其制造方法。 特别地,用于超级电容器电极的多孔碳质材料在由氮,硼,磷和氟组成的掺杂元素组中包含至少一种元素的复合气氛下热解乙酸纤维素。 所选择的元素被热解并掺入生产的碳质材料。 所生产的材料具有高表面积以及优异的比电容和充放电时的优异特性。 此外,当醋酸纤维素被用作活性炭或碳质材料的来源时,在保护膜或香烟过滤嘴的制造过程中产生的有缺陷的产品或不合格的产品。

    절연층 노출을 방지한 이온 트랩 장치 및 그 제작 방법
    9.
    发明公开
    절연층 노출을 방지한 이온 트랩 장치 및 그 제작 방법 有权
    用于在不暴露电介质层的情况下追踪离子的装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160053162A

    公开(公告)日:2016-05-13

    申请号:KR1020140150078

    申请日:2014-10-31

    Abstract: 본발명의실시예는, 반도체기판상에 DC 연결패드, 및상기 DC 연결패드에연결된 DC 레일을포함하는하나이상의중앙 DC전극; 상기 DC 레일에인접하여위치하는하나이상의 RF 레일, 및상기하나이상의 RF 레일에연결된 RF 패드를포함하는 RF 전극; 상기 RF 전극을기준으로상기 DC전극반대측에위치하는하나이상의측방전극패드를포함하는하나이상의측방전극; 및상기반도체기판상부에각 전극중에서적어도하나의전극을지지하는절연층을포함하고, 상기절연층은제1 절연층과상기제1 절연층의상부에위치하는제2 절연층을포함하고, 상기제2 절연층은폭 방향으로상기제1 절연층보다돌출된돌출부(Overhang)를갖는이온트랩장치및 그제작방법을제공한다.

    Abstract translation: 本发明的一个实施例的主要目的是设计一种离子阱芯片结构的形状及其工艺方法,该方法防止离子阱芯片结构中包含的绝缘层暴露于离子阱位置,以便 提高俘获带电粒子如离子的性能。 根据本发明的实施例,离子俘获装置包括:至少一个中心DC电极,其包括半导体衬底上的DC连接焊盘和连接到DC连接焊盘的DC导轨; RF电极,其包括邻近所述DC导轨设置的至少一个RF轨,以及连接到所述至少一个RF轨的RF焊盘; 至少一个横向电极,其包括相对于所述RF电极与所述中心DC电极相对设置的至少一个横向电极; 以及绝缘层,其在半导体衬底上支撑中心DC电极,RF电极和横向电极中的至少一个。 绝缘层包括设置在第一绝缘层上的第一绝缘层和第二绝缘层,并且第二绝缘层具有在宽度方向上比第一绝缘层进一步突出的突出端。

    희생층을 이용한 이온 트랩 장치 및 그 제작 방법
    10.
    发明公开
    희생층을 이용한 이온 트랩 장치 및 그 제작 방법 审中-实审
    用于使用真空层进行剥离的装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160053115A

    公开(公告)日:2016-05-13

    申请号:KR1020140149616

    申请日:2014-10-30

    CPC classification number: H01J49/0018 H01J49/42

    Abstract: 본발명의실시예는반도체기판상에 DC 연결패드, 및상기 DC 연결패드에연결된 DC 레일을포함하는하나이상의중앙 DC전극; 상기 DC 레일에인접하여위치하는하나이상의 RF 레일, 및상기하나이상의 RF 레일에연결된 RF 패드를포함하는 RF 전극; 상기 RF 전극을기준으로상기 DC전극반대측에위치하는하나이상의측방전극패드를포함하는하나이상의측방전극; 및각 전극과상기반도체기판사이에상기각 전극을지지하는절연층을포함하고, 상기각 전극중에서적어도하나의전극은상기절연층으로부터폭 방향으로돌출된돌출부(Overhang)를갖는이온트랩장치및 그제작방법을제공한다.

    Abstract translation: 本发明的目的是通过在离子捕获电极上实现具有均匀且准确的长度的电极悬垂,通过牺牲来制造最小化绝缘层的侧壁暴露于离子捕获位置的区域的离子捕获结构 并且是提高通过离子捕获结构捕获的性能和稳定性。 本发明的实施例提供了一种通过使用牺牲层捕获离子的装置及其制造方法。 用于捕获离子的装置包括:一个或多个中心DC电极,包括半导体衬底上的DC连接焊盘和连接到DC连接焊盘的DC导轨; RF电极,其包括邻近所述DC导轨设置的至少一个RF轨和连接到所述至少一个RF轨的RF焊盘; 至少一个横向电极,其包括相对于所述RF电极与所述中心DC电极相对设置的至少一个横向电极焊盘; 以及设置在各个电极和半导体衬底之间并且支撑各个电极的绝缘层。 各个电极中的至少一个具有从宽度方向从绝缘层突出的突出端。

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