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公开(公告)号：WO2016114461A1
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：PCT/KR2015/007103
申请日：2015-07-09
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G01R29/12 , G01R15/165 , G01R29/0814 , G01R29/0878 , G01R29/24 , H01L27/0251
Abstract: 일 실시예는 적어도 하나의 MOS 커패시터에 인가되는 게이트 전압 및 MOS 커패시터에 저장되는 전하량을 조절하여 MOS 커패시터에 저장된 전하량 변화의 민감도를 결정하고, 일정 시간 전기장에 노출시킨 후 전기장에 의한 전자의 유입 또는 유출의 결과를 판독하여 전기장의 세기 및 방향을 해석함으로써 전기장의 세기 및 방향을 측정하는 기술을 제공한다.
Abstract translation: 一个实施例提供一种调整要施加到至少一个MOS电容器的栅极电压和要存储在MOS电容器中的电荷量的技术，以便确定存储在MOS电容器中的电荷量变化的灵敏度 电容器，并且将MOS电容器暴露于电场达预定时间量，然后读取由于电场引起的电子流入或流出结果，以便解释电场的强度和方向，从而测量强度和 电场的方向。
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公开(公告)号：KR102122019B1
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：KR1020190049247
申请日：2019-04-26
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 에쓰대시오일 주식회사
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150140175A
公开(公告)日：2015-12-15
申请号：KR1020140068651
申请日：2014-06-05
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 일실시예는적어도하나의 MOS 커패시터에인가되는게이트전압및 MOS 커패시터에저장되는전하량을조절하여 MOS 커패시터에저장된전하량변화의민감도를결정하고, 일정시간전기장에노출시킨후 전기장에의한전자의유입또는유출의결과를판독하여전기장의세기및 방향을해석함으로써전기장의세기및 방향을측정하는기술을제공한다.
Abstract translation: 本发明的实施例提供了一种用于通过以下步骤来测量电场的强度和方向的技术：调整施加到至少一个MOS电容器的栅极电压和存储在MOS电容器中的电荷量; 确定存储在MOS电容器中的充电量的变化的灵敏度; 在暴露于电场一段时间之后，读取通过电场插入和释放电子的结果; 并解释电场的强度和方向。
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公开(公告)号：KR101644736B1
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：KR1020150006984
申请日：2015-01-14
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G01R29/12 , G01R15/165 , G01R29/0814 , G01R29/0878 , G01R29/24 , H01L27/0251
Abstract: 일실시예는적어도하나의 MOS 커패시터에인가되는게이트전압및 MOS 커패시터에저장되는전하량을조절하여 MOS 커패시터에저장된전하량변화의민감도를결정하고, 일정시간전기장에노출시킨후 전기장에의한전자의유입또는유출의결과를판독하여전기장의세기및 방향을해석함으로써전기장의세기및 방향을측정하는기술을제공한다.
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公开(公告)号：KR1020160087695A
公开(公告)日：2016-07-22
申请号：KR1020150006984
申请日：2015-01-14
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G01R29/12 , G01R15/165 , G01R29/0814 , G01R29/0878 , G01R29/24 , H01L27/0251
Abstract: 일실시예는적어도하나의 MOS 커패시터에인가되는게이트전압및 MOS 커패시터에저장되는전하량을조절하여 MOS 커패시터에저장된전하량변화의민감도를결정하고, 일정시간전기장에노출시킨후 전기장에의한전자의유입또는유출의결과를판독하여전기장의세기및 방향을해석함으로써전기장의세기및 방향을측정하는기술을제공한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，调节施加到至少一个金属氧化物半导体（MOS）电容器的栅极电压和存储在MOS电容器中的电荷量，以确定电荷变化的灵敏度 存储在MOS电容中的量。 通过在预定时间内将MOS电容器暴露于电场之后，通过读取由电场引起的电子流入/流出的结果来解释电场的强度和方向，以提供测量强度的技术 和电场的方向。
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公开(公告)号：KR1020150092516A
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：KR1020140012979
申请日：2014-02-05
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 외부인자를 측정하는 장치가 개시된다. 실시예들은 외부인자에 의해 빛을 발생시키는 발광부, 발생된 빛에 의해 전하 밀도가 변하는 차지 스토리지 메모리, 및 전하 밀도의 변화에 따라 저장되는 정보가 변경되도록 바이아스 전압을 제어하는 제어부를 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及外部因素的测量设备。 提供了通过外部因素产生光的发光单元。 电荷存储器，其通过产生光而改变电荷密度，并且包括控制单元，其控制偏置电压以根据电荷密度的变化来改变存储的信息。
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