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公开(公告)号：WO2020141665A1
公开(公告)日：2020-07-09
申请号：PCT/KR2019/006694
申请日：2019-06-04
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 광반응 변형 구조체 및 이의 구동 방법으로서, 광반응 변형 구조체(100)는, 광 조사에 의하여 굽힘 변형을 일으키는 적어도 하나의 고분자 필름을 포함하는 제1 바디부(200), 광 조사에 의하여 굽힘 변형을 일으키는 적어도 하나의 고분자 필름을 포함하는 제2 바디부(300), 및 제1 바디부(200)와 제2 바디부(300)의 연결을 매개하는 연결부(400)를 포함하고, 제1 바디부(200)와 제2 바디부(300)의 지면(20)에 접촉하는 일단부에는 접착 지지부(500, 600)가 형성되는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR102263800B1
公开(公告)日：2021-06-10
申请号：KR1020150001875
申请日：2015-01-07
Applicant: 에스케이텔레콤 주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: G06F12/1027 , G06F12/02
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公开(公告)号：KR1020160085035A
公开(公告)日：2016-07-15
申请号：KR1020150001875
申请日：2015-01-07
Applicant: 에스케이텔레콤 주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: G06F12/10
CPC classification number: G06F12/1027 , G06F12/0246
Abstract: 본발명은, 사상테이블관리가수반되는메모리장치를채용함에있어서, 사상정보의기록량을최소화하고호스트의워크로드패턴과상관없이일관성있는쓰기성능을보장할수 있는메모리제어장치및 메모리제어장치의동작방법을개시하고있다.
Abstract translation: 本发明提供一种伴随着映射表管理的存储装置。 发明了一种存储器管理装置及其控制方法。 根据本发明，存储器管理装置可以最小化映射信息写入量，并且不管主机的工作负载模式如何，都不断地保证写入性能。 存储器管理装置包括：数据控制单元; 映射表控制单元; 和映射更新控制单元。
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公开(公告)号：KR1020160084154A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：KR1020150000703
申请日：2015-01-05
Applicant: 에스케이텔레콤 주식회사 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은, (플래시)메모리에대한정상적인읽기연산을위해수반되어야하는특정신호(예 : DQ/DQS) 간위상정합을수행하는데있어, 메모리에대한사전메모리연산(예 : 지우기및 쓰기연산) 없이도, 신속하고안정적인위상정합수행을가능하게하는메모리장치및 메모리장치의동작방법을개시하고있다.
Abstract translation: 本发明提供了一种存储器件及其操作方法，其允许在执行特定信号（例如DQ / DQS）之间的相位匹配时关于存储器的先前存储器计算（例如擦除和写入计算）来快速且稳定地执行相位匹配。 需要遵循关于（新鲜）记忆的正常阅读计算。 存储器件包括存储器部分和相位匹配执行部分。
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公开(公告)号：KR1020150092516A
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：KR1020140012979
申请日：2014-02-05
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 외부인자를 측정하는 장치가 개시된다. 실시예들은 외부인자에 의해 빛을 발생시키는 발광부, 발생된 빛에 의해 전하 밀도가 변하는 차지 스토리지 메모리, 및 전하 밀도의 변화에 따라 저장되는 정보가 변경되도록 바이아스 전압을 제어하는 제어부를 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及外部因素的测量设备。 提供了通过外部因素产生光的发光单元。 电荷存储器，其通过产生光而改变电荷密度，并且包括控制单元，其控制偏置电压以根据电荷密度的变化来改变存储的信息。
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公开(公告)号：KR1020140100907A
公开(公告)日：2014-08-18
申请号：KR1020140013590
申请日：2014-02-06
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: A flash transition layer designing framework for a flash memory is disclosed. The flash transition layer structure according to an embodiment of the present invention comprises a fist log which processes data; a second log which processes information on mapping; and a third log which processes a second log and information on check points. The first log and the second log can correct errors using the information on check points.
Abstract translation: 公开了一种用于闪速存储器的闪存过渡层设计框架。 根据本发明的实施例的闪存过渡层结构包括处理数据的第一日志; 处理映射信息的第二个日志; 以及处理第二个日志的第三个日志和关于检查点的信息。 第一个日志和第二个日志可以使用检查点上的信息来纠正错误。
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公开(公告)号：KR101059673B1
公开(公告)日：2011-08-25
申请号：KR1020080134492
申请日：2008-12-26
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 신뢰도 또는 저장 용량을 동적으로 조절하는 저장 장치 및 방법이 제공된다. 본 발명의 저장 장치는 복수의 오류 처리 모드들을 지원하며, 적응적으로 또는 호스트의 요청에 응답하여 오류 처리 모드를 설정한다. 또한, 본 발명은 저장 장치를 구성하는 저장 장치 유닛 중 1개 이상을 제거하거나, 저장 장치에 1개 이상의 저장 장치 유닛을 추가할 수 있으며, 저장 장치 유닛의 개수를 변경할 수 있다. 또한, 본 발명은 오류 처리 모드나 저장 장치 유닛의 개수를 바꿈에 따라 호스트에 제공하는 유효 저장 용량을 변경할 수 있다. 또한, 본 발명은, 오류 처리 모드를 적절히 결정하거나 저장 장치 유닛을 추가 또는 제거함으로써, 저장 장치의 신뢰성을 일정 수준 이상으로 유지할 수 있으며, 저장 공간을 효율적으로 사용할 수 있다.
신뢰성, 스토리지, 저장 장치, 오류 정정, 오류 처리 모드, 저장 용량Abstract translation: 提供了用于动态调整可靠性或存储容量的存储设备和方法。 本发明的存储设备支持的多个错误处理模式，通过适应性地响应主机的请求或设置一个错误处理模式。 此外，本发明可以去除包括在存储装置中的存储单元中的一个或多个，或者在存储装置中添加一个或多个存储单元，它能够改变的存储单元的数量。 此外，本发明可以改变提供给主机按照改变的错误处理模式或存储单元的数目的有效存储容量。 此外，本发明被适当地由错误处理模式确定，或者添加或删除的存储单元，可以在一定的水平或更多保持所述存储设备的可靠性，因此能够有效地使用存储空间。
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