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公开(公告)号：WO2016114461A1
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：PCT/KR2015/007103
申请日：2015-07-09
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G01R29/12 , G01R15/165 , G01R29/0814 , G01R29/0878 , G01R29/24 , H01L27/0251
Abstract: 일 실시예는 적어도 하나의 MOS 커패시터에 인가되는 게이트 전압 및 MOS 커패시터에 저장되는 전하량을 조절하여 MOS 커패시터에 저장된 전하량 변화의 민감도를 결정하고, 일정 시간 전기장에 노출시킨 후 전기장에 의한 전자의 유입 또는 유출의 결과를 판독하여 전기장의 세기 및 방향을 해석함으로써 전기장의 세기 및 방향을 측정하는 기술을 제공한다.
Abstract translation: 一个实施例提供一种调整要施加到至少一个MOS电容器的栅极电压和要存储在MOS电容器中的电荷量的技术，以便确定存储在MOS电容器中的电荷量变化的灵敏度 电容器，并且将MOS电容器暴露于电场达预定时间量，然后读取由于电场引起的电子流入或流出结果，以便解释电场的强度和方向，从而测量强度和 电场的方向。
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公开(公告)号：KR101457802B1
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130062822
申请日：2013-05-31
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G11C16/06
CPC classification number: G11C16/06 , G06F12/0246 , G06F13/1668 , G11C7/1039
Abstract: 병렬화 기법을 활용하는 플래시 메모리 칩이 개시된다. 일 실시예는 플래시 메모리 소자들로 구성된 복수의 메모리 플레인들, 플래시 메모리 컨트롤러로부터 전송된 복수의 명령들을 저장하는 명령 저장부, 플래시 메모리 컨트롤러와 복수의 메모리 플레인들 사이에 전송되는 데이터를 저장하는 데이터 저장부, 및 복수의 명령들에 기초하여 복수의 플래시 메모리 연산들을 병렬화하기 위하여 명령 저장부, 데이터 저장부, 및 복수의 메모리 플레인들을 제어하는 병렬화 제어부를 포함한다.
Abstract translation: 公开了一种使用并行化技术的闪存芯片。 根据实施例的闪存芯片包括：由闪存元件形成的多个存储器平面; 命令存储单元，用于存储从闪存控制器发送的多个命令; 数据存储单元，用于存储在闪存控制器和存储器平面之间传输的数据; 以及并行化控制器，用于基于该命令来控制命令存储单元，数据存储单元和用于并行多个闪速存储器操作的存储器平面。
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公开(公告)号：KR1020130108966A
公开(公告)日：2013-10-07
申请号：KR1020120139867
申请日：2012-12-04
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method and a storage system for controlling materialization in a storage medium using mode setting and delimiters are provided to accurately and efficiently implement the materialization by directly transferring materialization order or atomicity control requests to a storage device. CONSTITUTION: A host interface (1310) receives writing commands for writing data from a host system on a storage medium of a storage device; a group starting delimiter for representing the starting of a group inserted between the writing commands; and a group finishing delimiter for representing the finishing of the group. A controller (1330) identifies the group from the writing commands using the group starting and finishing delimiters and determines materialization order or atomicity of the writing commands based on the group. The controller processes the writing commands based on the determined result. A storage device (1350) materializes the writing commands according to the processed result. [Reference numerals] (1310) Host interface; (1330) Controller; (1350) Storage device
Abstract translation: 目的：提供一种使用模式设置和定界符来控制存储介质中的物化的方法和存储系统，以通过将存储设备直接传送物化顺序或原子控制请求来准确有效地实现物化。 构成：主机接口（1310）接收写入命令，用于从存储设备的存储介质上的主机系统写入数据; 用于表示插入在写入命令之间的组的开始的组起始分隔符; 以及用于表示组的整理的组完成分隔符。 控制器（1330）使用组起始和完成分隔符从写入命令中识别组，并且基于该组确定写入命令的实现顺序或原子性。 控制器根据确定的结果对写入命令进行处理。 存储装置（1350）根据处理结果实现写入命令。 （附图标记）（1310）主机接口; （1330）控制器; （1350）存储设备
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公开(公告)号：KR102263800B1
公开(公告)日：2021-06-10
申请号：KR1020150001875
申请日：2015-01-07
Applicant: 에스케이텔레콤 주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: G06F12/1027 , G06F12/02
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160129695A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：KR1020150191662
申请日：2015-12-31
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 컨트롤러의신뢰성을검증가능한차지스토리지메모리장치가개시된다. 일실시예에따른차지스토리지메모리장치는차지스토리지메모리칩, 상기차지스토리지메모리칩을제어하는컨트롤러, 외부장치와의통신을위한외부인터페이스를지원하는통신모듈, 노멀모드를위한제1 커넥터및 테스트모드를위한제2 커넥터를포함한다.
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公开(公告)号：KR101644736B1
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：KR1020150006984
申请日：2015-01-14
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G01R29/12 , G01R15/165 , G01R29/0814 , G01R29/0878 , G01R29/24 , H01L27/0251
Abstract: 일실시예는적어도하나의 MOS 커패시터에인가되는게이트전압및 MOS 커패시터에저장되는전하량을조절하여 MOS 커패시터에저장된전하량변화의민감도를결정하고, 일정시간전기장에노출시킨후 전기장에의한전자의유입또는유출의결과를판독하여전기장의세기및 방향을해석함으로써전기장의세기및 방향을측정하는기술을제공한다.
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公开(公告)号：KR1020160087695A
公开(公告)日：2016-07-22
申请号：KR1020150006984
申请日：2015-01-14
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G01R29/12 , G01R15/165 , G01R29/0814 , G01R29/0878 , G01R29/24 , H01L27/0251
Abstract: 일실시예는적어도하나의 MOS 커패시터에인가되는게이트전압및 MOS 커패시터에저장되는전하량을조절하여 MOS 커패시터에저장된전하량변화의민감도를결정하고, 일정시간전기장에노출시킨후 전기장에의한전자의유입또는유출의결과를판독하여전기장의세기및 방향을해석함으로써전기장의세기및 방향을측정하는기술을제공한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，调节施加到至少一个金属氧化物半导体（MOS）电容器的栅极电压和存储在MOS电容器中的电荷量，以确定电荷变化的灵敏度 存储在MOS电容中的量。 通过在预定时间内将MOS电容器暴露于电场之后，通过读取由电场引起的电子流入/流出的结果来解释电场的强度和方向，以提供测量强度的技术 和电场的方向。
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公开(公告)号：KR1020160085035A
公开(公告)日：2016-07-15
申请号：KR1020150001875
申请日：2015-01-07
Applicant: 에스케이텔레콤 주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: G06F12/10
CPC classification number: G06F12/1027 , G06F12/0246
Abstract: 본발명은, 사상테이블관리가수반되는메모리장치를채용함에있어서, 사상정보의기록량을최소화하고호스트의워크로드패턴과상관없이일관성있는쓰기성능을보장할수 있는메모리제어장치및 메모리제어장치의동작방법을개시하고있다.
Abstract translation: 本发明提供一种伴随着映射表管理的存储装置。 发明了一种存储器管理装置及其控制方法。 根据本发明，存储器管理装置可以最小化映射信息写入量，并且不管主机的工作负载模式如何，都不断地保证写入性能。 存储器管理装置包括：数据控制单元; 映射表控制单元; 和映射更新控制单元。
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公开(公告)号：KR1020160084154A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：KR1020150000703
申请日：2015-01-05
Applicant: 에스케이텔레콤 주식회사 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은, (플래시)메모리에대한정상적인읽기연산을위해수반되어야하는특정신호(예 : DQ/DQS) 간위상정합을수행하는데있어, 메모리에대한사전메모리연산(예 : 지우기및 쓰기연산) 없이도, 신속하고안정적인위상정합수행을가능하게하는메모리장치및 메모리장치의동작방법을개시하고있다.
Abstract translation: 本发明提供了一种存储器件及其操作方法，其允许在执行特定信号（例如DQ / DQS）之间的相位匹配时关于存储器的先前存储器计算（例如擦除和写入计算）来快速且稳定地执行相位匹配。 需要遵循关于（新鲜）记忆的正常阅读计算。 存储器件包括存储器部分和相位匹配执行部分。
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