公开(公告)号：KR101652792B1

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：KR1020100014738

申请日：2010-02-18

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박성수 ,  윤대호 ,  강삼묵 ,  강봉균

IPC: H01L33/46

Abstract: 발광소자및 그제조방법이개시된다. 발광소자는, 기판상에서로다른전도성타입의제1 및제2반도체물질층, 제1 및제2반도체물질층사이에위치되며광이발생되는활성층을포함하는적층구조물및 적층구조물에대해비 평행면을가져난반사를유도하고내부전반사를줄이도록된 자기조립폴리머패턴을구비한다.

公开(公告)号：KR101198930B1

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：KR1020100121904

申请日：2010-12-02

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 윤대호 ,  배현정 ,  강삼묵 ,  김태성 ,  이승준

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0216

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본원은, 질화규소 반사방지막의 제조 방법이 제공된다. 반도체 기판 상에 산화규소(SiO
2 ) 전구체 및 도펀트(dopant) 전구체를 함유하는 수성 도포액을 액상 도포하여 졸-젤 방법에 의하여 도펀트-함유 산화규소 층을 형성하고; 상기 도펀트-함유 산화규소 층을 질화 분위기에서 열처리함으로써 상기 도펀트의 확산에 의해 pn 접합 형성에 의한 에미터층을 형성하고 동시에 상기 반도체 기판 상에 구형 산화규소 층의 질화에 의한 질화규소 반사방지막을 동시에 형성하는 것을 포함하며, 상기 구형 질화규소 층은 반사방지막으로 작용하며 동시에 표면 텍스쳐링 효과도 제공한다.

公开(公告)号：KR1020120005887A

公开(公告)日：2012-01-17

申请号：KR1020100066574

申请日：2010-07-09

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 윤대호 ,  강삼묵 ,  배현정 ,  김태성

IPC: H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/04

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a silica antireflection layer and a silicon solar cell using the same are provided to improve a short current density by decreasing a surface reflectivity of the solar cell. CONSTITUTION: Aqueous coating solutions including a silica precursor and a dopant precursor are coated on a semiconductor substrate(100). A dopant containing silica layer(200) is formed by a sol-gel method. The dopant containing silica layer is thermally processed under an air or oxygen containing gas atmosphere. An emitter layer(110) is formed by a p-n junction through the diffusion of a dopant. A spherical silica particle layer is formed on the semiconductor substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种制造二氧化硅抗反射层的方法和使用其的硅太阳能电池，以通过降低太阳能电池的表面反射率来改善短路电流密度。 构成：包含二氧化硅前体和掺杂剂前体的水性涂布溶液涂覆在半导体衬底（100）上。 通过溶胶 - 凝胶法形成含有二氧化硅层（200）的掺杂剂。 含有二氧化硅层的掺杂剂在空气或含氧气体气氛下热处理。 发射极层（110）由p-n结通过掺杂剂的扩散形成。 在半导体基板上形成球状二氧化硅粒子层。

公开(公告)号：KR101133953B1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：KR1020100066574

申请日：2010-07-09

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 윤대호 ,  강삼묵 ,  배현정 ,  김태성

IPC: H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본원은, 실리카 반사방지막의 제조 방법이 제공된다. 반도체 기판 상에 실리카(SiO
2 ) 전구체 및 도펀트(dopant) 전구체를 함유하는 수성 도포액을 액상 도포하여 졸-젤 방법에 의하여 도펀트-함유 실리카 층을 형성하고; 상기 도펀트-함유 실리카 층을 공기 또는 산소-함유 가스 분위기에서 열처리함으로써 상기 도펀트의 확산에 의한 pn 접합 형성에 의한 에미터층을 형성하고 동시에 상기 반도체 기판 상에 구형 실리카 입자층을 동시에 형성하는 것을 포함하며, 상기 구형 실리카 입자층은 반사방지막으로 작용하며 동시에 표면 텍스쳐링 효과도 제공한다.

公开(公告)号：KR1020110094976A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：KR1020100014738

申请日：2010-02-18

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박성수 ,  윤대호 ,  강삼묵 ,  강봉균

IPC: H01L33/46

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0025

Abstract: PURPOSE: A light emitting device and a method of manufacturing thereof are provided to increase external quantum efficiency by forming a self assembly polymer pattern in the laminated structure of a light emitting device using the mixed solution of a polymer solute and a solvent. CONSTITUTION: In a light emitting device and a method of manufacturing thereof, a first semiconductor material layer(30) is formed on a substrate(10). An active layer(40) is formed on the first semiconductor material layer. A second semiconductor material layer(50) is formed on the active layer. A transparent electrode layer(60) is formed on the second semiconductor material layer. A self-assembly polymer pattern(70) is formed on the transparent electrode layer.

Abstract translation: 目的：提供一种发光器件及其制造方法，以通过使用聚合物溶质和溶剂的混合溶液在发光器件的层叠结构中形成自组装聚合物图案来提高外部量子效率。 构成：在发光器件及其制造方法中，在衬底（10）上形成第一半导体材料层（30）。 在第一半导体材料层上形成有源层（40）。 在有源层上形成第二半导体材料层（50）。 在第二半导体材料层上形成透明电极层（60）。 在透明电极层上形成自组装聚合物图案（70）。

公开(公告)号：KR1020110091427A

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：KR1020100121904

申请日：2010-12-02

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 윤대호 ,  배현정 ,  강삼묵 ,  김태성 ,  이승준

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0216

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/06

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a silicon nitride antireflection layer and a silicon solar cell using the same are provided to make simultaneously the silicon nitride antireflection layer with a texturing effect and a p-n junction from a single process, thereby simplifying manufacturing processes. CONSTITUTION: A dopant including silicon oxide layer(200) is formed using a sol-gel method by applying an aqueous application solution on a semiconductor substrate. The aqueous application solution includes a silicon oxide(SiO2) precursor and a dopant precursor. An emitter layer(300) by a p-n junction formation is formed with diffusion of a dopant by heat treating of the dopant including silicon oxide layer in a nitriding atmosphere and simultaneously a silicon nitride layer(400) is formed by a nitride in a silicon oxide layer on the semiconductor substrate. The silicon nitride layer acts as an antireflection layer and also provides a surface texturing effect at the same time.

Abstract translation: 目的：提供一种氮化硅抗反射层的制造方法和使用该氮化硅抗反射层的硅太阳能电池，以同时具有来自单一工艺的纹理效应和p-n结的氮化硅抗反射层，从而简化了制造工艺。 构成：通过在半导体衬底上涂布水性涂布液，使用溶胶 - 凝胶法形成包含氧化硅层（200）的掺杂剂。 该水溶液包括氧化硅（SiO 2）前体和掺杂剂前体。 通过pn结形成的发射极层（300）通过在氮化气氛中热处理掺杂剂包括氧化硅层的掺杂剂而形成，同时通过氧化硅中的氮化物形成氮化硅层（400） 层。 氮化硅层用作抗反射层，并且同时提供表面纹理效应。