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公开(公告)号：KR101693663B1
公开(公告)日：2017-01-17
申请号：KR1020150068122
申请日：2015-05-15
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 기재상에형성된제 1 절연층; 상기제 1 절연층상에형성된반도체층; 상기반도체층상에서서로이격된제 1 전극내지제 3 전극; 상기제 1 전극과제 2 전극사이에배치되며, p형도펀트에의해도핑된제 1 이차원물질층; 상기제 2 전극과제 3 전극사이에배치되며, n형도펀트에의해도핑된제 2 이차원물질층; 및상기제 1 이차원물질층, 상기제 1 전극, 및상기제 2 전극상에형성된제 2 절연층을포함하는인버터소자, 및상기인버터소자의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101818657B1
公开(公告)日：2018-01-15
申请号：KR1020150110924
申请日：2015-08-06
Applicant: 광주과학기술원 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/10 , H01L21/761
Abstract: 이황화몰리브덴을기반으로한 p-n 접합트랜지스터및 이의제조방법이개시된다. 게이트구조물상에적층된양상으로 n형이황화몰리브덴층과 p형이황화몰리브덴층이형성되며, 게이트구조물의표면에대해수평방향으로접합면이형성된다. 게이트층으로전계가인가되는경우, 각각의이황화몰리브덴층은도전성채널을형성하며, 캐리어이동의양상은바이폴라타입으로진행된다.
Abstract translation: 公开了一种基于二硫化钼的p-n结型晶体管及其制造方法。 n型二硫化钼层和p型二硫化钼层以层叠状态形成在栅极结构上，并且相对于栅极结构的表面在水平方向上形成结面。 当将电场施加到栅极层时，每个二硫化钼层形成导电沟道，并且载流子运动的方面进展为双极型。
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公开(公告)号：KR1020170017259A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：KR1020150110924
申请日：2015-08-06
Applicant: 광주과학기술원 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/10 , H01L21/761
Abstract: 이황화몰리브덴을기반으로한 p-n 접합트랜지스터및 이의제조방법이개시된다. 게이트구조물상에적층된양상으로 n형이황화몰리브덴층과 p형이황화몰리브덴층이형성되며, 게이트구조물의표면에대해수평방향으로접합면이형성된다. 게이트층으로전계가인가되는경우, 각각의이황화몰리브덴층은도전성채널을형성하며, 캐리어이동의양상은바이폴라타입으로진행된다.
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公开(公告)号：KR1020160134292A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020150068122
申请日：2015-05-15
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 기재상에형성된제 1 절연층; 상기제 1 절연층상에형성된반도체층; 상기반도체층상에서서로이격된제 1 전극내지제 3 전극; 상기제 1 전극과제 2 전극사이에배치되며, p형도펀트에의해도핑된제 1 이차원물질층; 상기제 2 전극과제 3 전극사이에배치되며, n형도펀트에의해도핑된제 2 이차원물질층; 및상기제 1 이차원물질층, 상기제 1 전극, 및상기제 2 전극상에형성된제 2 절연층을포함하는인버터소자, 및상기인버터소자의제조방법에관한것이다.
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