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公开(公告)号：KR101532310B1
公开(公告)日：2015-06-29
申请号：KR1020130016972
申请日：2013-02-18
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/1136 , H01L31/022408
Abstract: 광민감성이우수하고디바이스전체가플렉서블한광센서가제공된다.
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公开(公告)号：KR102216542B1
公开(公告)日：2021-02-17
申请号：KR1020140061167
申请日：2014-05-21
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/861 , H01L29/8605 , H01L21/761 , H01L21/31
Abstract: 2차원물질을이용한수평형다이오드를포함하는전자소자및 그제조방법에관해개시되어있다. 개시된전자소자제조방법은기판상에절연막을형성하는단계, 상기절연막상에 2차원물질층을형성하는단계및 상기 2차원물질층을 N형영역과 P형영역으로구분하는단계를포함하고, 상기 N형영역과상기 P형영역은동일한두께로형성한다. 상기 2차원물질층을 N형영역과 P형영역으로구분하는단계는상기 2차원물질층상에이격된제1 및제2 전극을형성하는단계및 상기제1 및제2 전극사이의상기 2차원물질층의일부를상기 P형영역으로변화시키는단계를포함한다. 상기 2차원물질층의일부를상기 P형영역으로변화시키는단계는상기 2차원물질층의상기 N형영역에대응하는영역을마스크층으로덮는단계및 상기 2차원물질층의상기 P형영역에대응하는영역을졸-겔층으로덮는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101693663B1
公开(公告)日：2017-01-17
申请号：KR1020150068122
申请日：2015-05-15
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 기재상에형성된제 1 절연층; 상기제 1 절연층상에형성된반도체층; 상기반도체층상에서서로이격된제 1 전극내지제 3 전극; 상기제 1 전극과제 2 전극사이에배치되며, p형도펀트에의해도핑된제 1 이차원물질층; 상기제 2 전극과제 3 전극사이에배치되며, n형도펀트에의해도핑된제 2 이차원물질층; 및상기제 1 이차원물질층, 상기제 1 전극, 및상기제 2 전극상에형성된제 2 절연층을포함하는인버터소자, 및상기인버터소자의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020150134166A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：KR1020140061167
申请日：2014-05-21
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/861 , H01L29/8605 , H01L21/761 , H01L21/31
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/022425 , H01L31/032 , H01L31/054 , Y02E10/52
Abstract: 2차원물질을이용한수평형다이오드를포함하는전자소자및 그제조방법에관해개시되어있다. 개시된전자소자는 P형영역과 N형영역을포함하는 TMDC층(반도체특성을나타내는 2차원물질)을기판상에구비하고, 상기 TMDC층의상기 P형영역상에는광전효율을높이는미립자가분포되어있다. 개시된전자소자의제조방법은기판상에절연막을형성하는과정과, 상기절연막상에 2차원물질층을형성하는과정과, 상기 2차원물질층을 N형영역과 P형영역으로구분하는과정을포함한다.
Abstract translation: 公开了一种电子设备，其包括使用二维材料的水平二极管及其制造方法。 所公开的电子器件具有在基板上包括p型区域和n型区域的TMDC层（表示半导体特性的二维材料），并且增加光电效率的粒子分布在TMDC的p型区域中 层。 所公开的电子器件的制造方法包括以下步骤：在衬底上形成绝缘层; 在绝缘层上形成二维材料层; 并将二维材料层分成n型区域和p型区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102100415B1
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：KR1020130083154
申请日：2013-07-15
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
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公开(公告)号：KR1020160134292A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020150068122
申请日：2015-05-15
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 기재상에형성된제 1 절연층; 상기제 1 절연층상에형성된반도체층; 상기반도체층상에서서로이격된제 1 전극내지제 3 전극; 상기제 1 전극과제 2 전극사이에배치되며, p형도펀트에의해도핑된제 1 이차원물질층; 상기제 2 전극과제 3 전극사이에배치되며, n형도펀트에의해도핑된제 2 이차원물질층; 및상기제 1 이차원물질층, 상기제 1 전극, 및상기제 2 전극상에형성된제 2 절연층을포함하는인버터소자, 및상기인버터소자의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020150008770A
公开(公告)日：2015-01-23
申请号：KR1020130083154
申请日：2013-07-15
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/6603 , H01L29/7311 , H01L29/7376 , H01L29/88 , H01L29/66931 , H01L29/66712 , H01L29/7802
Abstract: 터널링 소자 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 터널링 소자는 제1도전형의 2차원 물질을 포함하는 제1물질층과 제2도전형의 2차원 물질을 포함하는 제2물질층 사이에 터널 배리어층을 포함할 수 있다. 상기 제1물질층은 P형 도펀트로 도핑된 그래핀을 포함할 수 있다. 상기 제2물질층은 N형 도펀트로 도핑된 그래핀을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제1물질층의 일함수는 5.0∼5.9 eV 정도일 수 있고, 상기 제2물질층의 일함수는 3.2∼4.0 eV 정도일 수 있다. 상기 터널 배리어층은 2차원 물질을 포함할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种隧道装置及其制造方法。 所公开的隧穿装置可以包括在包括第一导电类型2D材料的第一材料层和包括第二导电类型2D材料的第二材料之间的隧道势垒层。 第一材料层可以包括掺杂有p型掺杂剂的石墨烯。 第二材料层可以包括掺杂有N型掺杂剂的石墨烯。 在这种情况下，第一材料层的功函数可以为5.0-5.9eV。 第二材料层的功函数可以是3.2-4.0eV。 隧道势垒层可以包括2D材料。
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公开(公告)号：KR1020140103514A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：KR1020130016972
申请日：2013-02-18
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/1136 , H01L31/022408
Abstract: 광민감성이우수하고디바이스전체가플렉서블한광센서가제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及二维材料层叠柔性光电传感器。 根据本发明的实施例，二维材料层叠的柔性光电传感器包括：柔性基板; 部分地布置在基板上并由导电材料制成的栅极; 栅极绝缘层，布置在所述栅极和所述基板上以至少覆盖所述栅极; 以及布置在栅绝缘层上并由半导体材料制成的沟道层。
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公开(公告)号：KR1020130035617A
公开(公告)日：2013-04-09
申请号：KR1020110100030
申请日：2011-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal thin film on grapheme is provided to simplify process, save a cost, and to form the metal thin film on the grapheme without damage or contamination of the grapheme. CONSTITUTION: A method for forming a metal thin film on grapheme comprises: a step of processing the grapheme with non-oxide or noble gas plasma treatment; and a step of evaporating the metal on grapheme surface plasma-processed. The plasma-processing is performed at a power supply of 20-100W. The plasma-processing is performed for 3-100 seconds. [Reference numerals] (AA) CVD graphene; (BB) PR patterning; (CC) Metal deposition; (DD) Ar plasma processing;
Abstract translation: 目的：提供一种用于在图形上形成金属薄膜的方法，以简化工艺，节约成本，并且在图形上形成金属薄膜，而不损伤或污染图形。 构成：在图形上形成金属薄膜的方法包括：用非氧化物或惰性气体等离子体处理处理图形的步骤; 以及在等离子体处理的图形表面上蒸发金属的步骤。 等离子体处理在20-100W的电源下进行。 等离子体处理进行3-100秒。 （标号）（AA）CVD石墨烯; （BB）PR图案; （CC）金属沉积; （DD）Ar等离子体处理;
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