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公开(公告)号：KR101863084B1
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：KR1020180038625
申请日：2018-04-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01L21/268
Abstract: 레이저를이용한금속칼코게나이드박막의제조방법, 상기방법에의하여제조되는금속칼코게나이드박막, 및상기금속칼코게나이드박막을포함하는소자에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020180038430A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：KR1020180038625
申请日：2018-04-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/02568 , H01L21/02109 , H01L21/02205 , H01L21/02485 , H01L21/268
Abstract: 레이저를이용한금속칼코게나이드박막의제조방법, 상기방법에의하여제조되는금속칼코게나이드박막, 및상기금속칼코게나이드박막을포함하는소자에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101465211B1
公开(公告)日：2014-11-25
申请号：KR1020140017815
申请日：2014-02-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/283
Abstract: 본원은, 도핑된 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법, 상기 방법에 의하여 제조되는 도핑된 금속 칼코게나이드 박막, 상기 도핑된 금속 칼코게나이드 박막을 포함하는 소자, 상기 도핑된 금속 칼코게나이드 박막 적층체, 및 도핑된 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造掺杂的金属 - 硫族化物薄膜的方法，通过该方法制造的掺杂金属 - 硫族化物薄膜，具有掺杂的金属 - 硫族化物薄膜的器件，掺杂的金属 - 硫族化物薄膜层压体，以及 一种转移掺杂的金属 - 硫族化物薄膜的方法。
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公开(公告)号：KR101794776B1
公开(公告)日：2017-11-09
申请号：KR1020160067617
申请日：2016-05-31
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 동아대학교 산학협력단 , 조선대학교산학협력단
IPC: G06F17/17
CPC classification number: G06F17/17
Abstract: 본발명의최적해도출장치는, 대상함수에대한 d 차원의최적해에대응하는 d 차원의변수를위치값 및속도값으로갖는복수의파티클(particle)을복수회 수렴시킴으로써각각의위치값을갖는복수의중심점(centroid)을획득하는제1 알고리즘연산부; 상기복수의중심점각각에대응하고, 각각의위치값을갖는복수의후보점을획득하는제2 알고리즘연산부; 및상기복수의후보점중 상기대상함수에대한최소비용을갖는후보점의위치값을최적해로서도출하는최적해도출부를포함한다.
Abstract translation: 本发明的最佳螺线管值是通过将具有对应于目标函数的d维最优解的d维变量的多个粒子收敛多次作为位置值和速度值而获得的， 第一算法操作单元，用于获得质心; 第二算法运算单元，对应于所述多个中心点中的每一个，并且获得具有相应位置值的多个候选点; 以及最优解解析导出部，导出多个候选点中的目标函数的成本最小的候补点的位置值作为最优解。
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公开(公告)号：KR1020130103913A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：KR1020120024922
申请日：2012-03-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method for easily manufacturing metal chalcogenide thin films is provided to form the chalcogenide thin films from a single layer to double layers using a chemical vapor deposition. CONSTITUTION: A method for easily manufacturing metal chalcogenide thin films comprises following steps. A metal thin film (20) is formed in a base material (10). Chalcogen gas is supplied to the metal thin film. A metal chalcogen thin film (30) marked chemical formula 1 is formed by reacting with the chalcogen gas. The metal thin film is formed one of the sputtering, E-beam evaporator, thermal evaporation, ion cluster beam, pulsed laser deposition methods.
Abstract translation: 目的：提供一种容易制造金属硫族化物薄膜的方法，以使用化学气相沉积从单层到双层形成硫族化物薄膜。 构成：容易制造金属硫族化物薄膜的方法包括以下步骤。 金属薄膜（20）形成在基材（10）中。 向金属薄膜供应硫族元素气体。 通过与硫属元素气体反应形成标记化学式1的金属硫属元素薄膜（30）。 金属薄膜形成溅射，电子束蒸发器，热蒸发，离子簇束，脉冲激光沉积方法之一。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101915635B1
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：KR1020160115405
申请日：2016-09-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 서강대학교산학협력단
Abstract: 본발명은유연기판상으로금속칼코게나이드박막을전사하는방법에관한것으로서, 보다상세하게는에폭시를이용한전사방법을제시하여박막의결함이나불순물을생성시키지않으면서전기적인물성이뛰어난유연기판복합체를제조하고자하는것이다. 본발명의여러구현예에따르면, 에폭시를이용하여유연기판상에금속칼코게나이드박막을전사함으로써, 전사되는금속칼코게나이드박막의결함이나불순물을생성시키지않아전기적인물성이우수한유연기판복합체를제조할수 있다. 또한, 상술한방법으로제조된유연기판복합체는플렉서블전계효과트랜지스터, 센서및 LED 등과같은유연(플렉서블) 소자등에폭넓게응용할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170048713A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：KR1020150149137
申请日：2015-10-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01L21/268
Abstract: 레이저를이용한금속칼코게나이드박막의제조방법, 상기방법에의하여제조되는금속칼코게나이드박막, 및상기금속칼코게나이드박막을포함하는소자에관한것이다.
Abstract translation: 使用激光，一种包括金属硫族化合物薄膜的器件制造金属硫属化物薄膜的方法，和所述由所述方法制备的金属硫属化物薄膜。
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公开(公告)号：KR20180028137A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：KR20160115405
申请日：2016-09-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 서강대학교산학협력단
CPC classification number: H01B5/14 , H01B13/0016 , H01B13/0026 , H01L51/0097
Abstract: 본발명은유연기판상으로금속칼코게나이드박막을전사하는방법에관한것으로서, 보다상세하게는에폭시를이용한전사방법을제시하여박막의결함이나불순물을생성시키지않으면서전기적인물성이뛰어난유연기판복합체를제조하고자하는것이다. 본발명의여러구현예에따르면, 에폭시를이용하여유연기판상에금속칼코게나이드박막을전사함으로써, 전사되는금속칼코게나이드박막의결함이나불순물을생성시키지않아전기적인물성이우수한유연기판복합체를제조할수 있다. 또한, 상술한방법으로제조된유연기판복합체는플렉서블전계효과트랜지스터, 센서및 LED 등과같은유연(플렉서블) 소자등에폭넓게응용할수 있다.
Abstract translation: 涉及一种方法，用于通过本发明隐喻烟板转移金属硫属化物薄膜，更特别是高度站立的电性能，除非通过使用环氧树脂不能产生在薄的柔性基材复合的缺陷和杂质呈现所述传输方法 待制造。 根据本发明的各种实施例中，通过将薄膜制备金属硫属化物，不产生在金属硫属化物薄膜要转移的缺陷和杂质具有优异的电性能的柔性底物复合物，得到烟板采取的环氧树脂的优点 你可以。 另外，通过上述方法制造的柔性基板复合物可以广泛地应用于柔性场效应晶体管，传感器，诸如LED等柔性元件等。
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公开(公告)号：KR1020160093376A
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：KR1020150014291
申请日：2015-01-29
Applicant: 엘지전자 주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0392
CPC classification number: H01L31/022466 , C01B17/42 , C01G33/00 , C01G39/06 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , H01L31/0224 , H01L31/022425 , H01L31/0236 , H01L31/0392 , Y02E10/50 , H01L31/02366 , H01L31/18
Abstract: 본발명은칼코게나이드소자에관한것으로특히, 전이금속칼코게나이드를전극으로이용한금속칼코게나이드소자및 그제조방법에관한것이다. 이러한본 발명은, 금속칼코게나이드소자에있어서, 기판; 상기기판상에위치하는산화물층; 상기산화물층상에위치하는제1전도성의금속칼코게나이드층; 및상기금속칼코게나이드층 상에서로이격되어위치하고금속칼코게나이드를포함하는제1전극및 제2전극을포함하여구성될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及金属硫族化物装置。 特别地，本发明涉及使用过渡金属硫族化物作为电极的金属硫族化物装置及其制造方法。 金属硫族化物装置可以包括基底; 位于所述基板上的氧化物层; 位于氧化物层上的第一导电型金属硫族化物层; 以及第一电极和第二电极，其在金属硫族化物层上彼此分离并且包括金属硫族化物。 因此，可以降低电极的接触电阻。
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公开(公告)号：KR101529788B1
公开(公告)日：2015-06-29
申请号：KR1020130152849
申请日：2013-12-10
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C23C28/00 , C23C16/50 , C23C16/455
CPC classification number: C23C14/542 , C01B17/20 , C01B19/007 , C01G1/12 , C01G39/06 , C01P2004/24 , C23C14/14 , C23C14/5866
Abstract: 본발명은금속칼코게나이드박막및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른금속칼코게나이드박막의제조방법은기판상에금속층을형성하는금속층형성단계; 저온기상증착용챔버내에상기기판을투입하고, 상기챔버내에서칼코겐원자-함유기체와아르곤가스를주입한후, 플라스마를발생시켜상기플라스마에의해분해된칼코겐원자가상기금속층을구성하는금속원자와화학적으로결합되어금속칼코게나이드박막으로형성되도록하는금속칼코게나이드박막형성단계;를포함하는것을특징으로한다. 이에의하여, 저온기상증착방법(PECVD)을이용하여해당기판에 in-situ방식으로플라스틱등의낮은용융점을가지는기판에직접금속칼코게나이드박막을형성할수 있고, 이를통해별도의건조공정이불필요하고, 별도의전사공정을거치지않아도박막형성이가능하여전기적/물리적특성을극대화하고, 높은균일도와신뢰도를담보할수 있는금속칼코게나이드박막및 그제조방법이제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种硫族化物金属薄膜及其制造方法。 制造硫族化物金属薄膜的方法包括：在基板上形成金属层的金属层形成步骤; 以及硫化物金属薄膜形成工序，在低温蒸镀室内输入基板，在室内注入含硫属原子的气体和氩气，然后产生等离子体，并化学地将由等离子体分解的硫属原子与 构成要形成的金属层的金属原子作为硫族化物金属薄膜。 因此，提供了硫族化物金属薄膜及其制造方法，通过该硫化物金属薄膜可以将硫族化物金属薄膜直接在相应的基板上以原位形式在塑料或线路的熔点低的基板上形成， 使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法，通过该方法不需要单独的干燥过程，并且可以不经过单独的转移过程而形成薄膜，以使电/物理特征最大化，并且具有高均匀性和可靠性 可以安全。
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