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公开(公告)号：KR101228649B1
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：KR1020110059721
申请日：2011-06-20
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 열전소자용 자발적 초격자구조 금속산화물 박막제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 스핀코팅을 이용한 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법은 기판 상에 스퍼터링을 통해 ZnO 버퍼층이 형성되는 S1 단계; 상기 버퍼층이 형성된 기판을 회전시키면서, 상기 회전되는 기판 상에 금속소스 함유 용액을 떨어뜨리는 스핀코팅(spin-coating)법으로 박막을 형성하는 S2 단계; S2 단계에서 형성된 박막이 건조되는 S3 단계; 및 S3 단계를 거친 박막을 열처리하여 초격자구조를 가진 금속산화물 박막이 형성되는 S4 단계를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120140083A
公开(公告)日：2012-12-28
申请号：KR1020110059721
申请日：2011-06-20
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a multi-component metal oxide thin film with a superlattice structure of a thermoelectric device is provided to reduce manufacturing costs by not requiring a vacuum chamber to form a thin film. CONSTITUTION: A ZnO buffer layer is formed on a substrate by a sputtering method(S1). A thin film is formed by rotating the substrate with a buffer layer using a spin coating method to drop metal source containing solutions on the rotating substrate(S2). The thin film formed with the spin-coating method is dried(S3). A metal oxide thin film with the superlattice structure is formed by thermally processing the dried thin film(S4). [Reference numerals] (S1) Forming a ZnO buffer layer on a substrate by sputtering; (S2) Forming a thin film on a buffer layer with a spin-coating method; (S3) Drying a thin film; (S4) Forming a metal oxide thin film with a superlattice structure by thermally processing a thin film
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有热电装置的超晶格结构的多组分金属氧化物薄膜的方法，以通过不需要真空室来形成薄膜来降低制造成本。 构成：通过溅射法在基板上形成ZnO缓冲层（S1）。 通过使用旋转涂布方法用缓冲层旋转衬底来形成薄膜，以将含金属源的溶液滴在旋转衬底上（S2）。 用旋涂法形成的薄膜被干燥（S3）。 通过热处理干燥的薄膜形成具有超晶格结构的金属氧化物薄膜（S4）。 （参考号）（S1）通过溅射在基板上形成ZnO缓冲层; （S2）用旋涂法在缓冲层上形成薄膜; （S3）干燥薄膜; （S4）通过热处理薄膜来形成具有超晶格结构的金属氧化物薄膜
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公开(公告)号：KR101093566B1
公开(公告)日：2011-12-13
申请号：KR1020100029518
申请日：2010-03-31
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L35/14 , H01L21/316
Abstract: 본 발명은 In-Ga-Zn-Sn-Al를 성분원소로 하는 다성분계 산화물 박막 제조방법에 관한 것으로서, 기판상에 스퍼터링을 통해 버퍼층이 형성되는 S1 단계; ZnO 버퍼층상에서 아르곤가스(Ar)와 산소가스(O
2 )를 주입하면서 스퍼터링을 통해 단결정의 IGZO 박막이 성장되는 S2 단계; 및 성장된 박막을 열처리하여 초격자구조를 형성시키는 S3 단계를 포함하며, S1 단계에서 형성되는 버퍼층은 ZnO, Indium-ZnO, Gallium-ZnO, YSZ, GaN, MgO, Indium Oxide 및 Gallium Oxide로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 초격자구조의 다성분계 산화물 박막제조방법은 기판상에 버퍼층이 형성됨으로써 박막의 결정화를 용이하게 하는 효과가 있다. 본 발명에 초격자구조의 다성분계 산화물 박막제조방법은 버퍼층에서 성장된 박막을 고온에서 열처리하여 자발적 초격자구조를 형성시키는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020110109688A
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：KR1020100029518
申请日：2010-03-31
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L35/14 , H01L21/316
Abstract: 본 발명은 In-Ga-Zn-Sn-Al를 성분원소로 하는 다성분계 산화물 박막 제조방법에 관한 것으로서, 기판상에 스퍼터링을 통해 버퍼층이 형성되는 S1 단계; 버퍼층에서 박막이 성장되는 S2 단계; 및 성장된 박막을 열처리하여 초격자구조를 형성시키는 S3 단계를 포함하며, S1 단계에서 형성되는 버퍼층은 ZnO, Indium-ZnO, Gallium-ZnO, YSZ, GaN, MgO, Indium Oxide 및 Gallium Oxide로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 초격자구조의 박막제조방법은 기판상에 버퍼층이 형성됨으로써 박막의 결정화를 용이하게 하는 효과가 있다. 본 발명에 초격자구조의 박막제조방법은 버퍼층에서 성장된 박막을 고온에서 열처리하여 자발적 초격자구조를 형성시키는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR101352183B1
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：KR1020110104387
申请日：2011-10-13
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명에 따른 기 제조된 초격자 산화물 열전재료의 플라즈마 표면처리방법은, 기 제조된 초격자구조를 갖는 산화물 열전재료를 반응챔버로 이송시키는 S10 단계; 반응챔버 내부에 RF POWER를 가하여 플라즈마가 형성되는 S20 단계; 및 반응챔버 내부에서 이송된 초격자 산화물 열전재료의 표면에만 플라즈마 처리가 수행되는 S30 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 플라즈마 표면처리방법은 기 제조된 초격자구조를 가진 산화물 열전재료를 사용하므로, 초격자구조를 형성하는 특정 방법에 국한되지 않고, 기 제조된 초격자구조 박막의 표면에만 플라즈마 처리를 하므로, 초격자구조를 손상시키지 않으며, 따라서 초격자구조에 의한 낮은 열전도도를 변화시키지 않으면서, 표면의 전기전도도 특성을 향상시키는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020130039807A
公开(公告)日：2013-04-23
申请号：KR1020110104387
申请日：2011-10-13
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A pre-made superlattice thermoelectric oxide plasma surface treatment method is provided to improve relatively insufficient electric conductivity without changing low thermal conductivity due to superlattice structure. CONSTITUTION: A thermoelectric oxide plasma surface treatment method comprises the following steps. Thermoelectric oxide with a pre-made superlattice structure is transferred to a reaction chamber. Plasma is formed by applying RF power to a reaction chamber. Plasma treatment is performed only on the surface of the superlattice thermoelectric oxide transferred from the inside of the reaction chamber.
Abstract translation: 目的：提供一种预制的超晶格热电氧化物等离子体表面处理方法，以改善相对不足的导电性，而不会由于超晶格结构而改变低热导率。 构成：热电氧化物等离子体表面处理方法包括以下步骤。 具有预制超晶格结构的热电氧化物被转移到反应室。 通过将RF功率施加到反应室来形成等离子体。 仅在从反应室内转移的超晶格热电氧化物的表面进行等离子体处理。
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