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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120140083A
公开(公告)日：2012-12-28
申请号：KR1020110059721
申请日：2011-06-20
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a multi-component metal oxide thin film with a superlattice structure of a thermoelectric device is provided to reduce manufacturing costs by not requiring a vacuum chamber to form a thin film. CONSTITUTION: A ZnO buffer layer is formed on a substrate by a sputtering method(S1). A thin film is formed by rotating the substrate with a buffer layer using a spin coating method to drop metal source containing solutions on the rotating substrate(S2). The thin film formed with the spin-coating method is dried(S3). A metal oxide thin film with the superlattice structure is formed by thermally processing the dried thin film(S4). [Reference numerals] (S1) Forming a ZnO buffer layer on a substrate by sputtering; (S2) Forming a thin film on a buffer layer with a spin-coating method; (S3) Drying a thin film; (S4) Forming a metal oxide thin film with a superlattice structure by thermally processing a thin film
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有热电装置的超晶格结构的多组分金属氧化物薄膜的方法，以通过不需要真空室来形成薄膜来降低制造成本。 构成：通过溅射法在基板上形成ZnO缓冲层（S1）。 通过使用旋转涂布方法用缓冲层旋转衬底来形成薄膜，以将含金属源的溶液滴在旋转衬底上（S2）。 用旋涂法形成的薄膜被干燥（S3）。 通过热处理干燥的薄膜形成具有超晶格结构的金属氧化物薄膜（S4）。 （参考号）（S1）通过溅射在基板上形成ZnO缓冲层; （S2）用旋涂法在缓冲层上形成薄膜; （S3）干燥薄膜; （S4）通过热处理薄膜来形成具有超晶格结构的金属氧化物薄膜
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公开(公告)号：KR1020130039807A
公开(公告)日：2013-04-23
申请号：KR1020110104387
申请日：2011-10-13
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A pre-made superlattice thermoelectric oxide plasma surface treatment method is provided to improve relatively insufficient electric conductivity without changing low thermal conductivity due to superlattice structure. CONSTITUTION: A thermoelectric oxide plasma surface treatment method comprises the following steps. Thermoelectric oxide with a pre-made superlattice structure is transferred to a reaction chamber. Plasma is formed by applying RF power to a reaction chamber. Plasma treatment is performed only on the surface of the superlattice thermoelectric oxide transferred from the inside of the reaction chamber.
Abstract translation: 目的：提供一种预制的超晶格热电氧化物等离子体表面处理方法，以改善相对不足的导电性，而不会由于超晶格结构而改变低热导率。 构成：热电氧化物等离子体表面处理方法包括以下步骤。 具有预制超晶格结构的热电氧化物被转移到反应室。 通过将RF功率施加到反应室来形成等离子体。 仅在从反应室内转移的超晶格热电氧化物的表面进行等离子体处理。
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公开(公告)号：KR101362291B1
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：KR1020120116531
申请日：2012-10-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L35/34
Abstract: The present invention relates to a method for growing a nanoparticle superlattice thin film of a thermoelectric element by a solution process. The present invention comprises a S1 step of repeating a solution process of dropping metal source containing solution on a substrate while rotating the substrate to form a plurality of thin films and forming a metal oxide buffer layer having preferred directivity; a S2 step of thermal annealing the buffer layer to be crystalized; a S3 step of forming a metal oxide thin film layer by a solution process of dropping metal source containing solution on the buffer layer of the rotated substrate while rotating the substrate passing through the S2 step; and a S4 of thermal annealing the buffer layer formed in the S2 step and the thin film layer formed in the S3 step to be crystalized. [Reference numerals] (S1) Form a ZnO buffer layer on a substrate through spin coating; (S2) Crystalize a buffer layer; (S3) Form a thin film layer on the buffer layer through spin coating; (S4) Crystalize the buffer layer and the thin film layer
Abstract translation: 本发明涉及通过溶液法生长热电元件的纳米颗粒超晶格薄膜的方法。 本发明包括在旋转衬底同时旋转衬底以形成多个薄膜并形成具有优选方向性的金属氧化物缓冲层的情况下，重复将含金属源的溶液滴落在衬底上的溶液处理的S1步骤; 对要结晶化的缓冲层进行热退火的S2步骤; 通过在旋转通过S2步骤的基板的同时通过将旋转的基板的缓冲层上滴入含有金属源的溶液的溶液处理形成金属氧化物薄膜层的S3步骤; 以及在S2步骤中形成的缓冲层进行热退火的S4和在S3步骤中形成的薄膜层进行结晶化。 （S1）通过旋涂在基板上形成ZnO缓冲层; （S2）使缓冲层结晶化; （S3）通过旋涂在缓冲层上形成薄膜层; （S4）使缓冲层和薄膜层结晶化
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公开(公告)号：KR101228649B1
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：KR1020110059721
申请日：2011-06-20
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 열전소자용 자발적 초격자구조 금속산화물 박막제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 스핀코팅을 이용한 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법은 기판 상에 스퍼터링을 통해 ZnO 버퍼층이 형성되는 S1 단계; 상기 버퍼층이 형성된 기판을 회전시키면서, 상기 회전되는 기판 상에 금속소스 함유 용액을 떨어뜨리는 스핀코팅(spin-coating)법으로 박막을 형성하는 S2 단계; S2 단계에서 형성된 박막이 건조되는 S3 단계; 및 S3 단계를 거친 박막을 열처리하여 초격자구조를 가진 금속산화물 박막이 형성되는 S4 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101352183B1
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：KR1020110104387
申请日：2011-10-13
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명에 따른 기 제조된 초격자 산화물 열전재료의 플라즈마 표면처리방법은, 기 제조된 초격자구조를 갖는 산화물 열전재료를 반응챔버로 이송시키는 S10 단계; 반응챔버 내부에 RF POWER를 가하여 플라즈마가 형성되는 S20 단계; 및 반응챔버 내부에서 이송된 초격자 산화물 열전재료의 표면에만 플라즈마 처리가 수행되는 S30 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 플라즈마 표면처리방법은 기 제조된 초격자구조를 가진 산화물 열전재료를 사용하므로, 초격자구조를 형성하는 특정 방법에 국한되지 않고, 기 제조된 초격자구조 박막의 표면에만 플라즈마 처리를 하므로, 초격자구조를 손상시키지 않으며, 따라서 초격자구조에 의한 낮은 열전도도를 변화시키지 않으면서, 표면의 전기전도도 특성을 향상시키는 효과가 있다.
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