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公开(公告)号：WO2023063702A1
公开(公告)日：2023-04-20
申请号：PCT/KR2022/015350
申请日：2022-10-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명의 일실시예는, 1족 또는 2족 금속인 M1, 비금속을 제외한 14족 및 15족 원소인 M2 및 4주기 전이금속을 포함하는 리튬 과잉 층상 산화물계 양극활물질을 제공하고, 본 발명의 다른 일실시예는, 1족 또는 2족 금속인 N1, 비금속을 제외한 14족 및 15족 원소인 N2 및 5주기 전이금속 또는 6주기 전이금속을 포함하는 리튬 과잉 층상 산화물계 양극활물질을 제공한다. 본 발명의 리튬이온전지용 양극활물질은 고정된 산화수를 갖는 금속을 포함하여 높은 에너지 밀도, 높은 쿨롱 효율을 유지하면서 동시에 수명 특성이 우수한 장점이 있다.
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2.发明授权플렉시블 유기물 기판 위의 스핀코팅과 원자층 증착법을이용한 유기/무기 다층 게이트 절연체 제조방법과, 이를이용한 유기 반도체 소자 제조방법 失效使用旋转涂层和原子层沉积的有机基底上的多层栅介质的制造方法以及使用其制造有机半导体器件的方法
公开(公告)号：KR100882722B1
公开(公告)日：2009-02-06
申请号：KR1020070017165
申请日：2007-02-20
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/336 , H01L21/205
Abstract: 플렉시블 유기물 기판의 도금 공정을 이용한 게이트 전극의 형성 방법과, 게이트 절연체층으로는 유/무기 다층 절연체층을 적용하고 이를 이용하여 플렉시블 전자 소자에 적용할 수 있는 바닥 게이트(Bottom Gate)의 인버티드 스테거(Inverted Staggered) 구조의 유기/무기 다층 게이트 절연체 제조방법이 개시된다. 그 제조방법은 폴리이미드와 함께 이루어진 플렉시블 유기물 기판을 구비하고, 상기 플렉시블 유기물 기판 위에 니켈(Ni)이나 다른 전도성 전극을 플라즈마 표면 처리를 통하여 플렉시블 유기물 기판 위에 형성하고 유기/무기 다층 게이트 절연체를 스핀코팅과 원자층 증착법을 이용하여 형성한다.
플렉시블, 유기물 기판, 스핀코팅, 원자층 증착법, 유기/무기 다층 절연체, 유기 반도체 소자.-
3.发明公开플렉시블 유기물 기판 위의 스핀코팅과 원자층 증착법을이용한 유기/무기 다층 게이트 절연체 제조방법과, 이를이용한 유기 반도체 소자 제조방법 失效使用旋转涂层和原子层沉积的有机基底上的多层栅介质的制造方法以及使用其制造有机半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020080077517A
公开(公告)日：2008-08-25
申请号：KR1020070017165
申请日：2007-02-20
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/336 , H01L21/205
Abstract: A method for manufacturing an organic/inorganic multi layer gate insulator and a method for manufacturing an organic semiconductor using the same are provided to improve low leakage current characteristics on a flexible organic substrate by using spin coating and atomic layer deposition. Method for manufacturing an organic/inorganic multi layer insulator includes the steps of preparing a flexible organic substrate of polyimide, forming conductive metal including nickel, copper and gold on the flexible organic substrate by using electroplating or electroless-plating, and forming an organic/inorganic multi layer gate insulator on the flexible organic substrate by using spin coating and atomic layer deposition.
Abstract translation: 提供一种制造有机/无机多层栅极绝缘体的方法和使用该方法制造有机半导体的方法，以通过使用旋涂和原子层沉积来改善柔性有机基板上的低漏电流特性。 制造有机/无机多层绝缘体的方法包括以下步骤：通过使用电镀或无电镀在柔性有机基板上形成聚酰亚胺的柔性有机基板，形成包括镍，铜和金的导电金属，并形成有机/无机多层绝缘体 通过使用旋涂和原子层沉积在柔性有机基板上的多层栅极绝缘体。
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公开(公告)号：KR1020170074583A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：KR1020150184029
申请日：2015-12-22
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01F1/053 , H01F1/113 , H01F41/0253 , H04R9/025 , H04R19/013 , H04R2209/024
Abstract: 헥사페라이트(hexaferrite)를포함하는자성체입자, 및 2 이상의나노파이버(nanofiber)로이루어진나노파이버기재(nano fiber matrix)를포함하는자성시트로서, 자성체입자는나노파이버기재에분산되어있는자성시트, 및그 제조방법과, 자성시트를포함하는스피커가제공된다.
Abstract translation: 一种磁性片材，其特征在于，包含含有六方晶系铁氧体的磁性粒子和含有至少2个纳米纤维的纳米纤维基体，所述磁性粒子是分散在纳米纤维基材中的磁性片材， 提供了一种包括磁性片的制造方法和扬声器。
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