公开(公告)号：KR20210034146A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：KR1020190115311A

申请日：2019-09-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 천진호 ,  안진호 ,  정태화 ,  진정기 ,  최주일 ,  아츠시 후지사키

IPC: H01L23/525 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L23/525 ,  H01L23/49838 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/485 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/16 ,  H01L33/36 ,  H01L2224/16227

Abstract: 재배선 기판 및 상기 재배선 기판 상에 실장되는 반도체 칩을 포함하는 반도체 패키지를 제공하되, 상기 재배선 기판은 하부 보호층, 상기 하부 보호층 상에 배치되는 제 1 도전 패턴, 상기 하부 보호층 상에서 상기 제 1 도전 패턴을 둘러싸는 제 1 절연층, 및 제 1 절연층 상에 배치되는 제 2 절연층을 포함하고, 상기 제 1 절연층은 상기 하부 보호층의 상면과 실질적으로 평행한 제 1 상면을 갖고, 상기 제 1 절연층은 상기 제 1 상면으로부터 상기 하부 보호층을 향하고 상기 제 1 도전 패턴에 인접하여 배치되고 상기 제 1 도전 패턴에 접하는 제 1 리세스를 가질 수 있다.

公开(公告)号：WO2023063702A1

公开(公告)日：2023-04-20

申请号：PCT/KR2022/015350

申请日：2022-10-12

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김종순 ,  안진호 ,  강정민 ,  이용석

IPC: H01M4/505 ,  C01G51/00 ,  H01M10/0525 ,  H01M4/485 ,  C01G55/00 ,  H01M4/02

Abstract: 본 발명의 일실시예는, 1족 또는 2족 금속인 M1, 비금속을 제외한 14족 및 15족 원소인 M2 및 4주기 전이금속을 포함하는 리튬 과잉 층상 산화물계 양극활물질을 제공하고, 본 발명의 다른 일실시예는, 1족 또는 2족 금속인 N1, 비금속을 제외한 14족 및 15족 원소인 N2 및 5주기 전이금속 또는 6주기 전이금속을 포함하는 리튬 과잉 층상 산화물계 양극활물질을 제공한다. 본 발명의 리튬이온전지용 양극활물질은 고정된 산화수를 갖는 금속을 포함하여 높은 에너지 밀도, 높은 쿨롱 효율을 유지하면서 동시에 수명 특성이 우수한 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1020170074583A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：KR1020150184029

申请日：2015-12-22

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 이상의 ,  임병권 ,  문경석 ,  한인택 ,  강진규 ,  안진호 ,  권나영 ,  복신규 ,  심환수 ,  이주영 ,  임거환

IPC: H01F10/20 ,  H04R9/02 ,  H04R9/06 ,  H01F41/02

CPC classification number: H01F1/053 ,  H01F1/113 ,  H01F41/0253 ,  H04R9/025 ,  H04R19/013 ,  H04R2209/024

Abstract: 헥사페라이트(hexaferrite)를포함하는자성체입자, 및 2 이상의나노파이버(nanofiber)로이루어진나노파이버기재(nano fiber matrix)를포함하는자성시트로서, 자성체입자는나노파이버기재에분산되어있는자성시트, 및그 제조방법과, 자성시트를포함하는스피커가제공된다.

Abstract translation: 一种磁性片材，其特征在于，包含含有六方晶系铁氧体的磁性粒子和含有至少2个纳米纤维的纳米纤维基体，所述磁性粒子是分散在纳米纤维基材中的磁性片材， 提供了一种包括磁性片的制造方法和扬声器。

公开(公告)号：KR100882722B1

公开(公告)日：2009-02-06

申请号：KR1020070017165

申请日：2007-02-20

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이내응 ,  설영국 ,  안진호 ,  이상설

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205

Abstract: 플렉시블 유기물 기판의 도금 공정을 이용한 게이트 전극의 형성 방법과, 게이트 절연체층으로는 유/무기 다층 절연체층을 적용하고 이를 이용하여 플렉시블 전자 소자에 적용할 수 있는 바닥 게이트(Bottom Gate)의 인버티드 스테거(Inverted Staggered) 구조의 유기/무기 다층 게이트 절연체 제조방법이 개시된다. 그 제조방법은 폴리이미드와 함께 이루어진 플렉시블 유기물 기판을 구비하고, 상기 플렉시블 유기물 기판 위에 니켈(Ni)이나 다른 전도성 전극을 플라즈마 표면 처리를 통하여 플렉시블 유기물 기판 위에 형성하고 유기/무기 다층 게이트 절연체를 스핀코팅과 원자층 증착법을 이용하여 형성한다.
플렉시블, 유기물 기판, 스핀코팅, 원자층 증착법, 유기/무기 다층 절연체, 유기 반도체 소자.

公开(公告)号：KR1020080077517A

公开(公告)日：2008-08-25

申请号：KR1020070017165

申请日：2007-02-20

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이내응 ,  설영국 ,  안진호 ,  이상설

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205

Abstract: A method for manufacturing an organic/inorganic multi layer gate insulator and a method for manufacturing an organic semiconductor using the same are provided to improve low leakage current characteristics on a flexible organic substrate by using spin coating and atomic layer deposition. Method for manufacturing an organic/inorganic multi layer insulator includes the steps of preparing a flexible organic substrate of polyimide, forming conductive metal including nickel, copper and gold on the flexible organic substrate by using electroplating or electroless-plating, and forming an organic/inorganic multi layer gate insulator on the flexible organic substrate by using spin coating and atomic layer deposition.

Abstract translation: 提供一种制造有机/无机多层栅极绝缘体的方法和使用该方法制造有机半导体的方法，以通过使用旋涂和原子层沉积来改善柔性有机基板上的低漏电流特性。 制造有机/无机多层绝缘体的方法包括以下步骤：通过使用电镀或无电镀在柔性有机基板上形成聚酰亚胺的柔性有机基板，形成包括镍，铜和金的导电金属，并形成有机/无机多层绝缘体 通过使用旋涂和原子层沉积在柔性有机基板上的多层栅极绝缘体。

公开(公告)号：KR102162955B1

公开(公告)日：2020-10-08

申请号：KR1020130130981

申请日：2013-10-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박광하 ,  김도훈 ,  안진호 ,  오대일 ,  이재인 ,  이현석

IPC: G06F21/32 ,  G06F3/01 ,  G06F3/048

公开(公告)号：KR102161793B1

公开(公告)日：2020-10-06

申请号：KR1020140090916

申请日：2014-07-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강필규 ,  김석호 ,  김태영 ,  김효주 ,  박병률 ,  박연상 ,  안진호 ,  이호진 ,  장주희 ,  정덕영

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/31

公开(公告)号：KR102094017B1

公开(公告)日：2020-03-26

申请号：KR1020130093166

申请日：2013-08-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박광하 ,  김도훈 ,  안진호 ,  오대일 ,  이재인 ,  이현석

IPC: H04W76/10 ,  H04W92/18

公开(公告)号：KR1020170084434A

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：KR1020160003482

申请日：2016-01-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정덕영 ,  문광진 ,  박병률 ,  안진호

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/131 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: 관통비아구조체를갖는반도체소자를제공한다. 이반도체소자는서로대향하는제1 면및 제2 면을갖는반도체기판, 상기반도체기판의제1 면상의전면절연층, 상기반도체기판의상기제2 면상의후면절연층, 상기후면절연층, 상기반도체기판및 상기전면절연층을관통하는관통비아구조체, 상기관통비아구조체의측면상의비아절연층, 및상기전면절연층을관통하는콘택구조체를포함한다. 상기관통비아구조체는제1 영역및 상기제1 영역상의제2 영역을포함하고, 상기제2 영역은상기제1 영역보다제1 원소를더 포함한다.

Abstract translation: 提供通孔结构。 其中，第二导电元件包括​​具有彼此相对的第一表面和第二表面的半导体衬底，在半导体衬底的第一表面上的前绝缘层，在半导体衬底的第二表面上的后绝缘层， 穿过半导体衬底和前绝缘层的通孔结构，在通孔结构的侧表面上的通孔绝缘层以及穿过前绝缘层的接触结构。 贯通通孔结构包括在第一区域上的第一区域和第二区域，并且第二区域还包括比第一区域更小的第一元件。

公开(公告)号：KR1020170021070A

公开(公告)日：2017-02-27

申请号：KR1020150115413

申请日：2015-08-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이호진 ,  박병률 ,  안진호

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L23/14 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L23/5384 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/18161

Abstract: 집적회로소자는 TSV (through-silicon-via) 공간의일부인제1 관통홀을한정하는제1 측벽을가지는기판과, TSV 공간의다른일부를제공하고제1 관통홀과연통되는제2 관통홀을한정하는제2 측벽과, 제1 관통홀에언더컷영역을제공하도록 TSV 공간의내측을향해돌출된돌출부를가지는층간절연막과, 기판및 층간절연막을관통하여제1 관통홀및 제2 관통홀내에서연장된 TSV 구조와, 제1 관통홀및 제2 관통홀내에서 TSV 구조를포위하는비아절연막을포함한다.

Abstract translation: 提供集成电路（IC）装置，其包括具有限定作为穿硅通孔（TSV）空间的一部分的第一通孔的第一侧壁的衬底，具有第二侧壁和突起的层间绝缘层，其中第二通孔 侧壁限定了提供TSV空间的另一部分并与第一通孔连通的第二通孔，并且突出部朝向TSV空间的内部突出，并且限定第一通孔中的底切区域，穿透基板的TSV结构， 所述层间绝缘层延伸穿过所述第一通孔和所述第二通孔;以及通孔绝缘层，其围绕所述第一通孔和所述第二通孔中的TSV结构。