公开(公告)号：KR102250960B1

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：KR1020190018888

申请日：2019-02-19

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 박화선 ,  서수정 ,  오용수 ,  나영일 ,  서대석 ,  신세희

IPC: H01L49/02 ,  H01L21/768

Abstract: 커패시터가개시된다. 상기커패시터는기판의상면및 하면에일정깊이를갖도록각각형성되어서로대칭되게배치되는상부홈및 하부홈을포함하는베이스기판; 상기상부홈상에막 형태로구비되는제1 유전층; 상기하부홈상에막 형태로구비되는제2 유전층; 상기제1 유전층상에구비되는제1 전극; 및상기제2 유전층상에구비되는제2 전극을포함하는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR101016729B1

公开(公告)日：2011-02-25

申请号：KR1020090014518

申请日：2009-02-20

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  삼성전기주식회사

Inventor： 서수정 ,  임승규 ,  박인수 ,  나성훈 ,  김진수 ,  김태성 ,  김종천 ,  오용수 ,  이정원 ,  송병익 ,  이승은

IPC: H01C17/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y25/00

Abstract: 본 발명은 열안정성이 우수하며 높은 저항값을 가지는 세라믹-금속 나노복합체를 이용한 박막 내장형 저항체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 박막 내장형 저항체는 세라믹-금속 나노복합체를 이용하여 제조됨으로써 산화 구조로 인해 산화의 영향을 적게 받아 우수한 열안정성을 나타낼 뿐만 높은 저항값을 나타내어 회로의 집적도를 높인 저항 내장형 인쇄회로기판 등에 사용될 수 있다.
박막 내장형 저항체, 산화실리콘, 백금, 열안정성, 고저항

公开(公告)号：KR1020100095308A

公开(公告)日：2010-08-30

申请号：KR1020090014518

申请日：2009-02-20

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  삼성전기주식회사

Inventor： 서수정 ,  임승규 ,  박인수 ,  나성훈 ,  김진수 ,  김태성 ,  김종천 ,  오용수 ,  이정원 ,  송병익 ,  이승은

IPC: H01C17/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y25/00

Abstract: PURPOSE: A thin film embedded resistor prepared using a ceramic-metal nano-composite is provided to increase the integration of a circuit, thereby allowing a user to implement a fine pitch member. CONSTITUTION: An oxidation silicon - platinum nano-composite is deposited on a substrate to distribute platinum particle inside a matrix. The oxidation silicon - platinum nano-composite has an atomic ratio of 67:33 or 42:58 of oxidation silicon and platinum, respectively. The size of the platinum particles distributed within the oxidation silicon matrix is 3-5 nm. The thin film embedded register has 3K at a TCR of 100 ppm.

Abstract translation: 目的：提供使用陶瓷 - 金属纳米复合材料制成的薄膜嵌入式电阻器，以增加电路的集成度，从而允许使用者实现细间距元件。 构成：将氧化硅 - 铂纳米复合材料沉积在基底上以将铂颗粒分布在基体内。 氧化硅 - 铂纳米复合材料的氧化硅和铂的原子比分别为67:33或42:58。 分布在氧化硅基质中的铂颗粒的尺寸为3-5nm。 薄膜嵌入寄存器在TCR为100ppm时具有3K。