公开(公告)号：KR1020100117539A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：KR1020100038143

申请日：2010-04-23

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  김영국 ,  박진주 ,  이영석 ,  윤기찬 ,  이선화

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/075 ,  H01L31/04

Abstract: PURPOSE: A thin film type solar battery and a manufacturing method thereof are provided to improve the efficiency of a thin film type solar battery by applying a material with a high band gap to a p-type semiconductor layer. CONSTITUTION: A front side anti-reflective layer(20) is formed on a glass substrate(10). A p-type semiconductor layer(30) is formed on the front side anti-reflective layer. An i-type semiconductor layer(40) is formed on the p-type semiconductor layer. An n-type semiconductor layer(50) is formed on the i-type semiconductor layer. A backside reflection layer(60) is formed on the n-type semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜型太阳能电池及其制造方法，以通过向p型半导体层施加具有高带隙的材料来提高薄膜型太阳能电池的效率。 构成：在玻璃基板（10）上形成有前侧防反射层（20）。 在前侧防反射层上形成p型半导体层（30）。 在p型半导体层上形成i型半导体层（40）。 在i型半导体层上形成n型半导体层（50）。 在n型半导体层上形成有背面反射层（60）。

公开(公告)号：KR101083402B1

公开(公告)日：2011-11-14

申请号：KR1020100038143

申请日：2010-04-23

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  김영국 ,  박진주 ,  이영석 ,  윤기찬 ,  이선화

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본발명은박막형태양전지와그 제조방법에관한것으로, 더욱자세하게는 p형반도체층에밴드갭이큰 물질을사용하여태양전지의효율을향상시킨박막형태양전지에관한것이다. 본발명에의한박막형태양전지는, i형반도체층; 상기 i형반도체층의일면에접하는 n형반도체층; 및상기 i형반도체층의타면에접하는 p형의비정질 SiO박막으로이루어진 p형반도체층을포함하는것을특징으로한다. 본발명에따르면, 밴드갭이큰 물질을태양광이입사하는 p형반도체층에적용함으로써박막형태양전지의효율이크게향상되는효과가있다.