公开(公告)号：WO2020111752A3

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：PCT/KR2019/016418

申请日：2019-11-27

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 박진홍 ,  최재웅 ,  김관호 ,  이성주 ,  임지혜 ,  안드레예프막심

IPC: H01L45/00

Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 부성 미분 전달컨덕턴스 특성을 갖는 반도체 소자는 기판, 기판 상에 형성된 게이트 전극, 게이트 전극상에 형성된 절연층, 절연층 상에 형성된 소스 전극 물질층, 절연층 상에 형성되고, 소스 전극 물질층과 이종 접합하도록 형성된 반도체 물질층, 소스 전극 물질층 상에 형성된 소스 전극 및 반도체 물질층 상에 형성된 드레인 전극을 포함하되, 소스 전극 물질층은 게이트 전극을 통해 인가되는 게이트 전압에 따라 일함수가 조절되는 것이고, 게이트 전압의 크기에 따라 부성 미분 전달컨덕턴스 특성을 나타내는 것이다.

公开(公告)号：WO2020111752A2

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：PCT/KR2019/016418

申请日：2019-11-27

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 박진홍 ,  최재웅 ,  김관호 ,  이성주 ,  임지혜 ,  안드레예프막심

IPC: H01L45/00

Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 부성 미분 전달컨덕턴스 특성을 갖는 반도체 소자는 기판, 기판 상에 형성된 게이트 전극, 게이트 전극상에 형성된 절연층, 절연층 상에 형성된 소스 전극 물질층, 절연층 상에 형성되고, 소스 전극 물질층과 이종 접합하도록 형성된 반도체 물질층, 소스 전극 물질층 상에 형성된 소스 전극 및 반도체 물질층 상에 형성된 드레인 전극을 포함하되, 소스 전극 물질층은 게이트 전극을 통해 인가되는 게이트 전압에 따라 일함수가 조절되는 것이고, 게이트 전압의 크기에 따라 부성 미분 전달컨덕턴스 특성을 나타내는 것이다.

公开(公告)号：KR102128956B1

公开(公告)日：2020-07-01

申请号：KR1020180148295

申请日：2018-11-27

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 박진홍 ,  최재웅 ,  김관호 ,  이성주 ,  임지혜 ,  막심

IPC: H01L45/00